【課題】本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム（１２０）を提供し、ウエハの研磨及び／又は研削を含む。
【解決手段】フロントエンドモジュール（１２４）は、保管装置（１２６）を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール（１２４）は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール（１２２）は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール（１２２）へ供給するように、フロントエンドモジュール（１２４）と連結される。処理モジュール（１２２）は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。 （もっと読む）

【課題】低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集・沈降を大幅に抑制することができ、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応できるＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】希釈液又は添加液と混合することでＣＭＰ研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が６である有機溶媒を、スラリ全質量１００質量部に対して１０質量部以上含有し、シラノール基密度が５個／ｎｍ^２以下のシリカ粒子をスラリ全質量１００質量部に対して８質量部以上含有してなる、スラリ。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するＣＭＰ技術において、被研磨膜の酸化珪素と窒化珪素の研磨速度比を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び／又はその塩と、水とを含有する研磨液。被研磨膜が形成された基板の被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧した状態で、酸化セリウム粒子と、ヒドロキシ酸化合物及び／又はその塩と、水とを含有する研磨液を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰにおけるドレッシング時の耐久性を向上させると共に、研磨欠陥（スクラッチ）の発生を低減できる化学機械研磨パッドを提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は、化学機械研磨パッドの研磨層を形成するための組成物であって、（Ａ）ポリイソシアネートと、（Ｂ）ポリオールと、（Ｃ）フィラーと、を含有し、前記（Ｃ）フィラーが−ＮＨ_２、−ＮＨ−、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−ＮＨＣＯＮＨ_２、−ＣＯＯＨおよび−ＳＨからなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層のエッチング速度が効果的に抑制される研磨液の提供。該研磨液を用いた基板の研磨方法の提供。
【解決手段】コバルト元素を含む層を研磨するための研磨液であり、前記研磨液は、金属防食剤、金属酸化剤及び水を含有し、ｐＨが４以下であり、前記金属防食剤は、３−ニトロフタル酸、ヘキサメチレンテトラミン、３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−オキソ−１，２，４−トリアジン、３Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン−３−オール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、３−ヒドロキシピリジン、及びベンズイミダゾールから選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。
【解決手段】本発明では、導体の酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水とを含み、ｐＨが３以下であり、酸化剤の濃度が０．０１〜３重量％である化学機械研磨用研磨剤が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び絶縁層を優れた研磨速度で研磨することが可能な半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体基板用研磨液は、セリア粒子及びシリカ粒子を含む砥粒と、第１酸解離定数が７以下である化合物と、塩基性化合物と、を含有する。本発明の一実施形態に係る半導体基板の研磨方法は、表面１ａのみに開口した中空部３ａが形成された基板本体１と、中空部３ａ内に配置された、ＴＳＶ（貫通電極）７ａとなるべき導電部材７と、中空部３ａ内において基板本体１及び導電部材７の間に配置された絶縁層５と、を備える半導体基板４００の基板本体１及び絶縁層５を、前記半導体基板用研磨液を用いて裏面１ｂ側から研磨して導電部材７を裏面１ｂ側に露出させ、ＴＳＶ７ａを有する貫通電極構造を形成する研磨工程を備える。 （もっと読む）

【課題】圧力損失の増大や、膜の閉塞による回収率の大幅な低下を抑制しながら、研磨剤が高濃度に濃縮されたスラリーを回収可能な研磨剤の回収装置および研磨剤の回収方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ工程で使用された使用済み研磨スラリーから研磨剤を回収する装置であって、前記使用済み研磨スラリーが導入される孔道が円筒状で、かつ有効濾過部の長さが０．８ｍ以下である分離膜４１を有しており、前記使用済み研磨スラリーの研磨剤濃度を、１０質量％以上の濃度に濃縮する研磨剤の回収装置１。 （もっと読む）

【課題】ニッケルリンメッキディスク基板の研磨をより好適に行うことが可能な研磨用組成物及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨方法は、ジエチレントリアミン五酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸及びグルタミン酸二酢酸並びにそれらのアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選ばれるパッド劣化抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨用組成物をスエードタイプの研磨パッドと併せて使用して研磨対象物を研磨する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高平坦性の確保と研磨傷の低減を両立可能なＣＭＰ技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ装置は、水溶性粒子を含んだ研磨パッド１２の表面部にスラリーを供給する供給部１５と、被研磨物１４を保持した状態で被研磨物１４を研磨パッド１２の表面部に接触させる保持部１３と、研磨パッド１２の表面部に配置され、研磨パッド１２の表面部の温度を設定する温度設定部１７と、供給部１５、保持部１３及び温度設定部１７の動作を制御する制御部１８とを備える。制御部１８は、研磨パッド１２の表面部の温度を第１の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第１の研磨工程を実行した後に、研磨パッド１２の表面部の温度を第２の温度範囲内に設定した状態で被研磨物１４を研磨する第２の研磨工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部１１と、該磁性部１１に形成された複数の凹部１２０を覆うように埋め込まれた非磁性材料１２５とからなる複合体１５を、磁性部１１と凹部１２０内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部１２とが露出して平坦な研磨面１６を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水とエッチング剤とを含有する。研磨液は、エッチング剤として、アルカノールアミンと、温度２５℃、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌの水溶液のｐＨが１１以上であるアルカリ性化合物（但し、アルカノールアミンを除く）からなるエッチング剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】表面を十分に平坦化することが可能な金属箔の平坦化方法を提供する。
【解決手段】金属箔１１の表面側の一部を硬化させて硬化層１４を形成する工程と、切削作用を有する研磨器具を使用して研磨することにより、硬化層１４の上部を除去する工程と、残存する硬化層１４を研磨により除去して、表面を平坦化する工程とを含んで、金属箔１１の平坦化を行う。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、ｐＨ調整剤と、砥粒と、下記一般式（１）で表される非イオン性界面活性剤とを含む。ｐＨ調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも１つを更に含んでいてもよい。
【化１】
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【課題】実施形態によれば、研磨パッド外縁部でのスラリー廃液の滞留を防ぐ研磨パッド、研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、研磨パッドは、研磨時に研磨対象物が接触する領域を含む研磨面と、前記研磨面よりも外周側の外縁部の上面である非研磨面とを備えている。前記非研磨面の純水接触角は、前記研磨面の純水接触角よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数７〜１３のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、２〜４又は８〜１２のｐＨ値を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを削減できる研磨パッド及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド４０は、第１のパッド部４０ａと、その周囲に配置される第２のパッド部４０ｂとを有し、第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂはそれぞれ個別に交換することができる。ＣＭＰ装置に研磨パッド４０（第１のパッド部４０ａ及び第２のパッド部４０ｂ）を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第２のパッド部４０ｂを交換用の第２のパッド部４０ｃに交換する。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク１３、下部加工ディスク２６、転動装置を含み、対称軸２８を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層２９を下部加工ディスク２６の表面上に、上部介在層１６を上部加工ディスク１３の表面上に取り付けるステップと、３つのトリミング装置によって両方の介在層１６、２９を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む１つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層１６、２９から材料除去をもたらし、下部加工層３２と上部加工層３９を下部介在層２９と上部介在層１６に取り付けるステップを備える。 （もっと読む）

【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。 （もっと読む）