【課題】溶融金属を電極表面に適用する際に層厚さの調節の改良を実現し、電極の回転速度の増加に関連した溶融金属の環境への制御されない広がりに抗するより良好な保護を与える。特に、電極の消費されない放電領域が数キロヘルツの反復率で放電領域に常に位置する程度に回転速度を増加させることを可能とする。
【解決手段】塗られるべきエッジ領域が、電極表面上の電極のエッジに沿って閉じて周囲に延びる少なくとも１つの受容領域を有し、受容領域が溶融金属で濡れるように構成され、溶融金属の再生可能な適用のために、液体供給ノズルが受容領域に誘導されていることで達成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置において、プラズマから放出されるイオン等の荷電粒子を効率よく排出する。
【解決手段】ターゲット物質を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質に対してレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ発振器１と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５と、ターゲット物質に対してレーザビームを照射する位置に非対称な磁場を形成する電磁石コイル６及び７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、集光ミラーの汚染や損傷を回避する。
【解決手段】液体又は固体のターゲット物質を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質にレーザビームを照射してプラズマを生成するレーザ発振器２と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５とを有し、ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質の速度をＶ_ｔとし、ターゲット物質の供給方向とＥＵＶ集光ミラー光学系の光軸との為す角をαとし、ＥＵＶ集光ミラーの集光立体角Ω（ｓｒ）によって定まる拡がり角の半角をθ（θ＝ｃｏｓ^−１{１−（Ω／２π）}）とし、プラズマの平均拡散速度をＶ_Ｐとする場合に、（ｉ）ＥＵＶ集光ミラーの設置角度がα−θ＞９０°を満たす場合にＶ_ｔ≧Ｖ_ｐとし、（ｉｉ）ＥＵＶ集光ミラーの設置角度がα−θ≦９０°を満たす場合にＶ_ｔ＞Ｖ_ｐ／ｓｉｎ（α−θ）とする。 （もっと読む）

【課題】 インバータ回路の直流電源電圧を平滑する電解コンデンサの交換時期を適切にして、X線画像診断装置の性能を高精度に維持できる。
【解決手段】 平滑コンデンサ13aの充電及び放電回数を計数する充放電計数部22aと前記平滑コンデンサ13aの残りの寿命時間を算出する残寿命算出部22bと該残寿命算出部22bで算出された残寿命時間が所定値になったか否かを判断する寿命判断部22cとで前記平滑コンデンサ13aの交換警告信号生成回路22を構成し、この交換警告信号生成回路22で生成した前記平滑コンデンサ13aの寿命警告信号を操作器23の表示部に表示して前記平滑コンデンサ13aが交換時期に達している旨を報知する。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ集光ミラーの長寿命化を図ると共に、ターゲットノズルやＥＵＶ集光ミラー等の構成部品の劣化を抑制する。
【解決手段】ターゲット物質を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質にレーザビームを照射してプラズマを生成するレーザ発振部１と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５と、ターゲット物質にレーザビームを照射する位置に磁場を形成する電磁石コイルであって、該磁場の磁束線の中心軸が通る領域に開口が形成されている電磁石コイル６及び７とを含み、上記ターゲットノズルの中心軸が、電磁石コイル６及び７によって形成される磁場中の磁束線の中心軸に対して直交する方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにする。
【解決手段】真空チャンバ内に配置され、プラズマから放射される極端紫外光を検出して、その発光量を表す検出信号を出力するＥＵＶ光検出部２０と、該ＥＵＶ光検出部から出力された検出信号に基づいて、極端紫外光の発光量を積算して積算値を算出する計算部３２と、該計算部によって算出された積算値が所定の基準値に至った場合に、ＥＵＶコレクタミラー１５の交換時期又は修理時期を表す判定信号を出力する判定部３３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、簡単な構成によりプラズマ発生室内の真空度や清浄度を高める。
【解決手段】液滴生成室１００と、該液滴生成室と開口部１０１ａを介して接続されているプラズマ発生室１１０と、プラズマ生成室内にターゲット物質を供給するノズル１０２と、ノズルから供給される溶融金属のターゲット物質に基づいて、繰り返し滴下する溶融金属の液滴１０８を生成するピエゾ素子１０３及びピエゾドライバ１０６と、生成されたターゲット物質の液滴１０８ａが、開口部を通過するのを妨げる液滴遮断ユニット１０７と、液滴遮断ユニットが所定のタイミングで動作するように制御する制御部１１５と、レーザ光を出射するレーザ光源１１１と、レーザ光源から出射したレーザ光を、液滴生成室において生成され、開口部を通過してプラズマ発生室に導入されたターゲット物質の液滴１０８ｂに照射させるレンズ１１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】排気装置やデブリトラップが大掛かりにならず、容易に放電部側とＥＵＶ集光鏡側に所望の圧力差を設定することが可能なＥＵＶ光源装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１は、放電空間とＥＵＶ集光鏡３ａが設けられた集光空間に仕切られ、その間に開口１５ａを有するアパーチャ部材１５が設けられ、アパーチャ部材１５は冷却される。第１、第２の放電電極２ａ，２ｂが回転し、ＳｎまたはＬｉにレーザ光が照射され、第１、第２の放電電極２ａ，２ｂ間にパルス電力が印加されると、放電が発生し両電極２ａ，２ｂ間には高密度高温プラズマが形成され波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光部３に入射し、ＥＵＶ光集光部３で集光され露光装置の照射光学系へ導かれる。放電空間と集光空間を排気する第１、第２の排気装置５−１，５−２が設けられ、放電空間は数Ｐａ、集光空間は数１００Ｐａに維持される。 （もっと読む）

【課題】撮影に先立ち透視を行うＸ線撮影では、透視から撮影に移行する遅れ時間が短いほど好ましいタイミングで撮影が行われるので、遅れの原因の一つである陽極回転速度の変更の遅れを解消するために透視時も撮影時と同じ速度で陽極を回転させて使用する方式が考えられているが、この方式では回転寿命の関係からＸ線管が通常の方式に比べて極端に短時間で使用できなくなる不都合がある。
【解決手段】Ｘ線制御装置２０が適切な透視条件から自動的に撮影条件を決めるとともに、撮影時のＸ線管の陽極回転速度の許容最低値も決定し、この値により透視中に陽極回転速度を変化させる。 （もっと読む）

軟Ｘ線発生器は、カソードとアノードとの間の放電を開始するために高い信頼性と再現性でプラズマを提供する円錐形状の独特なパルストリガ組立体を有する。また、本発明の軟Ｘ線発生器は、外周縁を有する略円盤状の回転アノードを有する。このアノードは、アノードの異なる分部をプラズマ放電に晒すためにカソードに対して回転でき、これによりアノードの磨耗を低減すると共により長期の運転を可能にする。また、アノードの腐食は、使用中におけるアノードの液体冷却によって低減できる。発生器は、カソード・アノード放電のために比較的低いキャパシタンスを使用し、連続的で再現可能な結果を得るために比較的高い電圧とパルス繰り返し速度（周波数）を使用する。 （もっと読む）

【課題】高い周期で液滴を連続的に生成することができる装置を提供する。
【解決手段】オリフィス２２に連通するピストン室２１に液体を圧送しつつ、ピストン室２１内においてピストン２３を、狭い間隔を隔てて対向するオリフィス２２に向けて往復運動させる。これにより、オリフィス２２を経てノズル出口２５から射出される液体は、ピストン２３の往復運動と同じ周期で振動する脈流となり、当初連続的な液体の流れは、所定の距離だけ走った後、個々の液滴に分離する。この装置では、液体が圧送されているため、生成された液滴の速度が速くなり、それにより高い周期（周波数が数kHz〜100kHz）で液滴を生成することができる。この装置で周期的に生成される液滴ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、極端紫外光をほぼ連続的に生成することができる。 （もっと読む）

【課題】集光光学系に付着、堆積したスズおよび／またはスズ化合物のデブリを除去する手段を備えた、スズを極端紫外光放射種に用いた極端紫外光光源装置を提供すること。
【解決手段】容器１０内に極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズなどの原料を供給する原料供給手段と、容器１０内で原料を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段１１，１２，１３と、上記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光光学手段２と、集光光学手段２を介して極端紫外光を取り出す取り出し部７と、容器１０に接続された排気手段９とを有する極端紫外光光源装置において、集光光学手段２を加熱して集光光学手段２に付着、堆積したスズなどを液化する加熱手段８と、液化したスズなどを集光光学手段２から除去する除去手段５ａ、５ｂ・・・とを備えた極端紫外光光源装置である。 （もっと読む）

【課題】デブリの運動エネルギーを低下させ、高密度高温プラズマから０°の角度で出射する不用な光は遮光するが、必要な光は遮光しない、また加工が容易で廉価な構造体を備えた極端紫外光光源装置を提供する。
【解決手段】容器１内に極端紫外光を放射する原料を供給する原料供給手段１０と、供給された原料を加熱・励起して極端紫外光を放射するプラズマを発生させる加熱・励起手段４，５，６と、上記プラズマから放射される極端紫外光を集光するように容器１内に配置された集光光学手段１３と、上記集光された極端紫外光を取り出す光出射部１４とを有する極端紫外光光源装置において、加熱・励起手段４，５，６と集光光学手段１３との間に、極端紫外光の光軸上に凹面部を有する部材１５を設け、該凹面部は上記プラズマに対向して設けられている。 （もっと読む）

極端紫外（ＥＵＶ）放射を供給するシステムは、集光を有するレーザビームを生成するように配置されたレーザ光源と、レーザ光源に対して移動可能であり、表面材料を搬送するためのキャリアとを備え、表面材料は、キャリアによって搬送されると、再生可能なターゲットエッジを提供する。集束ビームは、ターゲットエッジに衝突して、ＥＵＶ放射を発生するプラズマを生成するように配置される。該システムは、そこに衝突したＥＵＶ放射を反射することによってＥＵＶ放射を活用するためのミラーと共に動作可能である。ミラーは、ほぼ非球面な表面と、非球面な表面を少なくとも部分的にコートするために反射液体を供給するための手段とを備え、ミラーは、遠心力で液体を非球面な表面に閉じ込めるように回転可能である。
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【課題】Ｘ線を発生させるための装置において、Ｘ線ターゲット上への電子線の集束性を良好にし、しかも高い寿命を有するものを提供する。
【解決手段】真空引き可能なハウジング５内に陰極として冷電子源１及び陽極としてＸ線ターゲット３を、陰極と陽極との間に電圧が加えられたとき電子源１から放出される電子線２中の電子がＸ線ターゲット３へ向け加速されるように配置し、ハウジング５内の電子源１とＸ線ターゲット３との間に、電子源１の範囲における正イオンの成分を減少させるための装置７を配置する。 （もっと読む）

【課題】複合Ｘ線ターゲットについてのシステム、方法及び装置を提供する。
【解決手段】或る実施形態では、熱特性が空間的に変化する複合材料（１０６）を含むＸ線エネルギ・ターゲット（１０２）を構成し、また、別の実施形態では、強度特性が空間的に変化する複合材料（１０６）を構成する。或る実施形態では、空間的変化が連続であり、また、他の実施形態では、空間的変化が複数の明確に区分された部分より成る。 （もっと読む）

【課題】
長時間連続して使用することができる小型のＸ線発生装置を提供する。
【解決手段】
Ｘ線管球１と絶縁油２とを収納する封入容器４からなるＸ線発生装置において、Ｘ線管球１のアノード電極１０と封入容器４との間に、窒化アルミニウム製の伝熱器３を密着して設ける。 （もっと読む）

【課題】 制御回路基板を効率よく冷却することができるＸ線源を提供する。
【解決手段】 Ｘ線源１は、Ｘ線管９を収容するＸ線管収容部１１と、Ｘ線管９に電圧を供給する高圧供給回路１３ｂが絶縁ブロック１３ｆ中にモールドされた構造の高圧電源部１３と、を有するＸ線発生部５と、Ｘ線発生部５を制御する制御回路基板１９と、それらを収容する筐体３と、を備えている。Ｘ線管収容部１１とで電源部１３を挟む位置には、空気を流動させる通風領域としての基板配置スペースＡが形成されている。そして、制御回路基板１９は、この基板配置スペースＡ内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子線などのエネルギー線を高エネルギー状態でターゲットに照射した場合においても、前記ターゲットの、熱応力に起因した表面荒れを抑制し、前記ターゲットから高輝度のＸ線を安定的に生成する。
【解決手段】ターゲットの表面にエネルギー線を照射し、前記ターゲットの、前記エネルギー線の照射された部分を溶解させ、前記ターゲット表面の、前記エネルギー線照射に起因した荒れを消去した状態で前記ターゲットよりＸ線を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 Sn化合物は、水に溶けないため、水と混濁して供給するしか方法がなかった。一方、Sn化合物のような比重の重い物質（SnO₂、6.5g/cm³）は、10μmの微粒子径の場合、3×10^-4m/sの沈降速度で簡単に水中に沈降し、沈殿を生じる。このため、固体の微粒子と水を混合し、流体として供給する場合、供給する液体を容器内で十分に攪拌し擬似的に均一な状態で液体として取り扱う必要がある。
【解決手段】 Sn化合物を分散させ懸濁液にするためには、超音波分散を利用することができる。一次粒子径の粒度分布の中心が30nmのSnO₂微粒子の水と7.5%までの重量比で混合した場合、超音波ノズルφ36mm、出力300Wの超音波分散機1分照射により、粒度分布は数10μmから100nm以下（測定限界以下）にすることが可能であった。 （もっと読む）