【課題】芯体織布へのゴムまたは樹脂の含浸工程や、ゴムの場合における加硫工程等を必要とせず、製造が簡易なチップ割りベルトを提供する。
【解決手段】チップボードを分割するためのチップ分割装置に用いられるチップ割りベルトであって、押し出し成形または射出成形等で成形した熱可塑性樹脂シート、特に熱可塑性エラストマーのシートの両端を突き合わせた状態で融着して無端状に形成される。このベルトの硬度（ＪＩＳ-Ａ）は８０以上である。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを用いた割断方法にて、十分にレーザ移動速度を維持しながら、安定した割断工程を実現することができる。
【解決手段】本発明の割断方法は、脆性材料からなる基板にレーザを照射して前記基板を割断する割断方法において、基板上にレーザを照射して基板を加熱する工程と、照射した領域を冷却する工程と、照射する領域と冷却する領域とを直線的に走査する工程と、照射および冷却した領域の一部に力を加圧する工程とを有し、照射する時間と、冷却する時間との差Ｔ（ｓ）が、レーザ出力Ｐ（Ｗ）、レーザビーム移動速度ｖ（ｍｍ／ｓ）、レーザビーム照射面積Ｓ（ｍｍ²）、基板厚ｔ（ｍｍ）、係数ｋ、係数ｈを用いて、Ｔ＝ｖＳ（０．１ｔ−ｈ）／ｋＰで表せることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小寸法で薄いガラス板でも簡単に、かつ、確実に折割でき、切断から研削仕上げまでスピーディーに、自動的に加工ガラス板が生産できるガラス板の加工装置を提供すること。
【解決手段】ガラス板の加工装置は、搬入されたガラス板に切線を入れる切断部と、切線い沿って折割する折割部と折割されガラス板のエッジを研磨する研磨部と、これら切断部、折割部及び研磨部の上方において往復運動を行い、かつこれら切断部、折割部及び研磨部のそれぞれに対して、ガラス板を吸着又は開放を行い且つ昇降する吸着パットを備え、ガラス板をこれら切断部、折割部、研磨部へと順次に移し替えながら移送するガラス板搬送装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板を分断する際の処理時間の増加を抑制しつつ、貼り合わせ基板の端部が起点となる共割れ現象を防止する。
【解決手段】当該基板ブレイク方法は、基板ブレイク装置（３００）において、一対のマザー基板（２０１、２０２）を、素子形成領域（２１０）に配列された複数の素子（１００）毎に分断する基板ブレイク方法である。該基板ブレイク方法は、一対のマザー基板を、ブレイクバー（３３０）によって押圧することにより、複数の素子毎に分断するブレイク工程を備える。該ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、素子形成領域の周辺に位置する周辺領域（２２０）が押圧される力より大きい。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】薄肉で剛性の低いセラミックスでも欠けが生じることなく分割して、高品質のセラミックス基板を製造する。
【解決手段】セラミックス平板１１の表面に分割溝１２が形成されるとともに該分割溝１２の形成部位の両側方位置にそれぞれ金属層５が設けられてなる基板素材１３を作成しておき、該基板素材１３のセラミックス平板１１を湾曲させることにより、分割溝１２からセラミックス平板１１を分割して複数のセラミックス基板を製造する方法であって、分割溝１２の形成部位の両側方位置で両金属層５の側縁部を押圧することによりセラミックス平板１１を湾曲させる。 （もっと読む）

【課題】脆性材料基板に対する透過率の高いレーザビームを用いて、脆性材料基板を割断する方法において、トリガークラックから予測できない方向にクラックが生じる先走り現象を抑え、スクライブラインが予定ラインに沿って形成されるようにする。
【解決手段】脆性材料基板１の側端よりも内側の、レーザビーム４の移動予定ライン３の端部に、移動予定ライン３の方向の第１切り目２１と、この第１切り目２１と交差する第２切り目２２とから構成されるトリガークラック２を形成する。ここで、先走り現象を一層効果的に抑える観点からは、第２切り目２２が第１切り目２１に対して垂直であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】脆性材料の分断に際して、脆性材料分断面の品質を向上し歩留まりを向上させる。
【解決手段】このガラスプライヤ１は、第１レバー２と、第２レバー３と、を備えている。第１レバー２は先端部にガラス押圧体１５を有するとともに後端部にグリップ部５を有する。第２レバー３は、第１レバー２に回動自在に支持され、先端部にガラス受け部２５を有するとともに後端部にグリップ１０部を有する。そして、ガラス受け部２５は、分断溝と交差する左右方向に所定の長さで延びガラス板より低剛性の弾性変形可能な弾性プレート２６と、弾性プレート２６の左右方向両端部を第２レバー３に対して支持する弾性プレート支持部２７と、を有している。ガラス押圧体１５はガラス板に対して分断溝の溝幅よりも広い分布荷重を作用させるための押圧プレート１６ａを有している。 （もっと読む）

【課題】高度な剥離性を維持し、かつ、切削性、汚染性、バンプ追従性および保存安定性を兼備した保護フィルムを使用する脆性材料の切断方法を提供すること。
【解決手段】熱収縮性基材フィルムの片面に放射線硬化型の粘着層が形成されてなる保護フィルムであって下記特性（１）〜（６）を同時に満足する該保護フィルムを、脆性材料のいずれかの片面に、また、その反対面にダイシング用シートを貼り付けて得られた積層体の保護フィルム側よりダイシング加工をして、積層体をチップ状に切断した後に、該切断処理をした積層体の保護フィルム面に放射線を照射させ、保護フィルムの粘着層の硬化処理を行なった後に、該硬化処理した積層体を８０〜２００℃に加熱をして保護フィルムを収縮させて剥離させることを特徴とする脆性材料の切断方法。
熱収縮性基材フィルムの片面に放射線硬化型の粘着層が形成されてなる保護フィルムにおいて、熱収縮性基材フィルムの厚み、６０℃および９０℃における加熱収縮率、粘着層の厚み、粘着層の初期および紫外線照射処理後の粘着力をそれぞれ特定範囲で、かつこれらの特性を同時に満足する保護フィルムを、脆性材料のいずれかの片面に、また、その反対面にダイシング用シートを貼り付けて得られた積層体の保護フィルム側よりダイシング加工をして、積層体をチップ状に切断した後に、該切断処理をした積層体の保護フィルム面に放射線を照射させ、保護フィルムの粘着層の硬化処理を行なった後に、該硬化処理した積層体を加熱をして保護フィルムを収縮させて剥離させる脆性材料の切断方法 （もっと読む）

【課題】異常破壊も切れ残り現象によるトゲも発生しにくいスクライブ方法を提供する。
【解決手段】脆性材料基板１０の表面に、切り出す製品の輪郭を構成する閉曲線からなる輪郭用スクライブラインを形成するとともに、前記輪郭用スクライブラインの外側に分断を補助する補助スクライブラインを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、補助スクライブライン１２ａ〜１２ｄ、１３ａ〜１３ｄは、輪郭用スクライブライン１１ａ〜１１ｃの接線方向に向けられ、さらに、補助スクライブラインと輪郭用スクライブラインとの間には２ｍｍ以下の距離の非スクライブ領域を残すように形成する。 （もっと読む）

【課題】異常破壊も切れ残り現象による外トゲも発生しにくいスクライブ方法を提供する。
【解決手段】脆性材料基板に切り出す製品Ｒの輪郭を構成する輪郭用スクライブライン１２を形成するとともに、輪郭用スクライブライン１２の外側に分断を補助する補助スクライブライン１１ａ〜１１ｄを形成する脆性材料基板のスクライブ方法であって、補助スクライブライン１１ａ〜１１ｄを輪郭用スクライブライン１２よりも先に形成し、かつ、輪郭用スクライブライン１２を形成する側の基板面Ａとは反対側の基板面Ｂに補助スクライブライン１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーソ−を用いて、砥粒を含有する切削液を供給しながら、結晶性インゴットを複数枚の半導体ウェーハにスライスする場合に、スライス条件を適正化することにより、半導体ウェーハの歩留を向上させ、スライス後の半導体ウェーハの反り量を低減して、反り量の少ない半導体ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】所定間隔をおいて配置したローラー間に、ワイヤーを巻回させて複数本のワイヤー列を形成し、結晶性インゴットに押し当てた状態で、前記ワイヤー列を移動させて、砥粒を含有する切削液を供給しながら、０．０５〜１．０ｍｍｍｉｎ．のスライス速度で結晶性インゴットを複数枚の半導体ウェーハにスライスし、歩留よく、反り量の少ない半導体ウェーハを得る。 （もっと読む）

【課題】インゴットを薄く研削する際に、研削代を非常に小さくできようにするとともに、研削途中にインゴットに欠けを生じさせることなく、一度に多数枚の切り出しを行えるようにしたインゴット研削装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンインゴット８１から薄板状のシリコンウエハ８２を研削するインゴット研削装置１において、研削方向に沿って単一の硬度を有するように形成されたバンドソー２と、このバンドソー２を複数枚平行な状態で保持する保持体３と、この保持体３を用いて前記バンドソー２をシリコンインゴット８１に対して往復運動させる駆動機構４と、当該駆動機構４によってバンドソー２を移動させている際に、砥粒７１を含有させたスラリー７２をシリコンインゴット８１の研削部分に供給する供給機構６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによる半導体インゴット等のワークの切断において、ワイヤ断線等によってワークの切断が途中で中断された場合でも、加工後のナノトポグラフィーの悪化を抑制して、製品ウェーハに品質的な問題が発生することなく、切断を再開して完了させることができるワイヤソーの運転再開方法及びそのワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】ワークの切断中に溝付きローラの軸方向の変位量、及びワークの温度を測定して記録しつつワークを切断し、ワークの切断を中断した後、ワークの切断を再開する前に、溝付きローラとワークに、それぞれ独立に温度制御した温度調整媒体を供給することによって、溝付きローラの軸方向の変位量とワークの温度を、ワークの切断を中断した時に記録した変位量と温度とそれぞれ同じになるように調整した後、切断を再開することを特徴とするワイヤソーの運転再開方法。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡を使用せず、作業効率を向上させ、かつ、高精度で切断面に結晶方位面を得ることができる単結晶材料の面方位合わせ装置および単結晶材料のスライス方法を提供する。
【解決手段】面方位合せ装置（１２）の回転部（１２ａ）は、回転変位量が調整可能かつ固定可能に、固定部（１２ｂ）に対して回転可能であり、かつ、ワイヤソー（４）の走行方向と同じ方向に直線状の往復移動が可能である。単結晶材料（１０）の保持テーブル（１１）に設けられた回転部（１１ａ）は、単結晶材料（１０）を固定可能であり、固定部（１１ｂ）に対し、回転変位量が調整可能かつ固定可能に取り付けられる。モニタ装置（５）は、画面を２分割して使用し、第１カメラ（６ａ）が撮影する視野を第１画面に映し出し、かつ、第２カメラ（６ｂ）が撮影する視野を第２画面に映し出す。並んだ画像が一直線状となるように、回転部（１１ａ）または回転部（１２ａ）を回動調整する。 （もっと読む）

【課題】分割予定の形状と実際に分割された基板の形状との一致性の低下を抑制することが可能な基板分割方法を提供する。
【解決手段】基板４の内部にレーザ光を照射して、基板４に、基板４に設定された分割予定線Ｄに沿って改質領域を形成する改質領域形成工程と、改質領域が形成された基板４に外力を加えて、基板４を分割する分割工程と、を有する基板分割方法であって、基板４に、改質領域と基板４の端部とを結ぶ線に沿って、基板４の脆弱性を高めた領域である分割補助領域を形成する分割補助領域形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ高生産性で適切な高品質単結晶シリコンシートを製造する。
【解決手段】表面領域１７０２及び所定の深さでの剥離領域１７０６を有する半導体基板１７００の提供により、材料の膜１７２０が形成される。膜の剥離の間、剥離領域のせん断は制御される。例えば、平面方向の剪断成分（ＫＩＩ）はほぼ０に保たれ、張力領域と圧縮領域に挟まれる。例えば、基体表面上のプレートを使用して剥離される。プレートは、膜の剥離の間、膜の動きを拘束し、局所的な熱処理と共に、せん断の広がりを低減させる。例えば、ＫＩＩ成分は、目的を持って高値が維持されて、剥離シーケンスを通じて、破壊伝播を案内して制御する。例えば、電子光線が照射されシリコンが断熱加熱されて高いＫＩＩ成分が提供されて、急峻の熱勾配が生じ、結果として、シリコン内の、正確に定義された深さで応力が生じる。 （もっと読む）

【課題】 脆性材料をレーザーにて切断する方法を提供することを課題とし、従来技術の切断行程を短縮することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、水晶原石又は人工水晶並びに脆性材料を切断及び研磨する行程、詳しくは▲１▼インゴットをランバートに、▲２▼ランバートをクリスタルブランクに、▲３▼クリスタルブランクを研磨機にて薄くスライスする行程等をレーザーを使用するため、省略可能とし、なお、仕上がり製品の切断面がより平滑に、ティッピングが入らない等、精度の高い製品を生産する技術を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の端部に欠けが発生する原因となる、所望の方向でない方向にクラックが発生する等の等の支障をきたすことなく、ガラス基板に十分な深さを有する垂直クラックを発生させることができるスクライブライン形成方法を提供する。
【解決手段】脆性材料基板の表面にスクライブラインの起点となる垂直クラックを形成する工程と、垂直クラックに対しレーザ光照射領域を形成し、脆性材料基板上に設定されたスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光照射領域を相対移動させて脆性材料基板の軟化点よりも低い温度に脆性材料基板を加熱する工程と、レーザ光照射領域の相対移動方向後方に冷却領域を形成する工程とを含み、垂直クラックを起点とするスクライブラインを形成するスクライブライン形成方法であって、垂直クラックを脆性材料基板の端部近傍の基板内の位置に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工により高精度かつ良好な歩留りで化合物半導体結晶基材を製造することが可能となる、化合物半導体結晶基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板等の下地基板の主面上にＡｌＮ単結晶等の化合物半導体結晶を成長させる。この化合物半導体結晶と下地基板との一方から他方に達するようにレーザ１ａを照射することで、下地基板とともに化合物半導体結晶を切断加工する。化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。 （もっと読む）