【課題】直接通電デバイスを提供する。
【解決手段】金属細管の両端に交流電圧を印加して、細管自身に流れる電流によるジュール熱を利用して細管内部を流通する流体を加熱する直接通電方式の加熱デバイスにおいて、電圧を印加する電極が上記金属細管の上流部、中間部、及び下流部の３ヶ所に設置されており、中間電極部に高圧電圧を、上流電極部及び下流電極部にコモン電圧（０ボルト）を印加する方式とすることにより漏電対策機能を付したことを特徴とする直接通電加熱デバイス。
【効果】本発明の直接通電加熱デバイスにより、従来材では対応が困難であった漏電の問題と熱膨張の問題を確実に解消することができる。 （もっと読む）

【課題】 周波数の温度依存特性をＭＥＭＳキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】 機械的に振動するＭＥＭＳ振動子と、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するＭＥＭＳキャパシタとを備える。 （もっと読む）

【課題】反応に悪影響を及ぼす温度変化や添加物等が無くとも簡単な仕組みで流路に気体や液体を脈動無く流すことができる反応装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも供給路３または排出路４となる溝２と前記溝２に形成された反応部分５を有する基体１と、前記供給路３または排出路４となる溝２の内壁に形成されており、導体または磁性体と、前記導体または前記磁性体を覆う保護膜とからなる複数の微小突起７と、前記複数の微小突起７を駆動する電磁誘導発生手段とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することである。
【手段】温度制御する部位の近傍に開口部を備えるマイクロ流体デバイスにより、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することが可能になる。また、本発明は、マイクロ流体デバイスの開口部に、熱交換流体を導入あるいは熱交換部材を挿入する工程と、該熱交換流体または該熱交換部材を介してマイクロ流体デバイスと熱交換を行う工程とを含む、マイクロ流体デバイスの温度制御方法を提供する。 （もっと読む）

高応力窒化シリコンがメカニカル材料として使用され、アモルファスシリコンが犠牲層として機能する、モノリシックＩＣ／ＭＥＭＳプロセスが開示される。電子回路及びマイクロ電子機械デバイスは、単一ウェーハの別個の区域に構築される。ＩＣ及びＭＥＭＳプロセスステップの順序は、後続の高プロセス温度による、半製品回路及びデバイスの変化を回避するように設計される。 （もっと読む）

【課題】電磁気マイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板１１０の一面に回動自在に形成されたステージ１２０と、ステージ１２０の回転軸方向にステージ１２０の両側に連結された一対のトーションバネ１３２と、トーションバネ１３２を支持してステージ１２０を取り囲む固定フレーム１５０と、ステージ１２０の上面に所定深さで巻き回された駆動コイル１３０と、駆動コイル１３０形成部分から離隔した形成されたミラー部１４０と、駆動コイル１３０から離隔し、駆動コイル１３０を挟んで対向する位置に形成された一対の永久磁石１６０と、を備えることを特徴とする電磁気マイクロアクチュエータ。 （もっと読む）

【課題】周りの温度にかかわらず効率的に作動することのできる温度適応型光変調器素子を提供する。
【解決手段】本発明の温度適応型光変調器素子は、上部がドーピングされた基板２９５と、中央部分が基板２９５と所定の間隔を置いて位置する構造物層２８０と、構造物層２８０上に位置して構造物層２８０の中央部分を上下に動かす圧電層２４０と、構造物層２８０の中央部分の上部に位置して入射光を反射して回折させる上部反射層２７０と、基板２９５上に位置して入射光を反射して回折させる下部反射層２８７とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁気方式マイクロアクチュエータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベースフレームと、ベースフレームに回動自在に連結されている第１可動部１１２と、第１可動部１１２に回動自在に連結されており、光路を変更させるミラーの設けられた第２可動部と、少なくとも一対の永久磁石とを備え、第１可動部１１２と第２可動部との上面に突出するように設けられた複数のコイル１１７ａからなるコイル部を具備し、複数のコイル１１７ａ間の第１可動部１１２および第２可動部にそれぞれ形成された複数のグルーブからなる変形減衰部１１９を設け、コイル部に電流が供給されるときに発生する熱変形を変形減衰部１１９が緩衝することにより、第１可動部１１２および第２可動部の変形量を減らす。 （もっと読む）

本発明は、可動素子（４８）を有するＭＥＭＳ共振器に関し、可動素子（４８）は、第１ヤング率および第１ヤング率の第１温度係数を持つ第１部分（Ａ）を有し、さらに可動素子（４８）は、第２ヤング率および第２ヤング率の第２温度係数を持つ第２部分（Ｂ）を有し、少なくともＭＥＭＳ共振器の動作条件下では、第２温度係数の符号は第１温度係数の符号と反対であり、第１部分（Ａ）の断面積および第２部分（Ｂ）の断面積は、第１部分（Ａ）のヤング率の絶対温度係数に第１部分（Ａ）の断面積をかけた値が、第２部分（Ｂ）のヤング率の絶対温度係数に第２部分（Ｂ）の断面積をかけた値から、２０％以上逸脱することなく、これら断面積は局部的におよび可動素子（４８）に対して直交する断面で測定したものとする。
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【課題】温度及びパッケージに対する感受性が低い、改良されたＭＥＭＳ加速度計を提供する。
【解決手段】本発明のある実施形態は、基板と、第１のセンサと、第２のセンサとを含む微小電気機械（ＭＥＭＳ）加速度計を提供する。第１のセンサは、基板の面に平行な第１の軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、基板の面に垂直な軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、第１の梁と、第２の梁と、単支持構造とを備える。単支持構造は、基板に対して第１及び第２の梁を支持しており、第１及び第２の梁は第１のセンサを囲んでいる。 （もっと読む）

第１の部分（２）と第２の部分（３）を備え、それらの部分（２，３）が異なる熱膨張係数を有する材料から作られる流れシステム（１）。第１（２）と第２（３）の部分は、周囲温度が変化するとき、対応する変化が第１の部分（２）内に形成された流れチャンネル（４）に生じ、それによって流れチャンネル（４）の流れ抵抗を変更するように互いに対して配置されている。その結果、流れシステム（１）によって移送されている流体の粘性における変化によって引き起こされる流れ抵抗の変化が相殺可能になる。結果として得られる流れシステム（１）の流れ抵抗は、それによって少なくとも実質的に周囲温度と独立になる。本発明はさらに流れシステム（１）を含むマイクロ流体システムである。このマイクロ流体システムは、医療デバイス、流体分析システム、たとえば血液標本の血糖レベルを測定するためのデバイス、又は輸液システムの一部となるか、それを形成する。
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基板の開口又は凹部の上方に隔膜が設けられている上側を有する基板を具備するセンサー装置において、前記隔膜は熱的及び電気的に絶縁性であり、抵抗材料層を備える加熱素子の上面に設けられており、加熱素子との電気的接続は隔膜及び／又は基板に埋め込まれており、かつ基板の下側に電気端子を提供する、航空機の外部における風速を検出するためのセンサー装置。加熱素子は雰囲気中にさらされるが、残りの電気部品はさらされていない。 （もっと読む）

アクチュエータアセンブリはアクチュエータ要素と２つの圧電アセンブリとを備え、２つの圧電アセンブリはアクチュエータ要素の動きを制御するために構成および配置される。いくつかの例示的な実現化例では、第１の圧電アセンブリおよび第２の圧電アセンブリは、第１の圧電アセンブリの温度依存性が第２の圧電アセンブリの温度依存性により相殺されるように構成および配置される。第１の例示的な実施例では、第１の圧電アセンブリは第１の圧電ダイヤフラムを備え、第１の主圧電ダイヤフラムは第１の圧電ダイヤフラムの変位に応じてアクチュエータ要素を変位させるためにアクチュエータ要素に接続されている。第２の例示的な実施例では、アクチュエータ要素はハウジング内に少なくとも部分的に位置し、そこでアクチュエータ要素は往復運動可能である。
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大規模なＭＥＭＳデバイス（１０，１００，２００，３００）は、少なくとも一つの対応するダイマウント（２８）によって支持されるＭＥＭＳダイ（２２）を含む。対応するダイマウント（２８）は、ＭＥＭＳダイ（２２）を支持構造（２０）に連結する。支持構造（２０）は、パッケージ（３８，４０）の内部に配置される。本発明の態様によれば、パッケージ（３８，４０）は、ＭＥＭＳダイ（２２）について実質的に対称形である。本発明の別の態様によれば、支持構造（２０）および／またはパッケージ（３８，４０）は、ＭＥＭＳダイ（２２）に沿う中立の屈曲軸を有するように設計されている。
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【課題】本発明はマイクロチャンネルリアクターに関し、より詳しくは分配板によって分配された異種流体が分岐ポートによって噴射されて互いに衝突することで混合するようにして、異種流体を上下で繰返し移動されるように形成された流路を通過するようにして互いに衝突しながら反応するようにするマイクロチャンネルリアクターに関する。
【解決手段】混合する流体が投入される投入管がそれぞれ具備された流体投入部と、投入された流体が混合する流体混合部と、混合した流体が排出される流体排出部とを有している。前記流体投入部は、前記投入管から投入された流体が連通される連通部と、前記連通部で前記流体混合部で排出されて所定の間隔で排出口が形成された分配板をそれぞれ具備している。前記流体混合部は、前記排出口とそれぞれ貫通された通孔と連通された多数の微細チャンネルと、前記微細チャンネルの排出側端部に形成されながら隣接した微細チャンネルを通過する互いに違う流体が互いに衝突して混合するように分岐ポートとを具備している。前記流体排出部は、前記分岐ポートによって衝突して混合した流体を収容する収容部と、前記収容部で排出される排出口とを具備している。 （もっと読む）

本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）装置レイヤを有する。最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。装置レイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、装置レイヤが、ＭＥＭＳ装置を定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ₂レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）