【課題】トップエミッション型有機ＥＬ素子の、基板からの放熱性が高く、有機ＥＬ層の変質を招かないで第２電極であるＩＴＯ膜とその上の保護膜を連続して形成でき、基板表面の絶縁層を経済的に形成できる製法を提供する。
【解決手段】マグネシウム、アルミニウム、又はそれらを含む合金からなる金属母体を用意し、その表面に絶縁層を形成して、金属基板とする第１の段階と、複数本の第１電極を形成する第２の段階と、有機ＥＬ層を形成する第３の段階と、対向ターゲットスパッタ（ＦＴＳ）装置により、ターゲットを酸化インディウム錫（ＩＴＯ）として、第２電極を形成する第４の段階と、前記ターゲットをシリコンに替えて、酸素ガスと窒素ガスを所定の分圧に混合して吹き込むことにより、酸化窒化シリコンからなる保護膜を第２電極に連続して形成する第５の段階とをこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 周期的に黒画像を表示する表示装置の画質を向上させる。
【解決手段】 周期的に黒画像を挿入表示する表示装置において、黒画像の表示後で、該黒画像と異なる映像信号を映像信号線に出力する最初の期間を、その次の期間と異なった長さとする。 （もっと読む）

【課題】 ドライブトランジスタのドレイン電流の経時変化を補償可能な画素回路を提供する。
【解決手段】 ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが入力ノードＡにつながり、ソースＳが出力ノードＢにつながっている。保持容量Ｃ１は、入力ノードＡに接続している。サンプリングトランジスタＴｒ１は信号線ＤＬから入力信号Ｖｓｉｇをサンプリングして保持容量Ｃ１に保持する。ドライブトランジスタＴｒ２は、保持容量Ｃ１に保持された信号電位に応じて発光素子ＥＬに駆動電流Ｉｄｓを供給する。補償回路７は、駆動電流Ｉｄｓによって電気光学素子ＥＬに生じる電圧降下を出力ノードＢ側から検出し、検出された電圧降下のレベルを定率で割り引き、割り引かれた電圧降下のレベルと入力信号Ｖｓｉｇのレベルとを比較して差分を求め、差分に応じた電位を保持容量Ｃ１に保持された信号電位に加える。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタＴｒｄの特性バラツキを補償する。
【解決手段】スイッチングトランジスタＴｒｓがオン状態となる走査信号の供給に合わせて、トランジスタＱをオン状態とする制御信号を電源線制御線Ｆに供給する。データ電流Ｉｄａｔａは、電圧供給線ＶＬ、トランジスタＱ、第１の電源線Ｌ１、補償トランジスタＴｒｃおよびデータ線Ｘｍという経路で流れる。このデータ電流Ｉｄａｔａに応じた電圧Ｖｃ１がノードＮに発生して、保持用キャパシタＣ１に保持されるとともに、駆動トランジスタＴｒｄのゲートに印加される。有機ＥＬ素子２１０に流れる電流Ｉｄｓを、駆動トランジスタＴｒｄの閾値電圧特性に依存することなく、データ電流Ｉｄａｔａで決定することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のパネル表示装置の駆動回路およびパネル表示装置の駆動方法では、チャージ開始時点の発光の立ち上がりに時間がかかるという課題があった。
【解決手段】複数のデータ線SEGm及び複数の走査線COMnの交点に各々配置された有機EL素子PEm,nを駆動するパネル表示装置の駆動回路であって、本発明のパネル表示装置の駆動回路は、有機EL素子PEm,nの負荷容量が発光に必要な電圧値にチャージされるまでの立ち上がり期間に選択されたデータ線SEGmをデータ線電源３０と接続する電圧制御回路１２と、立ち上がり期間後、データ線SEGmを定電流源１１と接続する駆動制御回路１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】
表示装置の補正回路において大容量の記憶素子を不要として回路の構造の単純化・省スペース化を図り、輝度ムラのない画像が得られる表示装置の小型化、信頼性の向上、及び低製造コスト化を実現する。
【解決手段】
補正回路の各画素の累積使用度データを複数のデータ部分に分割し、前記複数のデータ部分のそれぞれが複数の記憶手段に別々に格納されるようにする。例えば、累積使用度データを上位ビットと下位ビットとに分割して別々に格納し、下位ビットの使用度累積計算の結果生じたハーフキャリを上位ビットに加算して累積使用度データ上位ビットを得るようにする。このようにして得られた累積使用度データに基づき選択された劣化係数を、ビデオデータに乗じて補正ビデオデータを得る。本発明は、このような補正回路を一体に組み込んだ表示装置の制御回路も提供する。 （もっと読む）

【課題】 電流駆動型表示素子を駆動する駆動用ＴＦＴの出力電流の設定に要する時間を短縮する。
【解決手段】 トランジスタＱ３がＯＦＦ状態のとき、電位配線Ｕｉに所定の電位を与え、スイッチ用のトランジスタＱ２をＯＮとして駆動用ＴＦＴであるトランジスタＱ１のゲート電位をＯＮ電位から閾値電位へ変化させる。その後、トランジスタＱ２をＯＦＦ状態として電位配線Ｕｉの電位を変化させ（トランジスタＱ１がｐ型のときは電位を下げる）、トランジスタＱ１がその閾値電位に依らず一定の電流を流す状態とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 回路的な手段で画像表示装置の画面内における信頼性むらを抑制する。
【解決手段】画素アレイ部１２は、行状の走査線ＤＳＬと、列状のデータ線ＤＴＬと、両者が交差する部分に配された行列状の画素１１とを備えている。データ線駆動回路１４は、システム回路１６から供給されたデータ信号を各データ線ＤＴＬに分配する。走査線駆動回路１３は、各走査線ＤＳＬに順次駆動パルスＤＳを出力して画素１１を線順次で選択し、以って該分配されたデータ信号に基き駆動パルスＤＳの時間幅だけ画素１１を駆動して画素アレイ部１２に画像を表示する。走査線駆動回路１３は、各走査線ＤＳＬに順次出力する駆動パルスＤＳの時間幅を各走査線ＤＳＬごと独立に可変制御可能であり、以って走査線単位で各画素１１の駆動時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ（画素容量）の容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量よりも小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位の値が変化してしまい、所望の発光が望めない。
【解決手段】駆動トランジスタであるＴＦＴ３２のゲート・ソース間にキャパシタ３３を接続し、ＴＦＴ３２のソースをスイッチングトランジスタであるＴＦＴ３６を介して接地電位ＧＮＤに選択的に接続するとともに、キャパシタ３４およびＴＦＴ３７〜３９の作用によってＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルする構成の画素回路１１において、最終行の画素回路１１に対するオートゼロ信号ＡＺ−ｎの発生直後から第１行の画素回路１１に対するオートゼロ信号ＡＺ−１の発生前までの期間において画素回路１１内の電源電位Ｖｃｃをフローティング状態し、当該電源電位Ｖｃｃの揺れをなくす。 （もっと読む）

【課題】大型化せずともチャネル抵抗を低くし、より効率よく電流が流れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネルにおいては、画素の有機ＥＬ素子２０の周囲には薄膜トランジスタ２３が設けられている。薄膜トランジスタ２３は、ゲート２３ｇと、ゲート２３ｇ上に形成されたゲート絶縁膜３１と、ゲート絶縁膜３１上に形成された半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、チャネル保護膜２３ｐに一部重なるように半導体膜２３ｃの両端部上に形成された不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。第三トランジスタ２３は、ドレイン重なり長さＤがソース重なり長さＳよりも大きくなるよう設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は表示部全体の輝度が均一であることが望ましいが、特に有機ＥＬ表示装置は、画素毎の輝度ムラが大きく問題である。また有機ＥＬ素子は輝度半減期があり、長寿命化も課題であった。
【解決手段】 画素毎にフォトセンサを配置し、有機ＥＬ素子の発光量に応じて画素毎に輝度を調整する。輝度の調整は発光量の小さい画素に合わせて輝度の大きい画素の電流量を小さくすることにより実現する。これにより低消費電力化を図り輝度ムラを補正できる。また受光回路で構成されるフォトセンサを画素毎に配置することにより、輝度ムラの補正を行い、更に、輝度半減期における輝度補正が可能となり、長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】信号線や走査線からの寄生容量を介しての容量素子への飛び込み電位の進入を防止することができ、これによりクロストーク等の表示不良を防止することが可能なアクティブマトリックス型の表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に複数行の走査線１と複数列の信号線２とがマトリックス状に配線され、これらの各交差部に画素電極と当該画素電極を駆動するための画素回路とを備えた画素部が設けられた表示装置において、画素回路を構成する容量素子（保持容量Ｃｓ、オフセット容量Ｃoff）を覆う状態で、走査線１および信号線２に対して電界シールドとなる金属パターン１０６を配置した。この金属パターン１０６は、定電位の直流電源に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 発光時間のデューティ比によって表示輝度を制御するデューティ駆動の場合に生じるフリッカを抑制する。
【解決手段】 データ線駆動回路１４はシステム回路１６からフレーム単位で供給される映像データ信号を各画素１１に供給する。走査線駆動回路１３はシステム回路１６から供給される発光制御信号ＤＳに応じて動作し、フレーム毎に画素１１を線順次選択して映像データ信号に応じた輝度で各発光素子１７を発光させる。システム回路１６は、発光制御手段Ｚを備えており、画面輝度情報に応じて１フレーム内における発光時間と非発光時間とのデューティ比を設定し、該デューティ比に応じて各発光素子１７を発光させるとともに、１フレームを複数のサブフレームに分割し各サブフレームで該デューティ比に応じた発光時間だけ各発光素子１７を発光させてフリッカを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 マルチパネルを有すると共に駆動回路を簡素化したマルチパネル表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】マルチパネル表示装置は、データラインDL1〜DLmが共通に連結される複数の表示パネル41A〜41Ｉと、データを時分割して前記データラインに供給するデータ駆動部40とを備える。また、マルチパネル表示装置は、各々のスキャンラインSLA1...を備える表示パネル41A〜41Ｉに対応して、独立的にスキャンパルスを供給する各々のスキャン駆動部42A〜42Ｉを備え、データ駆動部40及び複数のスキャン駆動部42A〜42Iを制御するタイミング制御部43を備える （もっと読む）

【課題】 動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】 画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。さらに第３パッシベーション膜４５はＴＦＴ側からの水分や酸素の侵入を防ぎ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を分散させてＥＬ素子２０３の劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
光センサを搭載し、このセンサの出力に応じて自動調光を行う表示装置の改良、特に、小型軽量でありながら、ノイズによる影響を受けにくく、また、衝撃等にも強い構成を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の表示装置の基板上に、光検出素子、アナログ−ディジタル変換回路、パラレル−シリアル変換回路を搭載し、外部からのチップセレクト信号により回路が選択された場合に、クロック信号に同期してディジタルデータに変換された光検出素子の信号を輝度制御回路に送出して輝度を調整する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量より小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位が変化し、所望の発光が望めない。
【解決手段】ＴＦＴ３２のゲート・ソース間にキャパシタ３３を接続し、ＴＦＴ３２のソースをスイッチングトランジスタであるＴＦＴ３６を介して接地電位ＧＮＤに選択的に接続するとともに、キャパシタ３４およびＴＦＴ３７〜３９の作用によってＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルする構成の画素回路１１が行列状に配置されてなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、第１行目から閾値キャンセル動作開始から書き込み動作開始までの期間に相当する行数Ｍ＋１だけ最終行ｎよりも手前の第Ｎ行目までの各画素の領域を有効画素領域１２Ａとして用いる。 （もっと読む）