【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、親水性基を有する水溶性重合体、及び砥粒を含有する。研磨用組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角は、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角と比較して小さく、好ましくは５７度以下である。このような水溶性重合体の例としては、多糖類又はアルコール化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が−５５ｍｖより小さく−１００ｍｖ以上であることを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シラノール基を有する砥粒、及び水溶性重合体を含有する。研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときには、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の水溶性重合体の分子が吸着する。このような水溶性重合体の例としては、ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキレンジグリセルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】耐磨耗性及び耐久性に優れるとともに、研磨中にウエハを傷つけることがなく、かつ、環境負荷が小さい研磨装置用ワークピース保持リングを提供すること。
【解決手段】ポリグリコール酸樹脂から形成された研磨装置用ワークピース保持リングＲであって、ロックウェル硬度が１００以上であることを特徴とする研磨装置用ワークピース保持リング。 （もっと読む）

【課題】高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を用いる。窒素化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥（ＣＯＰ）数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が０．０１以上０．３質量％未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が０．１以上１．２質量％以下であり、前記シリカの一次粒子径が１８ｎｍ以上である研磨剤を用いて、前記ＣＯＰが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨するとともにバリア膜の研磨速度を抑制することが可能であり、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨においても、良好な仕上がりと充分な生産性を確保できる銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）二価以上の無機酸と、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）保護膜形成剤と、（Ｄ）砥粒と、（Ｅ）酸化剤と、（Ｆ）水とを含み、（Ａ）成分の含有量が０．０８ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｂ）成分の含有量が０．２０ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｃ）成分の含有量が０．０２ｍｏｌ／ｋｇ以上、（Ｄ）成分の平均粒径が１００ｎｍ以上であり、下記（ｉ）及び（ｉｉ）の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。
（ｉ）（Ｃ）成分の含有量に対する（Ａ）成分の含有量の比率が２．００以上である。
（ｉｉ）（Ｇ）有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とエッチング剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも１種である。エッチング剤は、酸からなる。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】ワックスレス方式の研磨ヘッドにおいて、バッキングフィルムのライフ初期の外周部の反り上がりを抑制し、ワークの研磨前の形状に依らずにワークを高平坦に研磨可能な研磨ヘッド、研磨装置、及びワークの研磨方法を提供する。
【解決手段】ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨する際に前記ワークを保持するための研磨ヘッドであって、少なくとも、前記ワークの裏面を保持するための、セラミックからなり、かつ、可撓性を有するワーク保持盤と、該ワーク保持盤の前記ワークを保持する側と反対の面上に形成された密閉空間と、該密閉空間内の圧力を制御する圧力制御手段とを有し、前記圧力制御手段で前記密閉空間内の圧力を制御することによって、前記可撓性を有するワーク保持盤の形状を中凸形状又は中凹形状に調整できるものであることを特徴とする研磨ヘッド。 （もっと読む）

【課題】高性能配線板等の厚い銅膜の研磨で必要な研磨速度を維持しながら、バリア層の研磨速度の充分な抑制を可能とする金属用研磨液及び当該金属用研磨液を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属用研磨液は、有機酸、無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤及び水を含み、有機酸は、カルボキシル基を２つ有しかつｐＫａが２．７以下である有機酸、及びカルボキシル基を３つ以上有する有機酸の少なくとも一方であり、砥粒は、表面がスルホン酸基又はフェニル基で化学修飾されている。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて研磨面を形成する際に、非磁性部の研磨ムラを防止すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、上記非磁性材料に対する接触角が１０°以下である。好ましくは、研磨液は、界面活性剤を０．０１〜２０質量％含有することがよい。 （もっと読む）

【課題】研磨処理が完了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板１０上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供する。
【解決手段】この研磨装置は、下記のようなスラリー配管３００と、純水供給部３２０と、を備えている。スラリー配管３００は、鉛直下向きに延伸した出口部３０２と、出口部３０２から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第１屈曲部３０４と、第１屈曲部３０４から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第２屈曲部３０６と、を備えている。また、純水供給部３２０は、スラリー配管３００の外部から、出口部３０２に向けて純水を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の被研磨面の中央部における研磨速度の低下を抑え、基板の被研磨面を全面にわたって均一に平坦化することができる研磨パッドのコンディショニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された薄膜に摺接して薄膜を研磨する研磨テーブル１上の研磨パッド２をドレッサ２２を用いてコンディショニングするコンディショニング方法であって、研磨パッド２の中心部と外周部との間を移動して研磨パッド２をドレッシングするドレッサ２２の移動速度を研磨パッド２の所定の領域Ａ２で標準移動レシピにおける所定の領域Ａ２の速度より大きくして研磨パッド２のコンディショニングを行い、研磨パッド２の所定の領域Ａ２に摺接して研磨される基板Ｗ上の薄膜の研磨速度を高めるようにした。 （もっと読む）