【課題】 半導体基板上に設けられた膜の表面を、研磨パッドによって化学機械的に研磨するプロセス（ＣＭＰプロセス）における研磨速度のバラツキを低減し、プロセス制御が容易な半導体基板の研磨方法を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰプロセス時に、研磨パッド洗浄プロセスを追加し、洗浄された研磨パッドを用いて研磨を実施する。研磨パッド洗浄プロセスは、半導体基板の研磨前に実施する。研磨パッド洗浄プロセスにおいて、有機酸濃度が０．５〜１０．０質量％のパッド洗浄液を用いる。 （もっと読む）

【課題】 厚み２０〜８０μｍと極薄肉の半導体基板の研磨加工時に、半導体基板がキャリア部の保持リング内壁から研磨装置外への飛び出しの無い基板キャリアヘッドの提供。
【解決手段】 ゴムチャック１９形式の基板キャリア部４を球面軸受け３で支持し、前記基板キャリア部４を環状ベローズ１１０で吊るしてこの環状ベローズ１１０の内壁と基板キャリア部４上部の凹状空間部とで基板キャリア部４背面を加圧する加圧室１８を形成させた基板キャリアヘッド構造１。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の濡れ性を向上させ、パーティクルの付着等の微小な欠陥を著しく低減させることができる半導体用濡れ剤および研磨用組成物を提供する。
【解決手段】低粘度の水溶性高分子化合物と水を含む半導体用濡れ剤、コロイダルシリカ、およびアルカリ化合物から校正される研磨用組成物せあって、この水溶性高分子化合物の０．３重量％水溶液の２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満である。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン系絶縁膜等の被研磨膜のＣＭＰにおいて、研磨傷を抑制しつつ被研磨膜を高平坦に研磨できる研磨剤、この研磨剤を得るための濃縮１液式及び２液式研磨剤、ならびにこの研磨剤を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】４価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、酸成分と、水と、を含有する研磨剤であって、該研磨剤をシリコン基板１上に形成された酸化シリコン膜（被研磨膜）２と研磨パッドとの間に供給して酸化シリコン膜２を研磨する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのパッドの提供。
【解決手段】半導体および他の平面基板を必要に応じて研磨材粒子を含むスラリーの存在下で研磨するための改善された研磨用パッドが開示される。この研磨用パッドは、不織繊維成分を含み、この不織繊維成分の一部は必要に応じて二成分系繊維を含み、必要に応じてポリマーマトリクス成分中に包埋される。本発明はまた、上で開示された研磨用パッドを製造する方法に関する。特に、この方法は、少なくとも一部またはその全体が二成分系繊維を含み得るニードルパンチ不織テキスタイルと、ポリマー結合材とを所望のレベルまで合せる工程、および熱および圧力の下で薄いシートを形成し、次いで表面仕上げを行う工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】高い研磨速度で銅を研磨するために有効な、化学的機械的平滑化のための新規な水性酸化モリブデン研磨スラリーを提供する。
【解決手段】半導体基板上の銅層の化学的機械的平滑化のための水性研磨スラリーは、脱イオン水と酸化剤の溶液中に目視で溶解している10000nm以下の平均粒子径を有するMoO₃の粒子と酸化剤とを含み、MoO₃の該粒子は0.1重量%〜10重量%の量で存在する。また、酸化剤、錯形成剤、界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるタングステンプラグ又はタングステン配線を形成するプロセス、特に同プロセスにおけるバフ工程において好適に使用することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物には、砥粒、鉄イオン源、及び鉄イオンをキレートする酸（好ましくはクエン酸又は１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）が配合されている一方、過酸化水素は含まれていない。研磨用組成物に配合される鉄イオン源の量は、鉄イオン濃度に換算して１０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１０１と、圧力流体が供給される圧力室５，６，７を形成する弾性膜であるメンブレン４と、メンブレン４を保持するトップリング本体２とを有し、圧力室５，６，７に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング１と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン４の特性を入力することによりメンブレン４の特性に合わせて研磨条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】平坦化性能に優れ、シャロー・トレンチ分離領域を形成する工程において、ストッパ膜と絶縁膜との間の段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリーを提供すること。
【解決手段】３個以上８個以下の酸性基を有し、最も離れた酸性基の間にある原子数が４〜１２であるキレート剤（ａ）、オリゴ糖および／またはその誘導体（ｂ）、酸化セリウム砥粒（ｃ）並びに水（ｄ）を含有し、前記キレート剤（ａ）の含有量が、スラリー全量中、０．０２〜２．０質量％であり、前記オリゴ糖および／またはその誘導体（ｂ）の含有量が、スラリー全量中、０．０２〜２．０質量％である、化学的機械的研磨用スラリー。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の表面を研磨することにより表面を精度よく凹面または凸面として形成するための被研磨物の被研磨物の研磨方法、及び研磨パッドを提供する。
【解決手段】表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、中心側または外側のいずれか一方の領域が溝が形成された第一研磨領域１１、他方の領域が第一研磨領域１１と異なる溝状態とされた第二研磨領域１２である研磨パッド１０に、第一研磨領域１１と第二研磨領域１２との境界をまたいだ状態で被研磨物２０を配し、研磨パッド１０及び被研磨物２０を回転させて被研磨物２０を研磨する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、半導体ウェーハの研磨において、ウェーハ表面の５０ｎｍ以下の大きさのＬＰＤを効果的に低減可能な研磨液組成物の提供を課題とする。
【解決手段】 水、シリカ粒子、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及びポリエチレングリコールを含み、下記（ａ）〜（ｃ）の条件を満たす半導体ウェーハ用研磨液組成物。
（ａ）：前記シリカ粒子の形状係数ＳＦ１が１．００〜１．２０であること
（ｂ）：前記シリカ粒子の窒素吸着法により求められる平均一次粒子径が５〜１００ｎｍであって、且つ透過型電子顕微鏡写真の画像解析から求められる粒子径変動係数ＣＶ値が０〜１５％であること
（ｃ）：前記ポリエチレングリコールは、数平均分子量が２００〜１５０００であること （もっと読む）

【課題】本発明は砥材（abrasive)、ハロゲン化物塩、及び水を含む化学−機械研磨組成物を提供すること。本発明は基材を化学−機械研磨組成物及び研磨パッドで化学−機械研磨する方法をさらに提供すること。
【解決手段】化学−機械研磨組成物であって：
（ａ）アルミナ、セリア、ジルコニア、及びそれらの組合せからなる群から選択した０．０１質量％〜１質量％の砥材
（ｂ）Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、及びＩ⁻からなる群から選択したアニオンを含む０．０５ｍＭ〜３０ｍＭのハロゲン化物塩、並びに
（ｃ）水、を含んでなり、
ここで９未満のｐＨを有する研磨組成物。 （もっと読む）

【課題】加工工程おける被加工製品の生産効率を向上させる。
【解決手段】加工装置制御システム１００は、研磨パッド、ドレッサなどの消耗部品の状態を表す物理量（累積使用時間など）から半導体ウェハＣＭＰ装置などの加工装置２００の装置性能（研磨レートなど）を予測する予測モデル、および、その予測モデルのパラメータを予測するメタ予測モデルを有する。モデル作成シミュレータ部１１０は、加工履歴データ記憶部１４０に蓄積されている加工履歴データと予め定めた所定の統計分布に従う乱数とを用いて、シミュレーションにより、そのメタ予測モデルのパラメータを定めるとともに、装置性能の予測モデルのパラメータを定め、そのパラメータを制御演算部１３０へ送信する。制御演算部１３０は、受信したパラメータによって定められる装置性能の予測モデルと前記消耗部品の状態を表す物理量の現在値とを用いて、加工装置２００に対する制御量を演算する。 （もっと読む）

【課題】長期間安定した研磨加工を行うことができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０では、湿式成膜法により複数の発泡３と多数の微細孔６とが連続状に形成された発泡構造を有するポリウレタン樹脂製の発泡シート２を備えている。多数の微細孔６の大きさは、発泡３の大きさより小さく形成されている。発泡シート２に形成された発泡構造において、多数の微細孔６内に耐性樹脂５が、微細孔６の容積に対する耐性樹脂５の体積の割合が３０％以上となるように存在している。耐性樹脂５は、樹脂エマルションを発泡シート２に含浸させることで形成されたものである。耐性樹脂５により発泡シート２の発泡構造が補強され、微細孔６の表面が保護される。 （もっと読む）

【課題】高速においてタングステンを洗浄し、また同時に不必要なタングステンプラグのくぼみを形成しないような新しい化学機械的ポリシング組成物の提供。
【解決手段】本発明は、タングステンを蝕刻できる成分及び少なくとも一つのタングステンの蝕刻抑制剤を含む化学機械的ポリシング組成物並びにスラリーに関する。また、本発明はこの組成物及びスラリーを使用してタングステンを含む基板を洗浄する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−ＮＣＯ部分に対する化学量論比が９５％未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、１kPaの一定軸引張荷重で６０℃一定温度で１００分で測定したときに０．０２％以下の時間依存性歪みを示し、厚み１．３mmの窓について波長３８０nmにおいて、１５％以上の光学複光路透過率（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 （もっと読む）

【課題】研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、研磨傷を低減することのできる研磨剤及びこの研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】余分の酸化珪素膜を除くためのＣＭＰ研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が０．１重量％以上１０．０重量％以下であるＣＭＰ研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、基板上の層間絶縁膜に形成される配線パターン溝にバリアメタル膜およびＣｕ膜が形成された状態で、ケミカルメカニカルポリッシングによって配線パターン溝以外に堆積したＣｕを除去する工程と、配線パターン溝以外に堆積したバリアメタルをケミカルメカニカルポリッシングによって除去する工程と、前記バリアメタルを除去する工程後、除電する工程と、基板上に残るスラリーおよび残渣物を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】深い溝に埋め込まれる被加工層の表面に対する平坦化工程のプロセス管理を高い精度で行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング材１０の主面を選択的にエッチングして第１の溝ＳＴとこの第１の溝ＳＴよりも深い第２の溝ＤＴとを形成する工程と、第１の溝ＳＴ及び第２の溝ＤＴにそれぞれ被加工材料を堆積させて被加工層を成膜する工程と、この被加工層の表面を平坦化する平坦化工程と、平坦化工程の後または途中で第１の溝ＳＴにおける被加工層１４Ｓの厚みを測定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの粗研磨に用いられる研磨組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）平均粒径が５〜１５０ｎｍである研磨粒子と、（Ｂ）ｐＫａ値が９〜１０であり、且つ含有量が前記研磨粒子に対して７〜２８ｗｔ％であるｐＨ安定剤と、（Ｃ）研磨促進剤と、（Ｄ）水とを含む、ウェハの粗研磨に用いられる研磨組成物を提供する。本発明に係る研磨組成物は、研磨粒子と研磨プロセスにおける副生成物のゲル化を効果的に低減し、研磨速度を向上すると同時に研磨品質の安定性を維持し、研磨パッドの性能及び寿命を向上することができる。 （もっと読む）