【課題】 ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ用研磨液を使用して酸化ケイ素を有する被研磨面を研磨した際に、研磨部材を洗浄するためのＣＭＰ用洗浄液であって、強酸を含むＣＭＰ用洗浄液。ＣＭＰ用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、フッ酸、硝酸及び次亜塩素酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。また、ＣＭＰ用洗浄液は、さらに洗浄補助剤Ａとしてヒドロキシカルボン酸を含み、さらに洗浄補助剤Ｂとして、メタンスルホン酸を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】一体のスラリー分配機構を備えた化学的機械研磨ヘッド及び方法を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨面１２５に表面を有した基板１０５を位置決めするための研磨ヘッドであって、底面を有したキャリア１５５を備え、該底面は、研磨工程中に基板を保持するようになっている下面を含み、キャリア１５５は、研磨工程中に研磨物質を研磨面に分配するために下面の周りの底面を貫通して延びている複数のポート３２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】十分な研磨速度を維持しつつ基板の被研磨面（表面）の研磨を行い、しかも、研磨後の基板表面に研磨残りを生じさせることを防止して、所望の研磨プロファイルを得ることができるようにする。
【解決手段】研磨パッド１４ａに向けてガスを噴射して研磨パッド１４ａの温度を制御しながら研磨する研磨方法において、研磨中、ガス噴射流量又はガス噴射方向をＰＩＤ制御しつつ、被研磨面の研磨状態を監視し、所定の膜厚に到達する前後で、制御する研磨パッド１４ａの温度を切り替えて研磨する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子、有機酸Ａ、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含んでおり、有機酸Ａは、−ＣＯＯＭ基、−Ｐｈ−ＯＭ基、−ＳＯ_３Ｍ基及び−ＰＯ_３Ｍ_２基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸ＡのｐＫａが９未満であり、有機酸Ａの含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、コハク酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、コハク酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、プロピオン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、プロピオン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物のスクラッチ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法の提供。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に９〜２００のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、マレイン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、マレイン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、酢酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、酢酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、パラトルエンスルホン酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、パラトルエンスルホン酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のＳＴＩ技術の状況に鑑み、ＳＴＩ絶縁膜、プリメタル絶縁膜、層間絶縁膜等を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨速度を低下させることなく、研磨傷の発生が抑制された化学機械研磨用水系分散体及び当該水系分散体を用いて微細化素子分離工程における余分の絶縁膜の除去、プリメタル絶縁膜や層間絶縁膜等の平坦化を行う化学機械研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、（Ａ）平均一次粒子径が０．０１〜０．１μｍであり、平均二次粒子径が０．０２〜０．３μｍであるコロイダルシリカ粒子と（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物を含む化学機械研磨用水系分散体であって、動的光散乱式粒径分布測定装置にて前記化学機械研磨用水系分散体を測定して算出される平均粒子径が０．０４〜０．５μｍである化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜及びＳＴＩ膜等の被研磨膜を平坦化するＣＭＰ技術において、被研磨膜の研磨速度を向上させ、研磨後の表面平坦性を向上させることが可能な研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、リンゴ酸、カルボン酸基又はカルボン酸塩基を有する高分子化合物Ｂ及び水を含むＣＭＰ用の研磨液であって、リンゴ酸の含有量が、研磨液全質量に対して０．００１〜１質量％であり、高分子化合物Ｂの含有量が、研磨液全質量に対して０．０１〜０．５０質量％であり、ｐＨが４．０以上７．０以下である、研磨液。 （もっと読む）

【課題】研磨パッド表面に向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しつつ、基板と研磨パッドとの研磨界面への研磨液供給量が不足して研磨レートが低下するのを抑制したり、適正な研磨レートを保つことができるようにする。
【解決手段】研磨パッドに向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しながら、研磨液が供給されている研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法であって、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される研磨液流量とを互いに連動させる。例えば、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される必要研磨液流量との相関を示すデータを基に、基板の研磨時に研磨パッドに供給される研磨液流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】高精度な研磨を高効率よく、かつ低コストで行える複合砥粒の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合砥粒の製造方法は、無機粒子からなる無機粉末と有機粒子からなる有機粉末とを混合して混合粉末とする混合工程と、この混合粉末を加熱しつつ混練する加熱混練工程とを備え、有機粒子の表面に無機粒子が付着した複合砥粒が得られることを特徴とする。ここで、例えば、無機粒子はセリア粒子であり、有機粒子はポリマー粒子である。この製造方法により得られる複合砥粒を用いると、セリア粒子のみからなる砥粒を用いた場合と同等の良好な表面粗さを確保しつつ、高い研磨レートの研磨を行うことができる。しかも本発明の複合砥粒によれば、稀少なレアアースを含むセリア粒子の使用量を抑制でき、砥粒ひいては研磨スラリー等の低コスト化や供給安定性を図れる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ等のワークの両面の表面形状プロファイルを個々に緻密に制御できる研削装置および該研削装置を備える研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研削装置は、研磨布を貼り付けた上定盤および下定盤の回転によりワークの表裏面を研磨する両面研磨装置における、研磨布をドレッシングするための研削装置であって、離間させた上下定盤間に挿通され、研磨布の研磨面に対して水平方向に走査かつ垂直方向に昇降可能な移動アームと、移動アームの先端部に研磨布面に対して水平方向に回動可能に取り付けられ、研磨布の表面をドレッシングする研磨布より小径の研削プレートと、移動アームの先端部に取り付けられ、移動アームの走査方向に前記研磨布の表面形状プロファイルを測定する測定部と、測定部の測定結果に基づきドレッシング量を制御する研削制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部および周縁部を含む全面において、精度の高い膜厚データを取得することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】ポリッシング装置は、基板Ｗの表面を研磨パッド２２に対して押圧するトップリング２４と、光源１６ａ，１６ｂからの光を基板Ｗの表面に照射し、基板Ｗからの反射光を受光する第一の光学ヘッド１３Ａおよび第二の光学ヘッド１３Ｂと、反射光の各波長での強度を測定する分光器１４ａ，１４ｂと、反射光の強度と波長との関係を示すスペクトルを生成する処理部１５とを備える。第一の光学ヘッド１３Ａは、トップリング２４に保持された基板Ｗの中心に対向するように配置され、第二の光学ヘッド１３Ｂは、トップリング２４に保持された基板Ｗの周縁部に対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】渦電流センサの発振周波数、内部回路の増幅度および励磁電圧を上昇させることなく、半導体ウエハ等の基板上の金属薄膜（または導電性薄膜）を検出することができる渦電流センサを提供する。
【解決手段】金属膜（または導電性膜）ｍｆが形成された基板の近傍に配置されるセンサコイル６０を備えた渦電流センサであって、センサコイル６０は、前記信号源に接続された発振コイル６２と、金属膜または導電性膜ｍｆに形成される渦電流を検出する検出コイル６３と、検出コイル６３に直列に接続されるバランスコイル６４とを有し、検出コイル６３は、列を基板に対して垂直方向、層を基板に対して平行方向と定義したときに、線材又は導電体を１列複数層に巻いたコイルからなる。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを確保し被研磨物に対するスクラッチを抑制することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、湿式凝固法により、流動開始温度が１５０〜２２０℃の範囲のポリウレタン樹脂で形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、一面側に、凸部５と、凸部５の間に形成された凹部６とを有している。凸部５の表面が研磨面Ｐを構成している。凸部５には、平均孔径が３０μｍ以下の多数の細孔４が形成されている。凸部５の表面では、細孔４が開孔しており、開孔４ａが形成されている。凹部６では、細孔４より小さい微細孔４ｓが形成されており、表面の開孔が凸部５の細孔４より縮径ないし閉塞されている。ウレタンシート２では、厚み方向に長さを有する気泡の開孔が無形成となり、凹部６により研磨液が循環供給され研磨屑が排出される。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面粗さを、より細かく調整できるドレッサを提供する。
【解決手段】ドレッサ１の円盤状のベース基材２の表面には、扇状領域に区分された第１，第２砥粒配置部５ａ，５ｂが円周方向に交互に設けられ、第１砥粒配置部５ａには、粒径の大きな多数のダイヤモンド砥粒３ａが保持され、第２砥粒配置部５ｂには、粒径の小さな多数のダイヤモンド砥粒３ｂが保持されている。かかるドレッサ１では、粒径の大きなダイヤモンド砥粒３ａによって研磨パッドの表面を深く荒らしてスラリー保持性を高めると共に、粒径の小さなダイヤモンド砥粒３ｂによって研磨パッド表面を安定した表面粗さにドレッシング処理することができる。 （もっと読む）

【課題】シームの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液は、ｐＨが２．８〜４．０であり、酸化金属溶解剤、金属防食剤、酸化剤を含有する。本発明に係る研磨方法は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層と、該バリア層を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える。 （もっと読む）