【課題】研磨時に外周部を含むウェハの全面を均一に加圧して該ウェハの特に外周部の変形を抑制し、この変形によるウェハの過剰研磨等の欠陥発生を防止し、リテーナリング一体型のテンプレートとしてウェハの自動搬送の構築を可能とし、該自動搬送等の際の研磨ヘッドへのウェハの真空吸着を安定化させ、さらには径、厚み等のサイズ違いのウェハも容易・確実に研磨可能とする。
【解決手段】底面部にウェハＷを嵌合させる嵌合用凹部が形成されたテンプレートと研磨ヘッド側に取り付けられてテンプレートの周囲を包囲する円環状のリテーナリングとを一体化したリテーナリング一体化テンプレート１０を備え、該リテーナリング一体化テンプレート１０における嵌合用凹部１１にウェハＷを嵌合させ、リテーナリング一体化テンプレート１０を介してウェハＷをプラテン２上の研磨パッド６に押し付けるとともに研磨ヘッドをプラテン２に対し相対回転させてウェハＷを研磨する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な機構を必要とせず、製造コストの増加を招くことなく、クラックなどの欠陥を低減することが可能な優れたワイヤーソー装置およびそれを用いた切断方法ならびに半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 一方向または双方向に走行させながら被加工物を切断するためのワイヤー５と、被加工物１を固定させる台座２と、台座２において、被加工物１を切断する際にワイヤー５が入る側の台座側面２ａに固定されている被切断用の側板６とを備えており、側板６における被加工物１が位置する側の側板端面６ａが、台座側面２ａにおける被加工物１が位置する側の台座端面２ｂと面一であるか、または側板端面６ａが台座端面２ｂから被加工物１の側面１ｃに沿って突出しているワイヤーソー装置Ｓとする。また、台座２に被加工物１を固定した後に、ワイヤー５を走行させながら被加工物１を切断し始め、しかる後、ワイヤー５を走行させながら被加工物１および側板６を切断する方法とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、研磨特性に優れる、即ち、高研磨レート、非スクラッチ性、平坦性に優れるＣＭＰ法の研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 イソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（Ａ）を含有する主剤と、イソシアネート基反応性化合物（Ｂ）を含有する硬化剤とを含む研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、更にヒュームドシリカ（Ｃ）を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置１０のワーク保持機構１８は、スライス台２２と、ワークプレート２４と、ワークプレート保持部２６と、を有する。ワークプレート２４は、本体部２８の側面からワイヤー延在方向Ｚの両側に突出し、両側それぞれに開口部３２Ａ，３２Ｂを有する一対の突出プレート３０Ａ，３０Ｂを有し、突出プレート３０Ａ，３０Ｂの両外側のうち、少なくともノズル２０が位置する側に溝部材３４Ａ，３４Ｂを有し、ワイヤー群１６からワークプレート保持部２６に向けて舞い上がるスラリーを、開口部３２Ａ，３２Ｂを通過させて３４Ａ，３４Ｂ溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用済み研磨材スラリーについて、簡易な再生処理により研磨材としての性能を再生させることを目的とする。
【解決手段】
ガラス材研磨用の酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法であって、次の工程を含む酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法。
第一工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも大粒子径の研磨屑を除去する工程
第二工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも小粒子径の研磨屑を除去する工程
第三工程：第一工程及び第二工程で研磨屑を除去して得られた回収研磨材スラリーに、金属フッ化物を添加して再生酸化セリウム系研磨材スラリーを得る工程 （もっと読む）

【課題】 Ｇａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、生産効率が低下することなく、ひびが入ったり、割れたり欠けたりすることなくこれを切断して所望の形状に切断することができるＣｕ−Ｇａ合金の切断方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｇａ合金の切断方法は、熱処理工程とスライス加工工程とを含む。熱処理工程では、溶解鋳造により作製された直方体形状のＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、４５０℃以上７００℃未満の温度下で熱処理する。次に、スライス加工工程では、熱処理されたＣｕ−Ｇａ合金塊８１を、切断面が直方体の最も短い辺に対して垂直となるように、ダイヤモンドバンドソー装置１またはマルチワイヤソー装置１０を用いて切断する。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するトップリングの外周部に設けられ基板の外周縁を保持するリテーナリングの研磨面に対する追従性を高め、所望のリテーナリング面圧を研磨面に与えることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１００と、圧力流体が供給される圧力室を有し、圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面１０１ａに押圧するトップリング本体２と、トップリング本体２の外周部に設けられるとともにトップリング本体２とは独立して上下動可能に設けられ、研磨面１０１ａを押圧するリテーナリング３とを備え、リテーナリング３を研磨面１０１ａの動きに追従させるためにリテーナリング３を傾動可能に支持する支持機構を基板の中心部の上方に位置させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 両面同時研磨機等の遊星キャリアを使用した研磨機において、少なくとも、研磨時に表示パネルの端面が起点となっている割れが生じないようにする。
【解決手段】 上定盤と、この上定盤と対向して配置されて上定盤と逆向きに回転する下定盤と、上定盤及び下定盤と同一の回転軸で回転する太陽ギヤと、上定盤及び下定盤と同一の回転軸で回転するインターナルギヤと、被研磨物を保持する保持穴が形成され、外歯により太陽ギヤとインターナルギヤと係合して自転しながら公転する遊星キャリア５を有する。遊星キャリア５の保持穴１０には、当該遊星キャリア５の回転時にこの保持穴１０において被研磨物側面と当接する側の辺１０ａ（１０ｂ）に切り欠きが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、特にピッチを狭くしたワイヤ回収側でワークの切り始めが局所的に薄くなり、ＴＴＶが悪化するのを抑制できるワークの切断方法及びワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】複数の溝付きローラに巻掛けされたワイヤを軸方向に往復走行させ、前記ワイヤにスラリを供給しつつ、ワークを相対的に押し下げて、往復走行する前記ワイヤに押し当てて切り込み送りし、前記ワークをウェーハ状に切断するワークの切断方法であって、前記溝付きローラの複数の溝の底部の位置と該溝付きローラの回転軸との間の距離がワイヤ供給側からワイヤ回収側に向かって徐々に短くなるように形成された前記溝付きローラを準備する工程と、前記ワイヤ供給側のワイヤが前記ワイヤ回収側のワイヤよりも先に前記ワークに押し当てられるようにして前記ワークを切断する工程とを含むことを特徴とするワークの切断方法。 （もっと読む）

【課題】両面研磨装置を用いたガラス基板の磁気薄膜層形成予定面のみに研磨を行なった場合であっても、磁気薄膜層形成予定面に微小な凹凸の発生を抑制することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１キャリア２０５ａに保持されるガラス基板１Ｇの磁気薄膜層形成予定面１４とは反対側の面１５と補助プレート２０６の表面との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ１、前記予定面１４と第１研磨部材２０３との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ２とし、第２キャリア２０５ｂに保持されるガラス基板１Ｇの磁気薄膜層形成予定面１４とは反対側の面１５と補助プレート２０６の表面との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ３、この予定面１４と第２研磨部材２０４との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ４とした場合、Ｆ１／Ｆ２およびＦ３／Ｆ４の値が、０．８以上１．７５以下となる条件の下で、磁気薄膜層形成予定面１４の研磨を行なう。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）キノリンカルボン酸および／またはピリジンカルボン酸、（Ｃ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｄ）酸化剤、（Ｅ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および（Ｆ）分散媒を含有し、前記（Ａ）砥粒が、平均一次粒子径が５〜５５ｎｍかつ会合度が１．９〜４．０のコロイダルシリカである。
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【課題】研磨時における研磨ロール自体に起因する異物の発生を低減し、研磨ロールから剥離した異物により発生する異物欠陥を低減することができるトップロール研磨装置を提供する。
【解決手段】連続溶融金属メッキラインに設けられたトップロール８の表面を研磨ロール１１で研磨するトップロール研磨装置（ポリッシャー）１０において、研磨ロール１１として、研磨ロール１１の直径Ｄに対する研磨ロール１１の羽長さ（研磨布１１ｂの長さ）Ｌの比である羽長さ比Ｒが０．１５以下である形状を有するものを適用する。また、コントローラ２０によって、研磨ロール１１の回転速度が１９ｍ／ｓ以上となるように駆動モータ１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を維持しながら、エロージョン及びシームの発生を抑制し、被研磨面の平坦性が高い金属膜用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】金属用研磨液において、砥粒、メタクリル酸系ポリマ及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、４価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】被研磨物のスクラッチ傷の発生を防止し、耐摩耗性を有する被研磨物保持材を提供すること。また、化学的機械研磨加工に使用されて使用済みとなった被研磨物保持材を使用前の形態に復元してリサイクルすることが可能な被研磨物保持材を提供すること。
【解決手段】上記課題は、本発明の繊維強化樹脂層と、前記繊維強化樹脂層の少なくとも一方の面に樹脂層とを有する被研磨物保持材であって、
前記樹脂層が、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の条件における研磨速度が５０μｍ／ｈ以下であることを特徴とする被研磨物保持材により達成される。
（Ａ）面圧：７００ｇｆ／ｃｍ²（Ｂ）テーブル回転数：４０ｒｐｍ（Ｃ）チャック回転数：４０ｒｐｍ（Ｄ）研磨液：粒径７０ｎｍ以上、ｐＨ１２、固形分濃度：５％のコロイダルシリカ（Ｅ）研磨液流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ（Ｆ）研磨時間：６０ｍｉｎ。 （もっと読む）