本発明は、多能性細胞を処理するための方法を目的とし、ＧＳＫ−３Ｂの酵素活性阻害剤で多能性細胞を処理することによって、多能性細胞を培養液中で効率的に増殖させ、かつ分化させることができる。 （もっと読む）

以下の式（１１）、（１２）の内の一方を有する化合物であって、Ｘが芳香族求核置換離脱基であり；Ｒ¹が水素、アルキル基、またはアリール基であり；Ｑ¹がカルボキシル保護基またはアルデヒド保護基である化合物が開示されている。また、これらの化合物を使用して調製できる縮合チオフェン、並びに縮合チオフェンを調製するために使用できるスタンニルチオ含有チオフェン、チエノチオフェン、およびジシエノチオフェン化合物も開示されている。上述した化合物である、縮合チオフェン、並びにスタンニルチオ含有チオフェン、チエノチオフェン、およびジチエノチオフェン化合物を製造する方法および使用する方法も開示されている。
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【課題】チアゾールを用いる有機半導体化合物、及びチアゾールを用いる有機半導体化合物を有機半導体層に使用する有機薄膜トランジスタ、を提供する。
【解決手段】チアゾールを用いる新規な有機半導体化合物は、液晶性を有し、熱的安定性に優れるため、有機薄膜トランジスタで有機半導体層に提供される。これを達成するために、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化物上にチアゾールを含む有機半導体層を形成する。また、有機半導体層の上部の両側領域にはソース電極及びドレイン電極を形成する。有機半導体層を使用した有機薄膜トランジスタは、改善された点滅比を有し、優れた熱的安定性を有する。また、溶液工程が可能であるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜の製造方法、及び、それを用いた電界効果トランジスタ又は光電変換素子等の有機電子素子の製造方法、並びに、移動度に優れたナフタロシアニン膜を提供する。
【解決手段】膜の製造の際に、特定の化学式で表される前駆体化合物の逆ディールスアルダー反応によって、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンに変換し、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高移動度、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】支持体上にゲート電極、絶縁層、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
一般式（１） Ａ−（Ｙ）_n
（式中、Ａは、芳香族炭化水素環、または芳香族複素環、または芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が少なくとも３環以上縮合した縮合環を表し、
Ｙは、−ＣＯ−，−ＣＯＮＨ−，−ＳＯ₂−，−ＳＯ₂ＮＨ−、でそれぞれ表される連結基のうち少なくとも１つを部分構造として有する置換基を表す。ｎは、１〜８の整数を表す。但し、複数のＹは、同じでも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】有機半導体として有用な含ハロゲンチアポルフィリンを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で示される含ハロゲンチアポルフィリン〔式中、Ｘ¹¹はハロゲン原子を表す。Ｙは、ＳまたはＮＨを表す。Ｒは、アルコキシル基等の置換基を表す。ａ＋ｂ≦４であることを条件として、ａは１〜４の整数を表し、ｂは０〜３の整数を表す。〕。
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【課題】多核構造が比較的形成し易く、かつ発光性または触媒活性等の機能を有する多核錯体を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される配位子１個に対して２個以上の金属原子および/または金属イオンをもつ多核錯体。


（式中、Ｑ¹およびＱ²は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、２つのＱ¹が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよく、２つのＱ²が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよい。Ｒ¹およびＲ²は直接結合または置換されてもよい2価の炭化水素基を表し、Ｘは窒素原子またはリン原子を表し、Ｒ³は窒素原子、酸素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる原子を含む１価の有機基、水素原子、または置換されてもよい炭化水素基を表し、２つのＲ³が、直接または間接に結合することによりさらに環を形成してもよい。） （もっと読む）

一方又は両方のイミド窒素に直接的に結合された、置換又は無置換のヘテロシクロアルキル環系を有するテトラカルボン酸ジイミドナフタレン系化合物を含む、有機半導体材料の層を含む薄膜トランジスタ。そのようなトランジスタは、離隔された第１及び第２のコンタクト又は前記材料と接触する電極をさらに含むことができる。さらに、好ましくは、基板上へ昇華によって、有機薄膜トランジスタデバイスの製作方法も開示し、ここでの基板温度は２００℃以下である。
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電子素子または光電子素子におけるブロッキング層、電荷注入層、電極材料、記憶材料、または半導体層自体としての、ｎ−ドーパントの前駆物質の、有機半導体材料をドーピングするための使用。ここで、上記前駆物質は以下の化学式１〜３ｃ：
【化１】


から選択される。
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【課題】発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を提供。
【解決手段】下式で表わされる有機ＥＬ素子材料。
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本発明は、リン光性の発光を利用して、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１２０℃以上、熱分解温度が４００℃以上で熱的安定性を有し、高効率有機光電素子の実現が可能である有機光電素子用材料を提供する。
前記有機光電素子用材料は、分子内に正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットを両方有する両極性の有機化合物を含む。また、前記有機光電素子用材料を利用した有機光電素子も提供される。
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Ａｒが、例えばフェニレン、ビフェニレン又はナフチレンであり、その全てが非置換であるか又はＣ₁〜Ｃ₄アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₄アルケニル、ＣＮ、ＯＲ₁₁、ＳＲ₁₁、ＣＨ₂ＯＲ₁₁、ＣＯＯＲ₁₂、ＣＯＮＲ₁₂Ｒ₁₃若しくはハロゲンで置換されており；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₇及びＲ₈が、互いに独立して、水素又はＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり；Ｒ₃とＲ₅が、共に、及びＲ₄とＲ₆が、共に、非置換であるか又は１つ以上のＣ₁〜Ｃ₄アルキルで置換されているＣ₂〜Ｃ₆アルキレン架橋を形成し；Ｒ₁₁が、水素又はＣ₁〜Ｃ₆アルキルであり；Ｒ₁₂及びＲ₁₃が、互いに独立して、例えば水素、フェニル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈アルキル、１つ以上のＯで中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈アルキルであり；ｎが、１〜１０であり；Ｘが、Ｏ、Ｓ又はＮＲ₁₀であり；Ａ及びＡ₁が、適切な結合基である、式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の化合物は、光潜在性塩基として適している。
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【課題】本発明は、より多くの酸化還元波対を有するドナー有機化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＴＴＦ三量体化合物は、下記式（Ｉ）で表されることを特徴とする。


［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は独立にＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を示し、ｎは２以上の整数を示す］ （もっと読む）

【課題】新規で、変換効率が高く、高耐久性の化合物を用いた、高効率の光電変換素子及びそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を有することを特徴とする光電変換素子及びそれを用いた太陽電池。
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【課題】オートインデューサー−２受容体のアンタゴニストとして有用な化合物を提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表される化合物。


(式中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基など、Ｒ^２は水素原子、ホルミル基、アセチル基、炭素数１〜４のアルキル基を有するフェニルアルキルカルボニル基、炭素数１〜３のアルキル基を有するN-[(ナフチル)アルキル]アミド基などを示す。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池において、半導体層へ吸着させても、光吸収特性が変化し難い有機色素化合物とその用途を提供する。
【解決手段】 特定の骨格を有し、かつ、可視領域に吸収極大を有するエチレン化合物と、斯かるエチレン化合物を含んでなる光増感剤と、活性メチレン基を有する特定の化合物と、アルデヒド基を有する特定の化合物とを反応させる工程を経由するエチレン化合物の製造方法と、該エチレン化合物を含んでなる光増感剤、及び該エチレン化合物を用いる半導体電極、光電変換素子及び太陽電池を提供することによって前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ラジカル種とカチオン種の発生状態を吸収波長の違いで識別できるクロミズム特性を示す新規なスピロオキサジンラジカル誘導体を提供する。
【解決手段】一般式（１）のスピロオキサジンラジカル誘導体。
【化１】


式中、Ｘ¹はカルコゲン元素、アルキリデン基又はシクロアルキリデン基、Ｘ²はカルコゲン元素、Ｒ¹〜Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、また、隣り合う炭素原子にあるＲ¹〜Ｒ¹¹は互いに結合して芳香環あるいは複素環を形成していてもよく、ｎは０又は１である。 （もっと読む）

各イミド窒素原子に独立に結合した置換または非置換の脂環式の環（ただし、２個の脂環式環のうちの少なくとも１つは必ず4-置換シクロヘキシル環（4-位にある置換基は4-置換シクロヘキシル環上のイミド結合以外の唯一の置換基であり、かかる置換基はイミド窒素置換基に対してそれぞれ実質的にトランスまたはシス位のいずれか１つのみとして立体化学的に配置されている）である）を有する立体配置的に制御されたN,N'-ジシクロアルキル置換ナフタレン-1,4,5,8-ビス−カルボキシイミド化合物を含む有機半導体材料の層を含んで成る薄膜トランジスタ。かかるトランジスタは前記材料と接して離間して配置された第１および第２のコンタクト手段または電極をさらに含んでもよい。有機薄膜トランジスタの、好ましくは、基体上への昇華堆積（基体温度は１００℃以下）による製造方法も開示する。
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【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層が、下式で表される化合物を含有する有機トランジスタ。


（Ｒ¹〜Ｒ¹²は、水素原子又は有機残基。Ｒ¹〜Ｒ⁸の隣り合う同士は環を形成しても可） （もっと読む）

本発明は、一般に有機化学の分野に、及び、特に、有機光起電力デバイスのための有機の化合物に、関係する。より具体的には、本発明は、有機の化合物及びこれらの化合物に基礎が置かれた有機光起電力デバイスに関係付けられたものである。一つの好適な実施形態において、この有機の化合物は、一般的な構造の式（１）を有するが、そこでは、Ｈｅｔ_１は、第一のタイプの大体は平面の多環式の分子の系である；Ｈｅｔ_２は、第二のタイプの大体は平面の多環式の分子の系である；Ａは、強い化学的な結合を介して分子の系Ｈｅｔ_２を備えた分子の系Ｈｅｔ_１の側方の結合を提供する橋をかける基である；ｎは、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；Ｂ１及びＢ２は、結び付ける基である；ｉは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；ｊは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；Ｓ１及びＳ２は、有機の化合物の溶解性を提供する基である；ｋは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；ｍは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；Ｄ１及びＤ２は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−ＮＯ_２、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｆ、−ＣＦ_３、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣＯＣＨ_３、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−ＮＨ_２、−ＮＨＣＯＣＨ_３、−Ｃ_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、及び−ＣＯＮＨ_２を含むリストより独立に選択された置換基である；ｙは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である；並びに、ｚは、０、１、２、３、４、５、６、７、又は８である。前記の有機の化合物は、４００から３０００ｎｍまでの波長の範囲における少なくとも一つの予め決定されたスペクトルのサブレンジにおける電磁放射を吸収すると共に超分子を形成することが可能なものである。分子の系Ｈｅｔ_１、橋をかける基Ａ、及び分子の系Ｈｅｔ_２は、励起された電子−正孔の対の解離を提供する供与体−橋かけ−受容体の系を形成することが可能なものである。有機の化合物又はそれの塩の溶液は、基体に固体の光起電力層を形成することが可能なものである。
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