特許請求する本発明は、高研磨速度で銅を研磨するのに有効な化学的機械的平滑化のための新規水性スラリーを含む。本発明に従う水性スラリーは、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む。化学的機械的平滑化による銅を研磨するための方法は、MoO₂またはMoO₃の粒子と酸化剤とを含む水性スラリーおよび研磨パッドと銅を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

体積中央粒径が約２０ナノメートルから約１００ナノメートルで体積スパン値が約２０ナノメートルに等しいか或はそれ以上で約１００ナノメートルより大きい粒子の分率が研磨剤粒子の約２０体積％に等しいか或はそれ以下である多分散粒径分布を示す多数の研磨剤粒子を含有する基質研磨用研磨剤組成物。
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本発明は、（ｉ）貴金属層を含む基材を（ａ）研磨成分、（ｂ）酸化剤及び（ｃ）液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程、並びに（ｉｉ）当該貴金属層の少なくとも一部を削って当該基材を研磨する工程を含む、基材の研磨方法を提供する。研磨成分は、研磨剤、研磨パッド又はそれらの組み合わせからなる群より選択され、酸化剤は、臭素酸塩、亜臭素酸塩、次亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、次亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ペルオキシ酢酸、有機ハロオキシ化合物、それらの塩、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される。化学機械研磨系は９以下のｐＨを有し、酸化剤は実質的な量の元素ハロゲンを生成しない。本発明はまた、貴金属層及び第２層を含む基材を、阻止化合物をさらに含む上記の研磨系によって研磨する方法を提供する。 （もっと読む）

平坦な作業物、詳細には半導体ウェーハの化学的機械研磨を行う為の縦駆動スピンドルに連結された保持具であって、天井部分と側壁を有する円形筐体と、少なくとも側壁の下方部分を形成する止め輪と、筐体の底部側に配置されスピンドルに連結され頂部と底部側を有する硬質材料の保持板と、保持板の底部側に取り付けられ、保持板と共に４個以上の環状室を形成し、スピンドル軸に同心に配置された可撓性のある比較的薄い膜と、制御された圧力源又は真空源にその上方端部で接続可能であり、筐体中に案内される駆動スピンドル内部の少なくとも１個の第１チャンネルと、研磨工程中に放射方向に変化する圧力プロファイルを発生する為に、第１チャンネル及び保持板の孔を経由して室の各々に接続され、電気的制御ラインと回転トランスジューサーを経由して外部電気的制御装置に接続され、いくつかの電気的に制御可能な筐体中のオン−オフバルブとを備える保持具である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、電気化学機械的研磨システムにおいて基板を処理するための方法および装置を提供する。一実施形態において、基板を研磨するためのセルは、プラテンアセンブリの最上面に配置された研磨パッドを含む。複数の導電素子が上部研磨表面にわたって間隔をあけて配列されており、また該パッドと該プラテンアセンブリ間に配置された電極に対して該基板をバイアスするように適合される。複数の通路が、該最上面と該プラテンアセンブリ内に画成されたプレナムとの間に該プラテンアセンブリを介して形成される。別の実施形態において、バルク研磨セルおよび残渣研磨セルを有するシステムが提供される。該残渣研磨セルはバイアスされた導電性研磨表面を含む。更なる実施形態において、該導電素子はプロセス化学による攻撃から保護される。 （もっと読む）

本発明は、第１の深さ及び第１の幅を備えた第１の組の溝（１２）を含む上部表面（１０）と、第２の深さ及び第２の幅を備えた第２の組の溝（１６）を含む下部表面とを有する本体を含む研磨パッドであって、当該第１の組の溝（１２）と当該第２の組の溝（１６）が相互に接続され、それらが一列にならないように配向された研磨パッドを提供する。
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【課題】研磨パッドの上の膜の厚さを制御するための装置および方法
【解決手段】化学機械平坦化システム（１００）で用いるための装置が提供される。該装置は、流体駆逐デバイスおよび流体送出デバイスを含む。流体駆逐デバイスは、研磨パッド（１０１）の上方の近接位置に配置することができ、研磨パッド（１０１）の一領域から第１の流体の少なくとも一部を駆逐するように構成される。流体送出デバイス（１０３）は、研磨パッドの上記領域において、駆逐された第１の流体を、第１の流体と異なる第２の流体に置き換えることができる。研磨パッド（１０１）の表面の上に存在する膜の特性を制御する方法も提供される。更には、研磨パッド表面の上方の近接位置において、研磨パッドの上に流体を送出することができる装置も提供される。該装置は、更に、研磨パッド表面の上から上記の流体の少なくとも一部を除去できることが望ましい。この除去は、研磨パッド表面の上方の近接位置において、流体の送出に隣接して生じるように構成される。 （もっと読む）

追加の設備編成、プラテン及び材料ハンドリングを必要としないで、特定作業用スラリーを導入するための孔あきコンディショニングディスクを使用する研磨パッドのコンディショニングを行う方法及び装置。本方法及び装置は、真空機構を利用して、廃棄物をコンディショニングパッドから孔あきコンディショニングディスクを通して引き出し、それにより、装置を出口ポートから排気する。装置はまた、内蔵洗浄手段と、パッドコンディショニング装置を振動させるための圧電デバイスとを備えてもよい。

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空気式制御システムは、空気作動式機械の流体ラインに連結できる連結ラインを持つ少なくとも一つの流れ制御ライン、負圧源に連結できる負圧ライン、連結ラインと負圧ラインとの間の流れを制御する負圧バルブ、加圧流体源に連結できる圧力ライン、及び連結ラインと圧力ラインとの間の流れを制御する圧力バルブを含む。圧力マニホールドが圧力ライン及び連結ラインの第１部分を画成し、圧力バルブを支持し、負圧マニホールドが負圧ライン及び連結ラインの第２部分を画成し、負圧バルブを支持する。負圧マニホールドは、圧力マニホールドとは別個に交換されるようになっている。

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導電性材料層が配置された基板を処理する方法であって、基板を処理装置に位置させるステップと、基板に第１の研磨組成物を供給するステップとを備えた方法が提供される。研磨組成物は、燐酸、少なくとも１つのキレート化剤、腐食防止剤、塩、酸化剤、磨き剤粒状物、約４から約７のｐＨを与えるための少なくとも１つのｐＨ調整剤、及び溶媒を含む。この方法は、更に、導電性材料層に不動態化層を形成するステップと、この不動態化層を除去して、導電性材料層の一部分を露出させるステップと、基板に第１バイアスを印加するステップと、導電性材料層の少なくとも約５０％を除去するステップとを備えている。この方法は、更に、第１研磨組成物から基板を分離するステップと、基板を第２研磨組成物及び第２バイアスに露出させるステップと、導電性材料層を除去し続けるステップとを備えている。 （もっと読む）

本発明によれば、パッドコンディショニングシステムのドライブアセンブリから得られたモータ電流信号のようなセンサ信号が、ＣＭＰシステムにおける一つあるいはそれ以上の消耗品（１１３）の状態を推定するように用いられるシステム及び方法が提供される。
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半導体ウェハの製造プロセスが開示されている。メタル配線の表面に発生するデンドライトや電気分解反応を抑止するため、半導体ウェハに対して溶液が適用される。その溶液は、ＣＭＰ処理の際又はＣＭＰ洗浄後処理の際に適用される。その溶液は、界面活性剤及び防食剤を含む。一実施形態では、その溶液中に含まれる界面活性剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定され、防食剤の濃度が約１重量パーセント未満に設定される。また、その溶液は、溶媒及び共溶媒を含むこともできる。別の実施形態では、その溶液が、界面活性剤及び防食剤を含まず、溶媒及び共溶媒を含む。一実施形態では、ＣＭＰ処理及びＣＭＰ洗浄後処理を、約１μｍ未満の波長を持つ光の存在下で実施できる。
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半導体の処理に使用する化学−機械的研磨剤組成物は非球形の形状をもった研磨剤粒子を使用する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ研磨後におけるウエハ表面の平坦度を高めることができる研磨ヘッドおよびこれを用いた研磨装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハＷを真空吸着して研磨布５６上に圧接するチャックプレート５を備えた研磨ヘッドであって、チャックプレート５は、熱膨張係数αがα≦４．５×１０^-6／Ｋ，熱伝導率βがβ≧１７０Ｗ／ｍ・Ｋである炭化珪素からなるセラミックスプレートによって形成されている構成とされる。 （もっと読む）

【課題】 摩擦特性が良く耐久性に優れ、半導体ウェハの被削面に欠陥やスクラッチが生じない低コストのＣＭＰ用研磨パッドを提供すること。
【解決手段】 基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、上記研磨層が、規則的に複数配置された所定形状の立体要素で構成された立体構造を有し、上記研磨層が、構成成分としてＣＶＤ法により製造されたアドバンストアルミナ砥粒と結合剤とを含む研磨コンポジットで成る、ＣＭＰ用研磨パッド。 （もっと読む）