【課題】基板上に異種材料層が形成されてなる被加工物について、その分割がより確実に実現されるようにする。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、ステージを第１の方向に移動させつつ、第１の光源から出射させた予備加工用レーザー光を照射することにより、被照射領域において下地基板を露出させる予備加工工程と、第２の光源から出射させた、パルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である本加工用レーザー光の、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が、下地基板の露出部分において離散的に形成されるように、ステージを第２の方向に移動させつつ本加工用レーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で下地基板の劈開もしくは裂開を生じさせる本加工工程と、を備え、かつ、両光源からステージまでの光路が光路切替手段によって切替可能であり、光路切替手段からステージまでの光路を共通化するようにする。 （もっと読む）

【課題】脆性材料で形成された被加工物をレーザビームのビームパターンによらずに安定して分割加工できる分割加工方法を得ること。
【解決手段】分割加工方法は、脆性材料で形成された被加工物に対しレーザビームを相対的に走査して局部的に溶融し蒸発させることにより、前記被加工物を分割する分割加工方法において、湾曲機構を備えたステージ台に、前記被加工物が分割予定線に沿って破壊応力未満の応力で前記湾曲機構により曲げられるように、前記被加工物を固定する固定ステップと、前記湾曲機構により曲げられた前記被加工物の前記分割予定線に沿ってレーザビームを相対的に走査させる切断ステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに交差するスクライブ予定ラインに沿ってクロススクライブする際に、安定してスクライブ溝を形成でき、しかも後工程での角部の研磨加工を容易にする脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】脆性材料基板Ｇの互いに交差するスクライブ予定ラインＳＬに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを含む。第１工程は、交差するスクライブ予定ラインＳＬの交点に、基板Ｇを貫通し、かつスクライブ予定ラインＳＬに沿って延びるエッジ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、１１ｄを有する貫通孔Ｈを形成する。第２工程は、基板Ｇのスクライブ予定ラインＳＬに沿ってレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、貫通孔Ｈを起点としてスクライブ予定ラインＳＬに沿って亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】表面が強化された強化ガラスに対して、比較的容易に、かつ安定して所望のスクライブ溝を形成できるようにする。
【解決手段】このスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブする方法であり、第１工程と、第２工程と、を含む。第１工程は、強化ガラスの表面に、回転可能な刃先を静止させたカッターホイールによって強化層の一部を除去して初期亀裂を形成する。第２工程は、初期亀裂にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数が比較的大きい脆性材料基板に格子状のスクライブ溝を形成し、分断する際に、分断不良少なくする方法を提供する。
【解決手段】格子状の分断予定ラインに沿ってパルスレーザ光を脆性材料基板に照射し、脆性材料基板を分断するための加工方法であって、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を含んでいる。第１工程は、第１方向に延びる分断予定ラインに沿ってパルスレーザ光を走査し、基板表面に第１スクライブ溝を形成する。第２工程は、第１スクライブ溝の形成後に、第１方向と直交する第２方向に延びる分断予定ラインに沿って、パルスレーザ光をオーバーラップさせずにかつパルスレーザ光による基板への加工痕がオーバーラップするようにパルスレーザ光を照射し、基板表面に第２スクライブ溝を形成する。第３工程は各スクライブ溝の両側を押圧して各スクライブ溝に沿って基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板を上下から同時にスクライブするスクライブ装置において、スクライビングホイール同士の直接の接触を防止すること。
【解決手段】上下のスクライブヘッド１９，２０のスクライビングホイール２２，３２の両側に一対のローラ２３，２４，３３，３４を設ける。ローラの先端とスクライビングホイールの先端との距離を貼り合わせ基板の厚さの１／２未満とする。こうすれば貼り合わせ基板の板厚データの入力ミスや操作ミスがあった場合でも、これによってスクライビングホイールの刃先同士の接触の前にローラと貼り合わせ基板とが接触するため、スクライビングホイールの刃先自体の接触を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、ワイヤの断線等によってワークの切断が途中で中断された場合でも、加工後のウェーハのナノトポグラフィーの悪化を確実に抑制して切断を完了させることができるワイヤソーの運転再開方法及びそのワイヤソーを提供することを目的とする。
【解決手段】
ワークの切断を途中で一旦中断した後、該切断を再開する場合の運転再開方法であって、ワイヤの往復走行の方向及び走行速度を検出して時系列で記録しつつ前記ワークを切断する工程と、ワークの切断を再開する際に、ワイヤの往復サイクルがワークの切断の中断前と再開後で連続的となるように、ワイヤの往復走行の方向及びその方向への走行時間をワークの切断の中断時までに記録されたワイヤの走行履歴に基づいて制御して切断を再開する工程とを有することを特徴とするワイヤソーの運転再開方法。 （もっと読む）

【課題】面積効率及び歩留まりを向上できるブレーキング装置及びブレーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】分割予定線１０ａによって複数のチップ領域が形成された基板１０を分割予定線１０ａに沿って分割するブレーキング装置１において、基板１０の一面に当接する第１当接部と、第１当接部に対向して基板１０の他面に当接する第２当接部と、第１当接部及び第２当接部により挟まれた基板１０の分割予定線１０ａ上に曲げ応力を付与して切断するブレード３とを備え、第１当接部及び第２当接部により挟まれるとともに一端が分割済の前記チップ領域の他端をブレード３により切断する。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有する２つのワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、温度変化によって引起される一方のワイヤガイドロールのコーティングの長さにおける変化を、コーティングの端部でコーティングに固定されるリング（９）を用いて、センサ（７）とリングとの間の距離を測定することによって、測定するステップと、測定された距離に応じてワイヤガイドロールを冷却するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有するワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、ワイヤガイドロールを冷却し、ワイヤガイドロールの固定された軸受（２）を冷却するステップを含み、ワイヤガイドロールおよび固定された軸受は、互いから独立して冷却される。 （もっと読む）

【課題】大面積の脆性板を切断可能な脆性板の切断装置および切断方法を提供する。
【解決手段】脆性板２を支持手段２０により支持する第１のステップと、支持手段２０により支持される脆性板２を局所的に加熱すると共に脆性板２の加熱領域を移動させることにより、脆性板２を板厚方向に貫通するクラックを形成すると共にクラックを伸展させる第２のステップとを有する脆性板の切断方法において、第１のステップでは、脆性板表面２ａの切断予定線に引張応力が作用するように、脆性板２の少なくとも一部を曲げ変形させた状態で、脆性板２を支持手段２０により支持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積の脆性板を切断可能な脆性板の切断装置を提供すること。
【解決手段】脆性板２を吸着する吸着面２３、２４を同一平面上に有する複数の吸着部２１、２２と、複数の吸着部２１、２２で吸着された脆性板２に局所的に応力を印加してクラックを形成する加工ヘッド３０と、複数の吸着部２１、２２の間に予め設定される仮想線５０に沿って加工ヘッド３０を移動させる移動手段４０とを有する脆性板の切断装置１０において、仮想線５０上の複数の点で、仮想線５０と直交する方向であって、吸着面２３、２４と平行な方向における、吸着部２１、２２間の間隙を独立に調節する調節手段６０と、加工ヘッド３０の位置に基づいて、調節手段６０を制御する制御手段７０とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができ、ゴミの発生が防止されたガラス基板のレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源から、波長が３００〜４００ｎｍのパルスレーザ光１０を出射し、レーザ光１０を矩形（正方形又は長方形）のビーム形状にしてガラス基板２に照射する。このレーザ光１０のガラス基板２に対する照射位置を切断予定線に沿って移動させることにより、レーザ光１０を間欠的に直線上に照射し、加工痕１２を直線上に形成する。光学系は、レーザ光１０の焦点位置を、ガラス基板２の厚さ方向の内部とし、焦点深度を前記ガラス基板の厚さよりも短く設定する。これにより、加工痕１２はガラス基板２の内部に形成される。 （もっと読む）

【課題】ワーク側面のワイヤ切入り部で飛散し、ワーク保持部の側面からの落下してくるスラリによって、切断されてウエーハ状になったワークの部分が蛇腹運動することを防ぎ、スライスされたウエーハのＷａｒｐを改善することができるワイヤソーを提供する。
【解決手段】少なくとも、複数の溝付きローラに巻掛けされ、軸方向に往復走行するワイヤと、スラリを供給するノズルと、当て板と該当て板を保持するワークプレートを介して、ワークを保持しつつワイヤへ送るワーク送り装置を具備し、ノズルからスラリを供給しつつ、ワーク送り装置により保持されたワークをワイヤに押し当てて切り込み送りし、ウエーハ状に切断するワイヤソーであって、前記ワーク送り装置はワーク保持部を有し、該ワーク保持部の下端面の最大幅が、切断されるワークの幅よりも大きいワイヤソー。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】 円筒状インゴットを四側面剥ぎ切断加工して四角柱状インゴットに加工する際の切削屑を大幅に減らしたい。
【解決手段】 ダイヤモンド刃先幅が１．２〜２．５ｍｍと狭い回転切断刃９１ａ，９１ｂを用い、最初に円筒状インゴットｗの切断深さの約１／２の高さの溝を加工し、ついで、円筒状インゴットを１８０度回転させたのち、前記回転切断刃で円筒状インゴットの切断深さの約１／２の高さの溝を加工として溝同士を連結させて円筒状インゴットの側面より円弧柱状物を切り落とす。 （もっと読む）

【解決手段】 板状のガラスＷを割断する加工ヘッド２は、ガラスＷの上面の割断予定線Ｓ１上にスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成手段７と、それよりも移動方向後方側に配置されて上記スクライブ溝よりも外方のスクラップ部分ＷＳを押し下げる押し込み手段８とを備えている。この押し込み手段８は、移動方向に沿って配置された複数の押し込みローラ２２を備えており、それらは順次移動方向の後方側に位置する程、徐々に高さが低くなっている。
【効果】 ガラスＷの上面にスクライブ溝が形成された後に、スクラップ部分ＷＳが複数の押し込みローラ２２によって徐々に押し下げられるので、ガラスＷを割断予定線Ｓ１に沿って無理なく割断することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射してワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、レーザ出力の不安定性を消去する方法及び装置を提供する
【解決手段】ガラスなどのワーク１表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワーク１に表面スクライブ４を実現する際に、ワーク１表面のレーザビーム照射直位置を吹き飛ばしてノズルからの噴射気体によって清純化し、ワーク１表面のレーザビーム照射位置に存在する冷却液などの液体あるいは不純物によるＣＯ_２レーザビーム吸収を防止することにより、所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現する。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、所要レーザ出力を低減することと薄板ワークに対する安定した表面スクライブを行うことを目的とする。
【解決手段】加熱用レーザビームのエネルギー密度分布と冷却液分布を所要の熱応力スクライブ生成に最適化させることによって所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現した。この実現のために前者では回折格子型光学素子を使用してスクライブ線方向の両側で対称性を持つ時間的にも空間的にも一様で過剰なエネルギー密度を避けた分布を実現した。また後者では冷却液が加熱領域の後方にスクライブ線の両側で対称性を有する分布を実現する冷却ノズルを使用した。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）