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Fターム[3K107HH05]の内容

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Fターム[3K107HH05]に分類される特許

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【課題】OLED素子の劣化、TFT駆動トランジスタの閾値電圧の不均一性及びバックプレーン電源のIR Dropを効果的に補償し表示效果を向上するとともに、大きいサイズのパネルに適用できる画素ユニット回路及びOLED表示装置を提供する。
【解決手段】第一のサブ回路モジュール、第二のサブ回路モジュール、第一のコンデンサ及び有機発光表示ダイオードOLEDを備える画素ユニット回路において、第一のサブ回路モジュールの一方の入力端がデータラインに接続され、第一のサブ回路モジュールの他方の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの一端に接続され、第一のサブ回路モジュールの出力端と第二のサブ回路モジュールの入出力端は第一のコンデンサによって接続され、第二のサブ回路モジュールの入力端とOLEDの他端との間にバックプレーンの正負電源の電圧差が印加される。 (もっと読む)


【課題】非晶質半導体や多結晶半導体以外の半導体材料を用いた回路の形成を可能にした表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】バックゲートを有し、当該バックゲートの電位が少なくとも発光期間にソース電位と同電位に設定された、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタを備える表示装置において、駆動トランジスタのドレイン電位が遷移するのと同時またはそれよりも前にバックゲートの電位を遷移させることで、駆動トランジスタのドレイン領域及びソース領域の近傍に形成される寄生バイポーラトランジスタによって引き起こされるリーク電流を抑えるようにする。 (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタT1の閾値電圧の非均一性とIR Dropを補償することができない。
【解決手段】画素ユニット回路を備える画素回路アレイであって、前記画素ユニット回路は、プレチャージ回路、補償回路、保持回路、駆動回路、発光回路、第1の電源端子、第2の電源端子、第3の電源端子、走査制御端、第1の制御端および第2の制御端を備えている。中には、プレチャージ回路の入力端が第1の電源端子に接続され、第1の出力端が保持回路の入力端に接続され、第2の出力端が前記補償回路の入力端および前記駆動回路の制御端に接続され、制御端は走査制御端に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 有機発光ダイオードの色毎に異なる発光効率や電圧-電流特性を補正することができ、有機発光ダイオードの陽極の電位変化に伴う駆動トランジスタのゲート電極−ソース電極間の電圧の変化のばらつきを低減することができるアクティブマトリクス型有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型有機発光表示装置は、複数色の何れか1色を発光可能な複数の画素PXR、PXG、PXBを備える。駆動トランジスタDRは、発光色毎にチャネル幅Wとチャネル長Lとの比が異なる。駆動トランジスタDRは、発光色毎にそれぞれ、1つのトランジスタ、又は直列に接続された2つ以上のトランジスタで形成される。駆動トランジスタDR内の有機発光ダイオードの陽極側のトランジスタのチャネル幅及びチャネル長は、全ての発光色の画素で等しい。 (もっと読む)


【課題】画素内に作り込む容量素子をメタル層−メタル層間以外に形成することで、画素の断面構造の自由度を上げることを可能にした表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、メタル層に電圧を印加することによって、画素内に作り込む容量素子を形成するようにする。 (もっと読む)


【課題】簡易な方式で調光率の微調整が可能な照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に従う照明装置1は、電源30と、スイッチング素子2と、ダイオード6と、コイル4と、有機EL素子10と、抵抗14と、制御回路20とを含む。そして、電源30からの三角波電流が有機EL素子10に流れ、当該三角波電流の電流量をスイッチング素子2のオン/オフに従って調整する。 (もっと読む)


【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第1のトランジスタ〜第4のトランジスタと、第1の配線〜第
4の配線を有する。第1の配線には電源電位VDDが供給され、第2の配線には電源電位
VSSが供給されている。第3の配線、第4の配線には2値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位VDDと同電位となり、低
レベルのときには電源電位VSSと同電位である。第3の配線と第4の配線の電位の組み
合わせは4とおりあるが、第1のトランジスタ〜第4トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込みつつ駆動トランジスタを介して保持容量に電流を供給する処理を行なう際に電気光学素子がターンオンしてしまうことに起因する表示むら現象を抑制する。
【解決手段】画素回路、表示装置、或いは、電子機器は、表示部と、保持容量と、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタと、保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて表示部を駆動する駆動トランジスタとを備える。好ましくは、表示部の電流路の開閉を制御可能な部材としては、トランジスタを、電流路制御トランジスタとして使用する。電流路制御トランジスタをオン/オフ制御するに当たっては、書込トランジスタを制御する書込駆動パルスと連動して制御してもよいし、書込トランジスタを制御する書込駆動パルスと独立して制御してもよい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第1の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜(第2の結晶性酸化物半導体膜ともいう)を形成する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。
【解決手段】第1のトランジスタのゲートは、第1の走査線に接続されており、第2のトランジスタのゲートは、第2の走査線に接続されており、第1のトランジスタによって、信号線と第3のトランジスタのゲートとの接続が制御され、第2のトランジスタ及び第3のトランジスタは、発光素子が有する画素電極と、電源線との間において、直列に接続されており、信号線、第2の走査線及び電源線は並んでおり、第1の走査線は、信号線、第2の走査線及び電源線と交差していることを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


【課題】発光効率の低下を補償するには、従来は複雑な回路を必要とした。
【解決手段】本発明のイメージディスプレイは、基板と、基板上に形成されたアドレス可能な光放射器であって光放射層と基板上に堆積された光放射層の両側の電極層とを含む光放射器のアレイと、イメージパターンで光を放射させるために光放射器を駆動するための駆動回路と、光放射器により放射された光を検出し該光に応答するフィードバック信号を発生するためにアレイ内の光放射器の光放射層と光学的に直接結合されたフォトセンサ層と、基板上に堆積されたフォトセンサ層の両側の電極層とを含む基板に形成された一つまたは複数のフォトセンサと、駆動回路を制御するためにフィードバック信号に応答するフィードバック制御回路と、一つまたは複数のフォトセンサに入射する周囲光を補償するための手段と、を備え、一つまたは複数のフォトセンサは個別にアドレス可能である。 (もっと読む)


【課題】駆動用トランジスタの特性バラツキに起因して、発光素子の輝度にバラツキが生
じてしまう。
【解決手段】発光素子の少なくとも1つが点灯状態である場合において、画素部に電気的
に接続された電流測定手段を用いて得られた電流値を用いて導出された補間関数が保存さ
れた記憶媒体を有する。補正回路は、記憶媒体に保存された補間関数を用いて、画素に設
けられた駆動用トランジスタの各々における特性を特定し、画素部に入力されるビデオ信
号を補正する機能を有する。電流測定手段は、電流値が得られたあとで、前記画素部から
取り外されて設けられていないものとする。 (もっと読む)


【課題】画素の配列ピッチを等間隔に設定しつつ、画素の開口率を高めることができる電源線の配線レイアウトを提案する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電源回路から電源供給を受けて駆動される電気光学素子を含む、マトリクス状に配置された複数の画素(10)を備えた電気光学装置であって、前記複数の画素(10)は、行方向又は列方向のうち少なくとも何れか一方向に並ぶ一連の画素からなる複数の画素群を構成しており、前記複数の画素群の各々の画素群の間に配線形成領域(31,32,33,34)が設けられ、前記配線形成領域(31,32,33,34)の幅は略等しいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドライバトランジスタのソースに電流発光素子を接続した画素回路を、Nチャンネル型トランジスタのみを用いて構成する。
【解決手段】電流発光素子D1と、電流発光素子D1に電流を流すドライバトランジスタQ1と、ドライバトランジスタQ1の流す電流量を決める電圧を保持する保持コンデンサC1と、画像信号に応じた電圧を保持コンデンサC1に書込む書込みスイッチQ2とを有する画素回路10を複数配列した画像表示装置であって、画素回路10のそれぞれを構成するトランジスタQ1〜Q5はNチャンネル型トランジスタであり、画素回路10のそれぞれは、イネーブルスイッチQ4と、保持コンデンサC1の電圧を初期化するための初期化コンデンサC2と、分離スイッチQ5とをさらに備える。 (もっと読む)


【課題】信号電位の変動を抑制して画質の改善を図る。
【解決手段】水平駆動回路3は、水平周期ごとに画像データに応じた信号電圧を各信号線SLに供給する。垂直駆動回路4は、水平周期ごとに制御信号WSを走査線WSに印加して対応する行の画素2を選択する。選択された画素2は、信号線SLに供給された信号電圧に応じてその階調が変化する。各信号線SLには補完容量Csubが接続しており、水平駆動回路3側又は画素2側の動作の影響を受けて信号線SLに供給した信号電圧が変動する現象を抑制する。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑える。
【解決手段】複数のサブフレーム期間を用いて、階調表示される画素部を有し、
第1のテーブルは、画素部のうち第1の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、第2のテーブルは、画素部のうち、第1の画素に隣接する第2の画素の階調に応じた複数のサブフレーム期間が記録され、同一階調を表示するために第1のテーブルに記録された複数のサブフレーム期間の数と、第2のテーブルに記憶された複数のサブフレーム期間の数は異なり、記第1のテーブルに記憶された、階調が1段階異なっている2つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在し、記第2のテーブルに記憶された、階調が1段階異なっている2つのサブフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間が存在している表示装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層113と、平坦化層113の上面もしくは下面に設けられると共に平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層112を備えた半導体装置であって、これら平坦化層113及びバリア層112の位置関係を工夫することにより平坦化層113に及ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極158の構造として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有し、曲げ等の物理的変化に対して耐性を有する半導体装置および当該
半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜
を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有す
る複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、屈折
部分は、層間絶縁膜に設けられた開口部に層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて
設けられている。また、本発明では、開口部に充填する物質として他にも、層間絶縁膜よ
りガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質を設けることができる。 (もっと読む)


【課題】複雑な構造を要することなく、小型且つ高品位な有機EL装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例のトップエミッション型の有機EL装置100は、基体としての基板10上に配置された、光反射性を有する反射層3Eと、反射層3E上に絶縁層としての第3層間絶縁膜4Hを介して画素毎に配置された、光透過性を有する第1電極としての陽極3Aと、陽極3A上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層4Jと、有機機能層4J上に配置された、光反射性および光透過性を有する陰極2Gと、反射層3Eと陰極2Gとの間に形成された、有機機能層4Jからの光を共振させる光共振器4Nとを備えると共に、反射層3Eと絶縁層4Hと陽極3Aとにより構成された保持容量2Cを有する。このような構成は、ボトムエミッション型の有機EL装置にも適用可能である。 (もっと読む)


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