【課題】 複数のサブ領域の輝度を均一化させる。
【解決手段】 電気光学装置１０の表示領域Ｚは、複数の表示パネルＺ１〜Ｚ４で構成される。各表示パネルＺ１〜Ｚ４には画素回路４００が形成されており、そこにはＯＬＥＤ素子が設けられている。電源回路１８は各表示パネルＺ１〜Ｚ４の輝度が均一になるようにオフセット電圧Ｖofs1〜Ｖofs4を生成する。Ｘドライバ１６は階調電圧信号を画像データＤに基づいて生成し、これにオフセット電圧を加算して出力階調電圧信号を生成する。そして、Ｘドライバ１６は三角波電圧信号ＳＳと出力階調電圧信号とを時分割多重して得たデータ信号をデータ線１０３に供給する。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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【課題】 素子の信頼性を向上させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による有機電界発光表示素子は、透明絶縁基板上にゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、前記透明絶縁基板上のコンタクトビアホールが形成された平坦化膜の上部に設けられ、前記コンタクトビアホールを介して前記ソース／ドレイン電極のいずれか一方に接続され、前記平坦化膜にまで延びたエッチング面を有する画素電極と、前記構造の上部に設けられ、前記画素電極の発光領域を定義する画素定義膜パターンと、前記画素電極の発光領域に設けられ、少なくとも発光層を含む有機膜と、全体表面の上部に設けられる対向電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光素子は、周囲の温度（以下環境温度と表記）により、その抵抗値（内部抵抗値が変化する性質を有する。具体的には、室温を通常の温度としたとき、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。上述したような発光素子が有する性質により、環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】
本発明の表示装置はモニター素子を設け、電流源よりモニター素子に電流を供給し、モニター素子にかかる電圧を画素の発光素子に印加する。 （もっと読む）

【課題】外部から供給される信号が不測の原因で途絶した場合、表示部や駆動回路部を誤動作もしくは損傷から保護可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】表示部Ｄはマトリクス状に配された画素を有し、システム制御部Ｓは画像信号及び制御信号を含む信号を供給し、駆動回路部Ｈ，Ｖはシステム制御部Ｓから供給された制御信号に応じて表示部Ｄを駆動し同じくシステム制御部Ｓから供給された画像信号に基いて表示部Ｄに画像を表示する。システム制御部Ｓから駆動回路部Ｈ，Ｖに供給される信号の経路中に保護回路Ｚが挿入されている。保護回路Ｚは、システム制御部Ｓから制御信号の供給が途切れた場合、これを検出してシステム制御部Ｓからの制御信号の外部的供給を遮断する一方、内部的に代替の制御信号を生成しこれを駆動回路部Ｈ，Ｖに供給する。 （もっと読む）

【課題】 動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】 画素内に形成されるスイッチング用ＴＦＴ２０１はマルチゲート構造になっており、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。また、電流制御用ＴＦＴ２０２はスイッチング用ＴＦＴよりも大きなチャネル幅を有し、電流を流すのに適した構造となっている。さらに、電流制御用ＴＦＴ２０２のＬＤＤ領域３３は、ゲート電極３５と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 （もっと読む）

【課題】 トランジスターの金属層間の静電気を防止できるようにしたトランジスターとその製造方法及び発光表示装置を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するために，本発明に係る発光表示装置の代表的な構成は，第１幅Ｗ１で形成される半導体層１５０と，少なくとも一つの第１金属層１５６と，上記第１金属層１５６と交差して第２幅Ｗ２で形成される第２金属層１５８とを有し，少なくとも上記半導体層１５０と上記第２金属層１５８が重畳される位置において，上記半導体層１５０の第１幅Ｗ１が，上記第２金属層１５８の第２幅Ｗ２より広いことを特徴とする。これによりソース／ドレイン金属層が半導体層の内側に位置するようになり，ゲート金属層にチップが発生しても静電気を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ装置の小型化を実現して信頼性を向上させる。
【解決手段】 画素駆動用信号線に電気的に接続され、画素毎に形成された複数の第１電極に対向する第２電極と、第１電極及び第２電極間に挟持される発光層と、周辺領域に配線され、一端側が、画素駆動用信号線に電気的に夫々接続されると共に、他端側が外部回路に夫々接続される複数の入出力信号線と、周辺領域において第２電極と電気的に接続される第２電極用配線とを備え、周辺領域には、複数の入出力信号線が一端側から他端側に向かうにつれて少なくとも部分的に集約されることによってコンタクト領域が設けられており、第２電極用配線は、コンタクト領域に配置されるコンタクト部において第２電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 駆動トランジスタのしきい電圧を補償することができる画素回路を含む発光表示装置を提供する。
【解決手段】 発光表示装置の画素回路において，キャパシタは，一方の電極が第１トランジスタのゲートに接続されている。第１スイッチング素子は，第１制御信号の第１レベルに応答して駆動トランジスタをダイオード接続状態とする。第２スイッチング素子は，第２制御信号の第２レベルに応答して駆動トランジスタの第１主電極から出力された電流を発光素子に供給する。発光素子は，第２スイッチング素子からの電流に対応して発光する。第１スイッチング素子がオンした状態で，第１期間，第２スイッチング素子がオンし，第１期間の後で第２スイッチング素子がオフする。第１スイッチング素子がオフした状態で第２スイッチング素子がオンする。第１期間は０．０５μｓより長く２．５μｓより短いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】輝度ムラの発生を防ぎ、省スペース化を図ること。
【解決手段】有機ＥＬ素子を有する画素回路１０Ｇ１（１）〜１０Ｇｋ（ｓ）がマトリクス状に配設された表示パネル１０と、画素回路１０Ｇ１（１）〜１０Ｇｋ（ｓ）にそれぞれ接続され、電源供給用および発光制御用の信号が伝送される電源線ｐ（１）、電源線ｐ（２）、・・・と、画素回路１０Ｇ１（１）〜１０Ｇｋ（ｓ）にそれぞれ接続され、発光制御用の信号が伝送される第１制御線ｘ１（１）、第２制御線ｘ２（１）、第３制御線ｘ３（１）、・・・と、表示パネル１０を挟んで両側に設けられ、電源線ｐ（１）、電源線ｐ（２）、・・・に双方接続されかつ第１制御線ｘ１（１）、第２制御線ｘ２（１）、第３制御線ｘ３（１）、・・・に分担接続された一対のゲートドライバ３０Ｒ１およびゲートドライバ３０Ｌ１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 発光取り出し面を見る角度に依存した発光スペクトルの変化が低減された発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を解決する表示装置は、基板上に形成された第１の絶縁層と、その上に形成された第２の絶縁層と、さらにその上に形成された半導体層とを有している。また、第２の絶縁層及び半導体層を覆ってゲート絶縁層が形成され、ゲート絶縁層上にはゲート電極が形成され、ゲート絶縁層及びゲート電極を覆って第１の層間絶縁層が形成されている。そして、第１の層間絶縁層、ゲート絶縁層及び第２の絶縁層を貫通して開口部が形成され、第１の絶縁層及び前記開口部を覆って形成された第２の層間絶縁層を有し、開口部上に形成された発光素子を有する。 （もっと読む）

【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 画面全体を均一な輝度で表示する。
【解決手段】 書込期間においてＴＦＴ４０１はオン状態となる一方、ＴＦＴ４０２はオフ状態となる。従って、第１容量素子４１０には階調電圧Ｖdataと電荷保持基準電圧との差分電圧が印加される。そして、差分電圧に応じた電荷が第１容量素子４１０に保持される。発光期間においてＴＦＴ４０２がオン状態になると、第１容量素子４１０に保持された電荷がＯＬＥＤ素子４２０に供給され、ＯＬＥＤ素子４２０は電荷量に応じた光量の光を発光する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素ＴＦＴごとに２個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードＤ１，Ｄ２を構成するｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に、低濃度のｐ-領域４７またはｎ-領域を形成し、このｐ-領域４７またはｎ-領域の基板水平方向長さをｐ+領域４６やｎ+領域４８よりも長くするため、ｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に形成される空乏層５３がｎ-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス方式に代表される、トランジスタ４を駆動素子として用いる電流駆動方式の発光装置において、簡素な構成によって従来よりも発光効率を向上させる。
【解決手段】 発光素子２と、発光素子２を駆動する駆動回路３とを備える発光装置であって、駆動回路３中にトランジスタ４が介装されるとともに、トランジスタ４の電流経路に、発光素子２から発する光により電気抵抗が低下する物質を含有させる。 （もっと読む）

マトリックス表示素子は、その各々が、表示素子(20)と、該表示素子の動作を制御する制御回路とを有する、そのアドレス指定可能画素のアレイ(10)を備える。該制御回路は、電荷蓄積コンデンサ(36)と、該蓄積コンデンサに結合されて、その感光素子(40)上に照射する光によって該蓄積コンデンサ(36)上に蓄積される電荷を調節するその感光素子(40)とを有する。該制御回路は更に、好適的には光トランジスタである、該感光素子(40)のゲート端子の電圧独立制御手段(42)を備える。このようにして、該光トランジスタのバイアスの効率と柔軟性とを増大させることが可能になる。該手段は、好適的には、該感光素子(40)のゲート端子に接続されている第２行線(42)を備える。このような別の線によって、この種類の画素回路に、同一極性のトランジスタを用いることも可能となり、更にプロセス・マスク（及びコスト）が節減される。更に、該光トランジスタをTFTスイッチとして用いることが可能となる。このデュアル機能（光トランジスタ/TFTスイッチ）によって、画素回路が、例えば、動きのぶれを補償するデューティ・サイクル手法などの、別の特徴を備えることが可能となる。
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【課題】予め、対向基板側に厚さ方向に貫通する開口部を対向基板の所望の位置に形成することで、アクティブ基板と対向基板とを張り合わせた後に一方の基板のみを切断することなく、張り合わせた基板の切断を可能とする。
【解決手段】第１基板１１上に薄膜デバイス層１２を形成する工程と、第２基板２１に厚み方向に貫通させた開口部２２を形成する工程と、前記第１基板１１と前記第２基板２１とを張り合わせる工程と、化学処理および研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により、前記張り合わせた基板のうち少なくとも一方の基板を完全または部分的に分離または除去する工程とを備えた薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 表示パネルに配設されたデータラインに寄生する容量成分に起因する表示データの書込不足を抑制して、適正な輝度階調で発光素子を発光動作させ、表示画質の改善を図ることができる表示装置及びその駆動制御方法を提供する。
【解決手段】 表示装置１００Ａは、複数の表示画素ＥＭが２次元配列された表示パネル１１０と、各走査ラインＳＬに走査信号Ｖselを印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ１２０と、各データラインＤＬへ表示データに応じた階調電流Ｉpixを供給するデータドライバ１３０と、階調電流Ｉpixの供給に先立つタイミングで、プリチャージ電圧Ｖpcgを各データラインＤＬに印加するプリチャージ回路１４０と、プリチャージ電圧Ｖpcgの印加に先立つタイミングで、リセット電圧Ｖrstを各表示画素ＥＭに印加するリセット回路１５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】 書込時間に対するマージンを損なうことなく完全な黒データ信号を書込むことのできる表示装置を提供する。
【解決手段】 １列に整列する画素（ＰＸ１−ＰＸ３）に対し、複数のデータ線（ＤＬ１Ｏ，ＤＬ１Ｅ）を設け、一方を所定電圧（ＶＰ）にプリチャージし、かつ他方を介して選択画素に書込電流または黒データに対応する電圧を供給する。これらのデータ線には、異なる行の画素が所定のシーケンスで接続される。 （もっと読む）