【課題】 サファイアなどの透明誘電体材料基板に所望のアスペクト比を有する損傷ラインを形成し、当該損傷ラインを起点にして材料基板を切断することにより、切断端に、所定の角度を有する２つの斜面が形成し、角が面取りされた状態として当該材料基板を切断すること。
【解決手段】 レーザ光源１０１は、加工対象物１０に吸収されない波長の加工用レーザ光を発生させる。非点収差発生用光学系１０５は、非点収差性を利用して、テレスコープ光学系１０３を通過した加工用レーザ光から、四面体型集光スポット９を形成する。対物レンズ１０９は、ダイクロイックミラー１０７で反射された加工用レーザ光を集光して、ステージ１１３に載置された加工対象物１０に対して照射する。ステージ１１３は、ステージ１１３上の加工対象物１０に対して加工予定ラインおよび加工予定位置に沿って損傷ラインが形成されるように、駆動（平行移動および回転）される。
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【課題】 スクライブ加工された基板を高品質かつ確実に分割する基板分割方法および基板分割装置を提供すること。
【解決手段】 基部３０、弾性を有するシート２０、リング１０を有する基板分割装置１を用いる。（ａ）始めに、シート２０に基板７０を密着させる。（ｂ）次に、リング１０を押し下げてシート２０を延伸させ、基板７０に引張力を印加する。（ｃ）続いて、基部３０およびシート２０からなる密閉容器８０に空気を圧入し、シート２０を凸状に湾曲させる。このとき基板７０には曲げモーメントが印加され、スクライブ加工された箇所で分割される。（ｄ）最後に、シート２０の湾曲を緩和させる。 （もっと読む）

【課題】 基板内部にレーザ光を集光することで改質領域からなる分割予定線を形成する際に、分割予定線の端部付近においても良好に基板の分割を可能とするスクライブライン形成方法等を提案する。
【解決手段】 基板Ｐの内部にレーザ光を集光すると共に基板Ｐとレーザ光を相対移動させて、基板Ｐ内に改質領域Ｓ１からなる分割予定線Ｓを形成する際に、分割予定線Ｓの端部Ｓ２は、他の領域Ｓ１に比べて改質密度が高く形成される。
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【課題】 プラスチック基板素材とガラス基板素材を含む液晶表示パネルの切断を効率的に行うことができる液晶表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による液晶表示パネルの製造方法は、ガラス基板素材を含む第１基板と、プラスチック基板素材を含む第２基板とを互いに接合状態で設ける段階と；前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

移動している脆性材料の帯材から、板材の分割に先立ちスクライブ線の上流で帯材を拘束することによって、板材が分割される。帯材は、帯材の第１の面及び第２の面に、対向する関係、重なりをもつ関係またはオフセットされた関係の内の１つにおいて選択的に接触させることによって拘束される。帯材は、スクライブ線の形成に先立って、形成と実質的に同時に、または形成に引き続いて、拘束することができる。帯材の拘束状態は帯材からの板材の分割中及び分割直後に維持され、よって帯材の上流への擾乱または曲げモーメントの導入が抑えられる。
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【課題】半導体ウェハの表面や端面の接着剤残渣を低減させて、接着剤残渣除去の作業にともなう割れや欠けの発生を抑制し、半導体ウェハがスライスベースから脱落したり歩留りを低下させたりすることなく半導体ウェハを形成することができる半導体保持装置を提供する。
【解決手段】直方体の半導体ブロック１を接着剤２で接着して保持する接着面を備えたスライスベース３を有する半導体ブロックの保持装置であって、前記スライスベース３の接着面には、前記半導体ブロックとの接着領域で前記接着剤２が滞留する凹部４を設けられて成る半導体ブロックの保持装置。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板を分断するのに十分な垂直クラックを得て、スクライブラインに沿った精確な分断を行なうことができる貼り合わせ基板の分断方法を提供する。
【解決手段】一対のガラス基板を対向して貼り合わせた貼り合わせ基板を分断する方法であって、当該貼り合わせ基板の両面に薄いフィルムを貼り付けた状態で、スクライブを行なう工程を有し、このスクライブ工程で使用されるカッターホイールは、当該ホイールの両側面間の中央よりも一方の側面寄りに偏位した位置に円周方向に沿って刃先稜線が設けられ、その刃先稜線が近接している一方の側面が貼り合わせ基板の表面に設けられた薄膜に対向する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の厚さ方向の長さが最大の長さとなる改質スポットを加工対象物１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、加工対象物１において第１の方向に延在する複数の第１の切断予定ライン５のそれぞれに沿って加工対象物１の内部に第１の改質領域を形成し、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、加工対象物１において第１の方向と略直交する第２の方向に延在する複数の第２の切断予定ライン５のそれぞれに沿って加工対象物の内部に第２の改質領域を形成し、第１及び第２の改質領域を切断の起点として第１及び第２の切断予定ライン５に沿って加工対象物１を複数のチップに分割する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面にクラックや溶融が生じることなく、かつ効率的に加工対象物を切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の厚さ方向と略直交する断面において、加工対象物１の第１の方向に延在する第１の切断予定ライン５に沿った方向の長さが最大の長さとなる改質スポットを第１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に複数形成すると共に、加工対象物１の厚さ方向と略直交する断面において、加工対象物１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２の切断予定ライン５に沿った方向の長さが最大の長さとなる改質スポットを第２の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス板の切断精度が高く、切断面が滑らかで粗研磨が不要であり、曲率半径の小さなカーブ状の切断も可能なガラス板の切断方法及び切断装置を提供する。
【解決手段】 ガラス板５の表面に切断線７を付け、その切断線７に応力をかけてガラス板５を切断するガラス板の切断方法において、切断線７に向けて加熱流体１０を噴射することによって応力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】
簡便な方法で安定して深い垂直クラックを入れる脆性材料の切断装置、その切断方法及びその切断装置を用いて切断した脆性材料を提供する。
【解決手段】
板状の脆性材料の一方の主表面に接して前記脆性材料を載置するための受け具と、前記脆性材料の他方の主表面に接するカッターホイルと前記カッターホイルに接続され前記脆性材料に該脆性材料に対し略垂直方向に所定の荷重を前記カッターホイルを介してかける荷重装置を有する、脆性材料の切断装置において、前記受け具は、前記荷重方向延長線上の前記脆性材料側に溝を有することを特徴とする脆性材料の切断装置及びその切断方法。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、集光点Ｐにおけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上で、パルス幅が１μｓ以下で、且つ開口数が０．５５〜０．８の条件でレーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域を加工対象物１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハの表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェハである加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、加工対象物１に対して設定した切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に溶融処理領域を形成し、その溶融処理領域を起点として加工対象物１の厚さ方向に向かって成長する割れを切断予定ライン５に沿って加工対象物１の表面及び裏面に到達させて、加工対象物１を複数のシリコンチップに分割する。 （もっと読む）

【課題】 上切断刃のカット（フルカットまたはハーフカット）時の上切断刃によるワークの押し下げによる変形を防止して、カット精度が向上する切断加工方法及び切断加工装置並びにそれに使用するワーク支持構造を提供することにある。
【解決手段】 薄肉なワークホルダ用シートＷＨに開孔する孔Ｗ１に挿入するワークＷを、ハーフカットする上下の切断刃Ｃ１、Ｃ２に接触しないようにワークＷ厚の中途域に位置させてそのワークホルダ用シートＷＨに仮止めする。ワークＷの全幅よりも長尺でワークホルダ用シートＷＨよりも短尺な所要長さの上下の切断刃Ｃ１、Ｃ２でワークホルダ用シートＷＨを切断することなくワークＷを全幅に亘り分担してハーフカットする。ハーフカット時の上切断刃Ｃ１によるワークＷの押し下げを切断加工機１のテーブル面高さに固定的に設けた下ストリッパＳＴ２で、また下切断刃Ｃ２によるワークＷの押し上げを上ストリッパＳＴ１で各々防止する。 （もっと読む）

【課題】ベルトコンベヤー及びコンベヤーサポートビームの振動によるスクライビング工程のエラーを防止して、生産性を向上させるようにした基板の切断装置及びこれを用いた基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 基板を載置して移動させる第１、第２ベルトコンベヤーと、第１、第２ベルトコンベヤーの間に一定の間隔を有して構成され、上記基板が到達すると、切断予定線に沿ってスクライビングを実施するスクライブ手段と、上記基板にスクライビングをする時、第１、第２ベルトコンベヤーの間に基板のスクライビング方向と同一の方向に構成され、上記基板を支持する基板支持手段とを含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ソーワイヤによる遊離砥粒のキャリー能力が向上し、ワークとソーワイヤとの間に遊離砥粒を安定して引き込む（導入させる）ことができるキャリア樹脂皮膜付きソーワイヤを提供すること。
【解決手段】 走行しているワイヤＡをワークＷに接触させると共にワイヤとワークが接触している部分に遊離砥粒を吹き付けながら当該ワークをスライシング加工するためのソーワイヤＡであって、前記ワイヤ１の外周面を砥粒キャリア樹脂皮膜２で被覆せしめ、前記吹き付けられた遊離砥粒３を上記砥粒キャリア樹脂皮膜２に食い込ませながら当該遊離砥粒３をワイヤＡとワークＷが接触している部分に引き込むように形成した。
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【課題】 半導体チップの損傷や熱的な大きなダメージを与えることを防止し、精密な切断を可能にする半導体材料基板の切断方法を提供する。
【解決手段】半導体材料基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、レーザ光を照射することにより、半導体材料基板１１の内部に、溶融処理領域１３を切断予定ラインに沿って形成する工程と、次いで、半導体材料基板１１に人為的な力を印加することにより、半導体材料基板１１を切断予定ラインに沿って切断する工程とを含み、溶融処理領域１３は、半導体基板１１の表面付近に形成する。 （もっと読む）

【課題】 対象物の切断効率を向上させることができるとともに、ブレードの反りを防止することでブレードの長寿命化を図ることができ、更には対象物の斜断等による切断ロスを少なくすることができる切断装置等を提供する。
【解決手段】 駆動モータ１６は制御装置２１から供給される電流に応じた回転数で回転して対象物としてのインゴットＩＮを切断するためのブレード１５を駆動する。昇降装置２３は制御装置２１からの制御信号で指示される速度でブレード１５を下降させる。制御装置２１は駆動モータ１６の負荷電流を検出する電流検出装置２２の検出結果に応じて駆動モータ１６の回転数を制御してブレード１５の回転数を制御し、又は昇降装置２３の下降速度を制御してインゴットＩＮの切り込み速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、かつ精密に加工対象物を切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する。このとき、加工対象物１の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間の距離は、切断予定ライン５に沿った方向の改質スポットの長さと略同等又はそれ以下となるようにする。 （もっと読む）