【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】パッケージへ伝達された熱や応力に対して安定した動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体加速度センサ装置１は、内部にキャビティ２１ｃを有するパッケージ２１と、所定の素子を有する半導体チップ１０と、上面の所定領域３２ａに半導体チップが固着されたスペーサ３２と、スペーサ３２の下面における所定領域３２ａ下以外の領域とキャビティ内のパッケージの底面２１ａとを接着する接着部３３とを備え、半導体チップに形成された第１電極パッド１６と、パッケージに形成され、少なくとも一部がキャビティ内部で露出された配線パターン２３と、パッケージの底面に形成され、配線パターンと電気的に接続された第２電極パッド２２と、第１電極パッドと、露出された配線パターンとを接続する金属ワイヤ２６とをさらに有する。 （もっと読む）

本明細書において説明するこの方法およびデバイスは、ディスプレイ、およびＭＥＭＳを含む低温封孔流体充填ディスプレイを製造する方法に関する。この流体は、ＭＥＭＳディスプレイの可動構成要素を実質的に囲んで静摩擦作用を低減させ、ディスプレイの光学性能および電気機械的性能を向上させる。本発明は、蒸気気泡が封止温度よりも約１５℃〜約２０℃低くならないかぎり形成されないようにＭＥＭＳディスプレイを低温で封止する方法に関する。いくつかの実施形態では、ＭＥＭＳディスプレイ装置は、第１の基板と、ギャップによって第１の基板から分離された光変調器のアレイを支持する第２の基板と、ギャップを実質的に充填する流体と、ギャップ内の複数のスペーサと、第１の基板を第２の基板に接合する封止材料とを含む。
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【課題】比較的簡単な構成で、周囲温度が変化した場合であっても可動部の揺動角度を精度よく検出できるプレーナ型アクチュエータを提供する。
【解決手段】枠状の固定部の内側にトーションバーで揺動可能に支持された可動部を有し、この可動部を揺動駆動するプレーナ型アクチュエータであって、可動部の揺動動作による応力の影響を受けて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と、可動部の揺動動作による応力の影響を受けても抵抗値が変化せず抵抗温度係数の小さい抵抗素子１３，１４とで構成したブリッジ回路２１を備え、ブリッジ回路２１は、一方の対辺２１ａ，２１ｃに抵抗素子１３，１４を配置し、他方の対辺２１ｂ，２１ｄにピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ２を配置し、ブリッジ回路２１の出力値Ｖｏｕｔに基づいて可動部の揺動角度を検出する構成とした。 （もっと読む）

恒温槽に設けられ、予め規定した温度（Ｔｓｅｔ）で、集積電気部品の温度（Ｔｃｏｍｐ）を安定化する方法及びシステム（１）。集積電気部品の温度は、温度感知手段によって感知され、この温度感知手段は、第１及び第２の感知素子（６１，６２）と感知回路（７２）とを備え、第１及び第２の感知素子は、集積電気部品と良好な熱接触にて配置され、第１及び第２の温度依存特性（６３、６４）を有し、第２の温度依存は、第１及び第２の特性（６３，６４）が予め規定した温度（Ｔｓｅｔ）にて交わるように第１の温度依存とは異なる。感知回路は、第１及び第２の感知素子（６１，６２）を感知するため、及び第１及び第２の温度依存特性（６３，６４）を示す第１及び第２の測定信号（８３，８４）を制御回路（７１）に供給するために適合され、これはそこからの加熱手段用の制御信号を決定する。
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本発明は、第１材料（２）からなる基板（１）と、支持構造（１）につるされ、少なくとも部分的に支持構造と同じ材料（２）で、特定の周波数f₀で共振するよう寸法が決められた共振器（３）と、共振器（３）の共振を開始し、維持し、結合するための、外部回路（６）への結合手段（５）と、熱的特性が第１材料（２）と異なる第２材料（４）を含む共振器（３）とを備えるマイクロメカニカル共振器に関する。発明によれば、共振器（３）は共振器（３）の特定の場所に集中して配置された第２材料（４）を含む。 （もっと読む）

【課題】熱補償単結晶シリコンから作られたテンプ輪スプリング又はヘアスプリングを含む共振子を提供すること。
【解決手段】本発明は、多角形断面のコアが単結晶シリコンで構成されるストリップを有する熱補償機械共振子に関する。本発明によれば、コアの１つ又は複数の表面が共振子を温度変化の影響を受けにくくするためのコーティングを有する。本発明は時計の分野に関する。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化によって生じる熱膨張率差に起因する応力の変動や、マイクロミラー素子を固定している接着剤部分の強度劣化による応力の変動等が、マイクロミラーの傾斜角度へ影響することを軽減する。
【解決手段】固定フレーム１と、固定フレーム１に対して揺動可能な可動フレーム１３と、可動フレーム１３の揺動軸を規定するトーションバー１１ａ及び１１ｂと、固定フレーム１及びトーションバー１１ａ，１１ｂの少なくとも一方に設けられる応力緩和機構５０とを含み、トーションバー１１ａ及び１１ｂの軸方向における応力緩和機構５０の剛性は、トーションバー１１ａ及び１１ｂの軸方向の剛性より小さく、トーションバー１１ａ及び１１ｂを中心とする回転方向における応力緩和機構５０の剛性は、トーションバー１１ａ及び１１ｂを中心とする回転方向における剛性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】少ないエネルギーで素子を加熱することができ、かつ、パッケージ外への熱伝導が抑制された、圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧電デバイス１００は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収納された圧電素子２０と、パッケージ１０内に収納されたヒーター素子３０と、を有し、圧電素子２０は、基部２２および基部２２から延出した梁部２４を有し、基部２２によって片持梁状または両持梁状に固定され、ヒーター素子３０は、支持部３２および支持部３２によってパッケージ１０から離間して支持される発熱部３４を有し、発熱部３４は、支持部３２によって片持梁状または両持梁状に固定され、発熱部３４および梁部２４は、互いに離間している。 （もっと読む）

【課題】温度変化に応じた梁部の湾曲の度合いの変動を抑制する。
【解決手段】薄膜構造体は、２層１０，１１の薄膜からなる梁部４であって、力を受けていない状態で自身の保有する応力によって湾曲する梁部４を、備える。２層１０，１１の各層は、互いに同一の線熱膨張係数を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】第１の基板と第２の基板との体積が違っていても、第１の基板と第２の基板との接合部において、所望な機械的強度を確保することができるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０は、第１の接合パッド４を有する第１の基板１と、第２の接合パッド５を有し、第１の基板１に積層する第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２との間に介在し、第１の接合パッド４と第２の接合パッド５接合することで、第１の基板と第２の基板２とを接合させる接合部材３と、第１の基板１と第２の基板２との少なくとも一方に配設され、第１の基板１と第２の基板２との熱容量差を均一にする温度変化急峻領域６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】接合材の熱収縮によるマイクロミラーチップの平面度の低下が低減されたマイクロミラーデバイスを提供する。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１００は、マイクロミラーチップ１１０と、電極基板１３０と、マイクロミラーチップ１１０および電極基板１３０を保持している基板保持部材１７０とを有している。マイクロミラーチップ１１０は可動ミラー部１１２を備えている。電極基板１３０は、マイクロミラーチップ１１０から間隔を置いてマイクロミラーチップ１１０に対向して配置されている。基板保持部材１７０は、マイクロミラーチップ１１０の側面および電極基板１３０の側面と機械的および電気的に接合された二つの板状部材１７２で構成されている。 （もっと読む）

半導体基板（２１０）上に形成されたマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス（２００）は、作動構造の作動に応答して運動可能に構成された可動構造（２０３）を有する。可動構造（２０３）は、第１熱応答特性を有する少なくとも１層の機械層を備えた機械構造（２０４）と、第１熱応答特性とは異なる第２熱応答特性を有する作動構造（２０２）の少なくとも１層と、少なくとも１層の熱補償層を備えた熱補償構造（２０６）とを含んでいる。熱補償構造（２０６）は、少なくとも１層の作動構造（２０２）とは異なり、可動構造（２０３）の運動が実質的に温度変化には依存しないように、機械層（２０４）と作動構造（２０２）とによって生み出される熱効果を補償するように構成されている。
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【課題】材質選択の幅を確保したまま、熱膨張に基づく反応装置の破損や劣化を抑制する。
【解決手段】反応装置の製造方法は、反応部を備えた反応装置本体を準備する反応装置本体準備工程と、反応装置本体のうち、少なくとも前記反応部を加熱するための加熱部を準備する加熱部準備工程と、反応装置本体と加熱部との位置合わせをする第一配置工程とを有する。加熱部準備工程は、断熱材を準備する断熱材準備工程と、断熱材上に、表面が平坦な平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、平坦化膜上に、通電により発熱する加熱部を形成する加熱部形成工程とを含む。第一配置工程は、加熱部と反応装置本体とが非接合な状態で対向するように、反応装置本体と加熱部との位置合わせを行う。 （もっと読む）

ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳデバイス（２００）の可動構造（２０３）は、第１熱応答特性と第１機械応力応答特性とを有する機械層（２０４）を備えた機械構造と；第２熱応答特性と第２機械応力応答特性とを有する作動構造（２０２）と；第３熱応答特性と第３機械応力応答特性とを有する第１補償層（２０６）と；第４熱応答特性と第４機械応力応答特性とを有する第２補償層（２０７）とを有する。第１補償層（２０６）と第２補償層（２０７）とは、可動構造（２０３）の運動が温度変動に依存しないように、機械構造（２０４）と作動構造（２０２）とによる熱効果を補償するように構成される。かつ第１補償層（２０６）と第２補償層（２０７）とは、ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳデバイスが非アクティブ状態のとき可動構造が所定量だけ歪むように、機械構造（２０４）と作動構造（２０２）とによる応力効果を調整するように構成される。
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【課題】設計の自由度を高く維持しつつ、ＭＥＭＳに伝達される熱応力を効果的に抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ部と、該ＭＥＭＳ部を支持するセンサ基板と、前記ＭＥＭＳ部に凹部が対向するように前記センサ基板に取り付けられるキャップ部と、を備える電子装置であって、前記キャップ部の壁面の一部には、前記センサ基板との接合部に比して厚みを薄くした凹凸構造の応力吸収部が形成されていることを特徴とする、電子装置。 （もっと読む）

【課題】装置全体の温度が変化した場合であっても、可変形ミラーを所望の形状に変形することができる可変形ミラー装置を得る。
【解決手段】可変形ミラー１と、先端部が可変形ミラー１の裏面に向かって設けられ、駆動することで可変形ミラー１を変形させるアクチュエータ２と、可変形ミラー１の裏面に接合され、磁性体から構成された接合パッド４と、アクチュエータ２の先端部に設けられ、磁力によって接合パッドを引き付ける接触アタッチメント５とを備え、可変形ミラー１の線膨張係数と接合パッド４の線膨張係数とがほぼ同等である。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対応しながら効率よく静電型アクチュエータを駆動することが可能な静電型アクチュエータ制御装置を得る。
【解決手段】静電型アクチュエータ２００は、バイアス電圧の値が上昇するに従って、共振周波数が上昇する特性を有する。バイアス電圧は、ピークツーピーク電圧を増減することにより増減される。そのため、ピークツーピーク電圧を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。言い換えると、交流電圧の振動中心値を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。つまり、ピークツーピーク電圧を増減すると、従来技術における直流バイアス値を増減させたのと同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスのねじり懸垂のための取付けシステムを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスのための取付けシステムは、ＭＥＭＳデバイスが遭遇するひずみ変化に対する感度を最小化する、中央に配置された単一のアンカーマウントを使用して基板に選択的に結合されたプルーフマスを備えている。取付けシステムは、プルーフマス中に配置された分離切欠き部分を備えることができ、それにより所望の量のひずみ分離を有利に達成することができ、また、アンカーマウントから互いに逆方向に展開しているヒンジを製造することができる。単一のアンカーマウントは、共通の中心から距離を隔てて配置された複数のアンカーマウントを有する従来の取付けスキームと比較して、アンカーマウントの中心または重心からその周囲までの分離距離を短くするようになされている。 （もっと読む）

【課題】感度を改良し、大きな信号対雑音比および低電力の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）加速度計および加速度検出方法を提供する。
【解決手段】ヒンジタイプの屈曲部４４により吊るされるプルーフマス４２と、プルーフマス４２上に位置する平面コイル４６、４８と、コイルの平面に対して約３０°から約６０°の間の範囲の磁束角度で、磁束場がコイルを通るように位置決めされる磁石５０，５２とを有する。例示的な一実施形態において、この角度は４５度である。磁石は、プルーフマス４２の第１側部側に位置する第１環状磁石５０と、プルーフマス４２の第２側部側に位置する第２環状磁石５２とを備える。ＭＥＭＳ加速度計のピックオフのキャパシタンスを検出し、平面コイル４６、４８に電流を伝達することによりＭＥＭＳ加速度計を再平衡させる。 （もっと読む）