【課題】信号線や走査線からの寄生容量を介しての容量素子への飛び込み電位の進入を防止することができ、これによりクロストーク等の表示不良を防止することが可能なアクティブマトリックス型の表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に複数行の走査線１と複数列の信号線２とがマトリックス状に配線され、これらの各交差部に画素電極と当該画素電極を駆動するための画素回路とを備えた画素部が設けられた表示装置において、画素回路を構成する容量素子（保持容量Ｃｓ、オフセット容量Ｃoff）を覆う状態で、走査線１および信号線２に対して電界シールドとなる金属パターン１０６を配置した。この金属パターン１０６は、定電位の直流電源に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 発光時間のデューティ比によって表示輝度を制御するデューティ駆動の場合に生じるフリッカを抑制する。
【解決手段】 データ線駆動回路１４はシステム回路１６からフレーム単位で供給される映像データ信号を各画素１１に供給する。走査線駆動回路１３はシステム回路１６から供給される発光制御信号ＤＳに応じて動作し、フレーム毎に画素１１を線順次選択して映像データ信号に応じた輝度で各発光素子１７を発光させる。システム回路１６は、発光制御手段Ｚを備えており、画面輝度情報に応じて１フレーム内における発光時間と非発光時間とのデューティ比を設定し、該デューティ比に応じて各発光素子１７を発光させるとともに、１フレームを複数のサブフレームに分割し各サブフレームで該デューティ比に応じた発光時間だけ各発光素子１７を発光させてフリッカを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 マルチパネルを有すると共に駆動回路を簡素化したマルチパネル表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】マルチパネル表示装置は、データラインDL1〜DLmが共通に連結される複数の表示パネル41A〜41Ｉと、データを時分割して前記データラインに供給するデータ駆動部40とを備える。また、マルチパネル表示装置は、各々のスキャンラインSLA1...を備える表示パネル41A〜41Ｉに対応して、独立的にスキャンパルスを供給する各々のスキャン駆動部42A〜42Ｉを備え、データ駆動部40及び複数のスキャン駆動部42A〜42Iを制御するタイミング制御部43を備える （もっと読む）

【課題】 動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】 画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。さらに第３パッシベーション膜４５はＴＦＴ側からの水分や酸素の侵入を防ぎ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を分散させてＥＬ素子２０３の劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
光センサを搭載し、このセンサの出力に応じて自動調光を行う表示装置の改良、特に、小型軽量でありながら、ノイズによる影響を受けにくく、また、衝撃等にも強い構成を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の表示装置の基板上に、光検出素子、アナログ−ディジタル変換回路、パラレル−シリアル変換回路を搭載し、外部からのチップセレクト信号により回路が選択された場合に、クロック信号に同期してディジタルデータに変換された光検出素子の信号を輝度制御回路に送出して輝度を調整する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量より小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位が変化し、所望の発光が望めない。
【解決手段】ＴＦＴ３２のゲート・ソース間にキャパシタ３３を接続し、ＴＦＴ３２のソースをスイッチングトランジスタであるＴＦＴ３６を介して接地電位ＧＮＤに選択的に接続するとともに、キャパシタ３４およびＴＦＴ３７〜３９の作用によってＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルする構成の画素回路１１が行列状に配置されてなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、第１行目から閾値キャンセル動作開始から書き込み動作開始までの期間に相当する行数Ｍ＋１だけ最終行ｎよりも手前の第Ｎ行目までの各画素の領域を有効画素領域１２Ａとして用いる。 （もっと読む）

【課題】輝度応答性の良いカラーディスプレイシステムを提供する。
【解決手段】カラー信号源と、画面暫存ユニットと、保存ユニットと、函数演算により得られるオーバードライブ（OVER DRIVING）電圧値（OD値と称される）演算還元モジュールと、比較ユニットと、マルチ比較ユニットと、からなり、前記マルチ比較ユニットにより、OD値演算還元モジュール、カラー信号源、及び、比較ユニットにより入力されるOD演算還元値、輝度グレイレベル値、及び、比較情報を比較して出力する。 （もっと読む）

【課題】 走査線の単位で配置された異なった色の発光素子に対して、異なった値の電圧を印加する。
【解決手段】 有機ＥＬ素子３０は、それぞれ赤色、緑色、青色で発光する。走査線駆動回路１４は、走査信号を生成する。Ｒ電源１８、Ｇ電源２０、Ｂ電源２２は、電圧の値が異なった電源である。選択回路１６は、タイミング信号２１０にもとづいて、Ｒ電源１８、Ｇ電源２０、Ｂ電源２２、ＧＮＤ２４のうちからいずれかひとつを選択する。選択回路１６は、電圧印加線２１４を介して、選択した電源の電圧を少なくとも駆動対象の有機ＥＬ素子３０に印加する。ＰＷＭ回路２６は、パルス信号２１２として入力した画素値にもとづいて、選択回路１６で選択された電源の電圧をパルス幅変調する。 （もっと読む）

【課題】 ドライブトランジスタのドレイン電流の経時変化を補償可能な画素回路を提供する。
【解決手段】 サンプリングトランジスタＴｒ１は入力信号Ｖｓｉｇをサンプリングして保持容量Ｃ１に保持する。ドライブトランジスタＴｒ２は、保持容量Ｃ１に保持された信号電位に応じて発光素子ＥＬに駆動電流Ｉｄｓを供給する。ドライブトランジスタＴｒ２の経時的変化に伴う駆動電流Ｉｄｓの低下を補うため補償回路７を備えている。補償回路７は、出力ノードＢ側から駆動電流Ｉｄｓの低下を検出し、その結果を入力ノードＡ側にフィードバックするため、駆動電流Ｉｄｓによって運ばれる電荷を一定時間蓄積して蓄積電荷量に応じた検出電位を出力する検出手段と、入力信号Ｖｓｉｇのレベルと検出電位のレベルとを比較して差分を求め差分に応じた電位を保持容量Ｃ１に保持された信号電位に加えるフィードバック手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 新規なチオフェン環型有機半導体材料を開発し、作製直後のキャリア移動度が高く、キャリア移動度の経時劣化が少ない、有機半導体膜、ならびに、有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、有機半導体膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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【課題】 偽輪郭を改善する。
【解決手段】 第１期間Ｔ１は高輝度に対応し、第２期間Ｔ２は低輝度に対応する。第１書込期間Ｔ１wrtにおいて、高輝度に対応する設定電流を書き込み、第１発光期間Ｔ１elにおいてＯＬＥＤ素子を発光させる。一方、第２書込期間Ｔ２wrtにおいて、低輝度に対応する設定電流を書き込み、第２発光期間Ｔ２elにおいてＯＬＥＤ素子を発光させる。ここで、第１発光期間Ｔ１elと第２発光期間Ｔ２elとは隣接すように設定する。これにより、視覚刺激の分布を近接させ、偽輪郭を防止する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＥＬディスプレイ中の画素領域を製造する方法であって、基板上に少なくとも一つのバッファ層が形成され、エッチング停止層がバッファ層上に形成され、少なくとも一つの中間層がエッチング停止層上に形成され、上記中間層がエッチングされ、エッチング停止層が露出され、エッチング停止層及び中間層をそれぞれ選択的にエッチングできる選択エッチングレートを有し、エッチング停止層がエッチングされ、バッファ層が露出される。バッファ層とエッチング停止層はそれぞれについて選択的にエッチング可能な選択エッチングレートを有する。本発明は、このようにして露出したバッファ層の表面平坦度を向上させＥＬディスプレイの発光能力が劣化しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 表示ムラを低減するための電流駆動方式のドライバ回路にも電流出力段を構成するトランジスタ素子にバラツキが発生する。そのため、各出力端子からの階調出力電流にバラツキが発生し、良好な画像表示ができない。
【解決手段】 ＥＬ表示パネルと、アノード電圧を発生する第１の電圧発生回路と、カソード電圧を発生する第２の電圧発生回路を具備し、前記第２の電圧発生回路の電力容量を略一定とし、前記ＥＬパネルに印加される映像信号から点灯率を求め、前記点灯率に対応させて前記カソード電圧を変化させることを特徴し、Ａで示すアノード電圧Ｖｄｄの絶対値と、Ｂで示すカソード電圧Ｖｓｓの絶対値とは、Ａ＜Ｂの関係となるように構成している。第２の昇圧回路の電力容量リミットで制御されている。は規定容量以上の電力は出力されない。そのため、カソード電流とカソード電圧を積算した値が一定値以下となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 駆動トランジスタ２１０の特性ばらつき等の影響を少なくする。
【解決手段】 第１フレームの選択期間では、スイッチ２２４の端子ｃ、ａの間を閉成させ、トランジスタ２１３をオンさせ、目標電流に応じた電圧をデータ線１１２に印加し、第１フレームの非選択期間では、トランジスタ２１３をオフさせ、第２フレームの選択期間では、スイッチ２２４が端子ｃ、ｂの間を閉成させ、トランジスタ２１３をオンさせ、目標電流に応じた電圧に抵抗素子２２６の両端電圧を加算した加算電圧をデータ線１１２に印加し、第２フレームの非選択期間では、スイッチ２２４の端子ｃ、ａの間を閉成させ、トランジスタ２１３をオフさせて、駆動トランジスタ２１０のゲート電圧を、前記第２フレームの選択期間における抵抗素子２２６の両端電圧だけ減少させる。 （もっと読む）

【課題】デュアルスキャン表示を行なうパッシブマトリクス駆動形式の表示パネルにおいて、上半分と下半分の境界線で瞬間的に輝線が生ずるような問題を解消すると共に、上半分と下半分に跨るようにして移動表示される図形が不自然な表示状態になることを解消する。
【解決手段】上半分と下半分の表示領域において、走査選択動作の方向が互いに異なるように、上半分のパネルは画面の上端から中央に向かってスキャンし、同時に下半分のパネルは画面の下端から中央に向かってスキャンし、上半分表示領域の走査選択動作の開始時刻と、下半分の表示領域の走査選択動作の開始時刻とが、少なくとも一走査線の走査時間以上異なるように制御する。 （もっと読む）

【課題】電気光学素子の特性変動及びトランジスタの閾電圧変動に対する補償機能を付加した画素回路において、構成素子数を削減する。
【解決手段】 画素回路１０１は、サンプリングトランジスタ１１５、ドライブトランジスタ１１１、スイッチングトランジスタ１１２、第１検知トランジスタ１１３及び第２検知トランジスタ１１４とで構成されている。サンプリングトランジスタ１１５は信号線ＤＴＬ１０１から入力信号をサンプリングして容量素子Ｃ１１１に保持する。ドライブトランジスタ１１１は、容量素子Ｃ１１１に保持された信号電位に応じて電気光学素子１１７を電流駆動する。第１及び第２検知トランジスタ１１３，１１４は、電気光学素子１１７の電流駆動に先だってドライブトランジスタ１１１の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に検知した電位を容量素子Ｃ１１１に保持する。 （もっと読む）

【課題】 大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 （もっと読む）

【課題】 駆動期間を長くすることなく、駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する輝度のむらを補償することができる表示装置および駆動方法を提供する。
【解決手段】 画素回路Ａｉｊは、ゲート配線Ｇｉとソース配線Ｓｊとの組み合わせに対応して設けられ、電源配線Ｖｐからの電流によって駆動される有機ＥＬ素子ＥＬ１と、ゲート配線Ｇｉからの走査信号によって導通が制御され、導通時にソース配線Ｓｊからのデータを出力するスイッチ用トランジスタ１３と、電源配線Ｖｐから有機ＥＬ素子ＥＬ１への電流の供給を上記データに応じて制御する駆動用トランジスタ１３と、ブランキングを行うためのスイッチ用トランジスタ１２と、ブランキングが行われている期間に、駆動用トランジスタ１３の閾値電圧のばらつきを補償するために駆動用トランジスタ１３のゲート端子とソース端子またはドレイン端子とを短絡させるスイッチ用トランジスタ１４とを備える。 （もっと読む）