【課題】基板上面にどのようなパターンで電極が装着されていても、同じ光透過量調整マスクを用いて、電極に伝わるレーザーのエネルギー量を適切な量に抑えることができる接合基板の製造方法、製造装置及び光透過量調整マスクを提供する。
【解決手段】基板１の上方に、シール部材２を介して光透過性の第二基板３を配置し、第二基板３の上方に光透過性の保持部４を配置し、保持部４上面のシール部材２の上方位置に、光透過量を調整する調整部材５を配置し、調整部材５を介してシール部材２にレーザーを照射することで、基板１と第二基板３とを、レーザー照射で溶融されたシール部材２によって接合して、接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜の結晶性を非加熱処理で向上させつつ、キャリア移動度（電子注入）を高める有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】トップエミッション型有機ＥＬ素子の製造方法は、基板４上に第一電極である反射陽極７、有機発光層１２を含む有機薄膜１２、ｎ型ドーパントを含む電子注入性保護膜１３、及び第二電極であるＩＴＯからなる透明電極１４をこの順に形成する工程と、第一電極７、有機薄膜１２、電子注入性保護膜１３、及び第二電極１４を覆うように封止層３０を形成する工程とを備え、電子注入性保護膜１３上に形成されたＩＴＯ膜の面方位２２２におけるＸＲＤ回折ピーク強度はアモルファスＩＴＯ膜のそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法を提供すること。
【解決手段】有機発光表示装置は第１基板、第１電極、画素定義膜、有機発光構造物、第２電極などを含むことができる。有機発光構造物は、正孔輸送層、疎水性パターン、有機発光層、電子輸送層などを含むことができる。画素定義膜は第１基板と第１電極上に配置され、画素領域の第１電極を露出させることができる。正孔輸送層は画素定義膜と露出した第１電極上に配置されることができる。疎水性パターンは非画素領域の正孔輸送層上に配置できる。有機発光層は画素領域の正孔輸送層上に配置できる。電子輸送層は疎水性パターン及び有機発光層上に配置でき、第２電極は電子輸送層上に配置できる。疎水性パターンによって有機発光層が画素領域にのみ選択的に形成し有機発光表示装置の発光特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子を用いたトップエミッション方式の発光装置において、光出射側にある第２電極における電圧降下を抑制するために第２電極に接続する補助配線を設けるにあたり、逆テーパー状の側部を有する隔壁を用いて補助配線を形成すると、隔壁の逆テーパー状の側部によって第２電極が段切れし、電圧降下を抑制することができない。
【解決手段】 基板上に形成された逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁間に形成された第１電極と、前記隔壁上に形成された第３電極と、前記第１電極上と前記第３電極上の一部に形成された有機層化合物と、前記第３電極上と前記有機化合物層上に形成された第２電極とを備える発光装置において、前記有機化合物層は、前記隔壁よりも厚い膜厚で、前記第１電極の上から前記隔壁の上部の一部にかけて連続して形成されている。 （もっと読む）

【課題】衝撃や外力に強いガラス封止体の作製方法を提供する。また、当該ガラス封止体で封止された発光装置の作製方法を提供する。
【解決手段】閉曲線を成す吐出口より粉末ガラスとバインダを含むペーストを吐出させ、当該ペーストにより第１のガラス基板上に閉曲線を成す隔壁を設ける工程と、隔壁を加熱し、バインダを揮発させると共に粉末ガラス同士を融合させてフリットガラスとする工程と、フリットガラスと第２のガラス基板を密着させつつ加熱し、フリットガラスと第２のガラス基板とを溶着させ、フリットガラスと第１のガラス基板と第２のガラス基板とで閉空間を形成する工程と、を有するガラス封止体を作製する。当該ガラス封止体に発光素子を密封させると衝撃や外力を加えても封止が極めて破れにくいため、外気に弱い発光素子、特に有機ＥＬ素子の長寿命化に有効である。 （もっと読む）

【課題】欠陥のある画素の修復の際に、正常に形成された周囲の画素の劣化を避ける。
【解決手段】欠陥のある画素Ａの周囲の正常画素Ｂ１，Ｂ２の表面に、ＥＭＬ１０３を溶解しない保護液１０５を塗布する工程と、欠陥のある画素Ａの修復を行う工程と、正常画素Ｂ１，Ｂ２に塗布した保護液１０５を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで合成が可能であり、かつ高い量子収率で紫外発光を示す蛍光体を提供する。
【解決手段】ドデシル硫酸アニオン層がＣｅ（ＯＨ）_ｘ層の間に挿入された層状有機無機ハイブリッド蛍光体、及びドデシル硫酸アニオン層がＣｅＯ_２−ｙ層の間に挿入された層状有機無機ハイブリッド蛍光体。 （もっと読む）

【課題】部材間に過不足なく液状樹脂を行き渡らせることができる接合部材の製造方法及び接合部材製造装置を提供すること。
【解決手段】接合部材製造装置１は、塗布面Ｄｆに液状樹脂Ｇを塗布する液状樹脂塗布装置２１と、第１の部材Ｄを保持する第１の保持具１１と、第２の部材Ｐを保持する第２の保持具３１と、液状樹脂Ｇに増粘処理を施す増粘手段４１と、制御装置６０とを備える。制御装置６０の制御により、第１の部材Ｄ、液状樹脂Ｇ、第２の部材Ｐを鉛直方向に配列し、塗布面Ｄｆと接合面Ｐｆとに挟まれた液状樹脂Ｇに対して弾性変形する粘度に部分的に増粘処理を施し、その後に液状樹脂Ｇの上方にある部材Ｄを保持している保持具１１の保持を開放して部材Ｄの自重を液状樹脂Ｇに加えることで、部分的な増粘処理が行われた液状樹脂Ｇを弾性変形させて増粘処理されていない液状樹脂Ｇを両部材Ｄ、Ｐが重なる範囲の全面に過不足なく行き渡らせることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層
する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造で素子特性を向上することが可能な表示装置およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、複数の画素と、複数の画素の間の少なくとも一部に設けられた複数の第１撥液領域と、隣り合う複数の第１撥液領域の間にそれぞれ設けられた複数の第１親液領域とを有する表示領域と、少なくとも一部に第２親液領域が形成された周辺領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせた一対の基板の一方からのみレーザ光を照射することで、基板を冷却材等で汚染することなく、一対の基板を一度に分割する。
【解決手段】局所加熱光を第１及び第２のガラス基板１０１、１０２の間に配置された封止用接合材１０４及び分割用接合材１０５に照射して加熱溶融させ、第１のガラス基板１０１と第２のガラス基板１０２とを接合する工程と、分割用接合材１０５の延在方向の端部に局所加熱光の有効ビーム径のスポットが重なるように照射し、第１及び第２のガラス基板１０１、１０２の一端部に亀裂を生じさせた後に、第１及び第２のガラス基板１０１、１０２の他端部まで分割用接合材１０５に沿って局所加熱光を走査することによって、分割用接合材１０５を介して第１及び第２のガラス基板１０１、１０２を分割する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封着材料付きガラス基板を作製する際に、有機バインダーを完全に焼却除去し得る方法を創案することにより、有機ＥＬデバイスの長期信頼性を高めることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の封着材料層付きガラス基板の製造方法は、ガラス基板を用意する工程と、ガラス粉末を含む封着材料と、有機バインダーを含むビークルとを混合して、封着材料ペーストを作製する工程と、前記ガラス基板に前記封着材料ペーストを塗布して、塗布層を形成する工程と、前記塗布層を前記ガラス粉末のガラス転移点より高く、且つ前記封着材料のガラス転移点未満の温度で熱処理して、前記有機バインダーを焼却除去する工程と、前記有機バインダーを焼却除去した前記塗布層を熱処理して、封着材料層を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】接合材の厚さに制限されることなく、より確実にかつより強い強度で接合された接合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】加熱光５の照射によって加熱溶融する接合材４を用いて第一および第二の部材２，３が接合された接合体１の製造方法に係る。第一の部材２の、第二の部材３と接合される接合面に第一の接合材料層４ａを形成する工程と、第一の接合材料層４ａの、第一の部材２と接触している面とは反対側の面、または第二の部材３の、第一の部材２と接合される接合面に、所定の波長を有する第一の加熱光５に対して第一の接合材料層４ａの吸光率よりも大きい吸光率を有する第二の接合材料層４ｂを形成する工程と、第一および第二の部材の間に第一および第二の接合材料層４ａ，４ｂを挟んだ状態で第一および第二の部材を配置する工程と、第一の加熱光５を、第一の接合材料層４ａの側から照射する第一加熱光照射工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】共通電極の配線抵抗を低め、共通電極を保護するための有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、基板１と、基板１上に備えられた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う第１絶縁膜２１８と、第１絶縁膜２１８上に形成され、薄膜トランジスタと電気的に連結された第１電極２２１と、第１電極２２１を覆うように第１絶縁膜２１８上に形成され、第１電極２２１の一部を露出させる開口２１９ａを持つ第２絶縁膜２１９と、第２絶縁膜２１９上の一部及び第１電極２２１上に形成された有機発光層と、第２絶縁膜２１９及び有機発光層上に形成された第２電極２２２と、第２電極２２２上の第１領域上に形成されて第１エッジ２２４ａを持つキャッピング層２２４と、第２電極２２２上の第１領域以外の領域である第２領域上に形成され、キャッピング２２４層の第１エッジ２２４ａの側面とその側面が互いに当接する第２エッジ２２３ａを持つ第３電極２２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供
することを課題とする。特に、選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて
低コストで大型なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて、画素部の電源供
給線をマトリクス状に配置する。また、選択的にパターン形成することが可能な作製方法
を用いて、隣接する配線間の距離を大きくして配線間容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】隣接する開口部に吐出される液滴の体積の総量を、簡易な制御で均一化することが可能な有機ＥＬ表示パネルの製造方法等を提供する。
【解決手段】開口部１７を形成したＥＬ基板と、ノズル３０３０を所定のノズルピッチＬ１で複数配置したヘッド部３０１とを準備する第１工程と、ＥＬ基板に対しヘッド部３０１をＸ方向に走査させながら、各開口部１７に対し、それらに対応するノズル３０３０からそれぞれ液滴を吐出させる第２工程を含み、第２工程において、各開口部１７に対しヘッド部３０１を複数回にわたって走査させるとともに、１走査毎に、ノズルピッチＬ１の整数倍に相当する距離であって、Ｙ方向に隣接する二の開口部における向かい合う開口部の端部同士の距離以上、二の開口部の一端から他端までの距離以下だけ、ヘッド部３０１をＹ方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）₀ と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ１１は成膜時に（Ｉｉ／Ｉｅ）を算出し、前記成膜速度検量線を用いてＤ／Ｒを求め、求めたＤ／Ｒに基づいてマスフローコントローラ５を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置において、製造工程の簡易化を図りつつ、光取り出し効率を高める。
【解決手段】青色発光素子Ｕ３のコンタクトホールの段差部分に対応する透明電極層１５を補強するために、当該段差部分に補強用導電膜５００を形成する。また、この補強用導電膜５００の形成工程と同一工程において赤色発光素子Ｕ１および緑色発光素子Ｕ２の反射膜兼画素電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】白色の有機ＥＬ素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置の製造方法において、製造工程を簡略することができ、かつ、低コストで光取り出し効率を高める。
【解決手段】基板１０に回路素子薄膜１１を形成し、例えば、ダマシン法により赤色発光素子Ｕ１の反射層兼画素電極１２、緑色発光素子Ｕ２と青色発光素子Ｕ３の反射層兼画素電極１３を同一工程により形成する。さらにＯＬＥＤ１６層と対向電極３０を形成する。画素電極１２、１３と対向電極３０の間の光路長をＤ、画素電極１２、１３上での反射における位相シフトをφ_Ｌ、対向電極３０での反射における位相シフトをφ_Ｕ、画素電極１２、１３と対向電極３０の間に発生する定在波のピーク波長をλ、２以下の整数をｍとしたとき、Ｄ＝{(２πｍ＋φ_Ｌ＋φ_Ｕ)／４π}λを満たすように光路長Ｄを設定する。画素電極１２と画素電極１３は異種の金属材料を用いて形成する。 （もっと読む）