【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを下げることなく、研磨液の使用量を削減できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの表面に研磨液を供給しながら、研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法において、研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係、及び研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係を予め求めておき、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨レートの方が研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨レートよりも高くなるように、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら、高い研磨レートが得られるように、研磨パッドの表面に研磨液を継続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体は、Ｍ成分のスピン−スピン緩和時間Ｔ２が１６０〜２６０μｓであり、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の４０℃、初期荷重１０ｇ、歪範囲０．０１〜４％、測定周波数０．２Ｈｚ、引っ張りモードにおける貯蔵弾性率Ｅ’が１〜３０ＭＰａであり、且つ、
前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の縦弾性係数Ｅが４５０〜３００００ｋＰａの範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂発泡体を有する研磨層を含有する研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の下記式（１）で求められるハードセグメントの含有率（ＨＳＣ）が２６〜３４％の範囲内であり、且つ、前記ポリウレタンポリウレア樹脂発泡体の密度Ｄが０．３０〜０．６０ｇ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする、半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
ＨＳＣ＝１００×（ｒ−１）×（Ｍｄｉ＋Ｍｄａ）÷（Ｍｇ＋ｒ×Ｍｄｉ＋（ｒ−１）×Ｍｄａ） ・・・（１） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブル（１１）に支持され回転している研磨布（１２）に半導体基板（１４）上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォーム（１５）を供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の０．０１〜２０質量％の研磨粒子および総量の０．１〜１０質量％の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
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【課題】被研磨物の平坦度を高めてその品質の向上を図ることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１の研磨面１ａに、バフ加工等の機械的加工を施して、平坦性を改善し、前記研磨面のうねりが、周期５ｍｍ〜２００ｍｍであって、最大振幅４０μｍ以下とし、これによって、当該研磨パッド１を用いて研磨されるシリコンウェハ等の被研磨物の平坦度を向上させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造において、金属を研磨する工程で用いられ、酸化剤を添加した後の、研磨用組成物のｐＨ変化の安定化ができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、水溶液中において酸化剤との共存下でｐＨを低下させる物質と、ｐＨ緩衝剤を含有する研磨用組成物であって、研磨用組成物１００ｇに対して、３１重量％の過酸化水素水を５．１６ｇ添加した場合の８日後のｐＨ変化の絶対値が０．５以下であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】絡合不織布と高分子弾性体とを含む耐摩耗性及び研磨レートを向上させた研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、極細繊維の絡合不織布と、絡合不織布の内部に含浸された、高分子弾性体と無機粒子との複合体とを含み、複合体が無機粒子を１〜５０質量％含むことを特徴とする。無機粒子としては、平均粒子径５０〜４５０ｎｍの無機酸化物粒子が好ましい。無機粒子としては、シリカ粒子が好ましい。高分子弾性体としては、無孔質ポリウレタン樹脂が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主平面を、酸化セリウム砥粒を使用することなくかつ高い研磨速度で研磨して、加工の際に生じたキズやクラック等を除去し、平滑な主平面を有する磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研削工程と、主平面研磨工程とを備える。そして、主平面研削工程は、平均粒径０．０１μｍ〜１５μｍのダイヤモンド砥粒を有する固定砥粒工具を用いて研削する固定砥粒研削工程を有し、主平面研磨工程は、シリカ粒子、ジルコニア粒子等の酸化セリウム粒子以外の平均粒径５ｎｍ〜３０００ｎｍの砥粒を含む研磨液と、研磨パッドを用いて研磨する第１の研磨工程と、その後平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを用いて研磨する第２の研磨工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア単結晶基板などのＡｌを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる研摩処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウムを含有する基材を研摩する研摩スラリーにおいて、砥粒と、２０℃での水に対する溶解度が０．１ｇ／１００ｇ−Ｈ_２Ｏ以上である無機ホウ素化合物と、水を含有することを特徴とする研摩スラリーに関する。本発明における無機ホウ素化合物の含有量は、研摩スラリーに対して、ホウ素原子に換算して０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０〜１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０〜６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。 （もっと読む）

【課題】配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物。
【解決手段】水、アゾールインヒビター、アルカリ金属有機界面活性剤、ハイドロトロープ、リン含有剤、水溶性セルロース、場合によっては、非糖類水溶性ポリマー、又は、式Ｉ（式中、Ｒは水素等、ｘは１又は２）の水溶性酸化合物、又は、錯化剤、又は、酸化剤、又は、有機溶媒、又は、砥粒を含むケミカルメカニカル研磨組成物が提供される。研磨パッド上にケミカルメカニカル研磨組成物を注入することを含み、ケミカルメカニカル研磨組成物が、リン酸等の添加により２〜６に調節されたｐＨを示す方法が提供される。
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【課題】シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）研磨用の研磨組成物およびそれを用いたＴＳＶウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子、および溶媒を含んでいる。この研磨組成物を用いることによって、シリコンと導電材料を同時に研磨することができ、ＴＳＶウエハの研磨に必要な作業時間費用を有意に節約することができる。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。
【解決手段】フロントエンドモジュール（１２４）は、保管装置（１２６）を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール（１２４）は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール（１２２）は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール（１２２）へ供給するように、フロントエンドモジュール（１２４）と連結される。処理モジュール（１２２）は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。 （もっと読む）