【課題】ＥＵＶ光発生チャンバ内に設置されたレーザ光集光光学系の光学素子の劣化を確実に検出して、的確な劣化判定を行えるＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光発生チャンバ２と、ターゲット物質供給部と、ＥＵＶ光集光ミラー８と、ドライバーレーザ１２，１３と、ウインドウ６（１）（２）と、コリメートされたレーザ光を反射して集光するＥＵＶ光発生チャンバ内に配置された放物面鏡４３（１）（２）と、ウインドウと放物面鏡の温度を測定する温度センサ８２（１），（２），（３），（４）と、極端紫外光の発生が行われるときに温度センサによって検出されたウインドウ及び光学素子の温度に基づいてウインドウ及び放物面鏡の劣化を判定する処理部８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源装置において、ターゲットにレーザ光を照射することによって発生する高速なイオンデブリを効率良く回収する。
【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、ターゲット物質を噴射してターゲット物質のドロップレットを生成する噴射ノズルを含むターゲット供給手段と、ドロップレットを帯電させる帯電手段と、帯電したドロップレットにレーザ光を照射することによってプラズマを生成するレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光して射出するコレクタミラーと、プラズマの生成に寄与しなかったターゲット物質及びプラズマの生成時に発生したデブリを回収するターゲット物質回収装置と、ドロップレットにレーザ光が照射される位置の上流側及び下流側において電界を発生することにより、帯電したドロップレット及びイオンデブリを加速させる加速手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光の放射強度分布の変化が、集光鏡の光反射率が低下したことに起因するか、発光点が移動して光軸がすれたことに起因するかを判別すること。
【解決手段】電極１１，１２間にパルス状の大電流を流し、高温プラズマ領域を形成し、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。このＥＵＶ光は、集光鏡２により集光され、アパーチャ４を介して露光機へ入射する。計測時には、計測ユニット１８を光路内へ移動させ、ＥＵＶとＥＵＶよりも長波長の光の放射強度分布を計測する。極端紫外光の放射強度分布のみが変化している場合は、放射強度分布変化の原因はスズが集光鏡の反射面に付着しためであるとして集光鏡２のクリーニングを行う。また、極端紫外光よりも長波長の光の放射強度分布も変化している場合は、放射強度分布変化の原因は光軸のずれが生じているためであるとして、放電部と集光鏡の位置合せ（アライメント）等を行なう。 （もっと読む）

リソグラフィ装置は放射源によって放出される放射から放射ビームを提供する放射システムを含む。放射システムは放射源から発散される材料を捕捉する汚染物質トラップ（８）を含む。回転汚染物質トラップは、共通の回転トラップ軸（Ａ）から半径方向（Ｒａ）に延在し、かつ放射システム内の放射ビームの伝搬中に放射源から発散される汚染物質材料を堆積させるように配置された多数の要素（１１）を含む。放射システムは、回転トラップ要素から汚染物質材料粒子を受ける汚染物質キャッチ（１２、２７、２８）をさらに含み、汚染物質キャッチは、放射システムの動作中、汚染物質材料粒子を保持するための構成を有する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を維持しつつ、長期間にわたって安定した信頼性の高い極端紫外光を生成することができる極端紫外光源装置を提供すること。
【解決手段】液体金属であるドロップレットＤにプリパルスＰ１を照射した後にメインパルスＰ２を照射してＥＵＶ光を生成する極端紫外光源装置において、プリパルスＰ１をドロップレットＤ１に照射しドロップレットＤ１の一部を残してプリパルスレーザ光照射側の該ドロップレットＤ１空間外の異なる空間にプリプラズマ１の空間を生成するプリパルスレーザと、プリプラズマ１の空間にメインパルスＰ２を照射してＥＵＶ光を生成するメインパルスレーザと、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐用期間の長い、プラズマに基づく短波長放射線源の動作に関する方法およびその装置を提供して、緩衝ガスを使用することにより放射線生成の主なプロセスが著しく損なわれることなく、かつ空間的に狭く制限された方法で分圧を生成するために費用を大幅に追加する必要なく大量にデブリを削減することを可能とする。
【解決手段】緩衝ガス（４１）として水素ガスを真空室（１）に圧力下で導入して、１〜１００Ｐａ・ｍの範囲内の圧力−距離の積を実現する一方、緩衝ガス（４１；４４）内で放射プラズマ（２１）によって放射された放射線の幾何学的な放射経路を考慮するような、および真空室（１）が、準静的に圧力調整するために（４２；４７）および残留放射材料と緩衝ガス（４１）とを除去するために連続的に吸引される。 （もっと読む）

【課題】本発明のＥＵＶ光源装置は、高い熱負荷状態において、可飽和吸収体を安定して連続的に使用することができる。
【解決手段】可飽和吸収体（ＳＡ）装置３３は、自励発振光や寄生発振光あるいは戻り光のような微弱な光を吸収するために、レーザビームライン中に設けられる。ＳＡガスボンベ３３４（１）からのＳＡガスとバッファガスボンベ３３４（２）からのバッファガスとは混合されて、混合ガスとなる。混合ガスは、供給管路３３３（１）を介して、ＳＡガスセル３３０に供給され、レーザ光Ｌ１に含まれる微弱光を吸収する。混合ガスは、排出管路３３３（２）を介して排出され、熱交換器３３２に送られる。熱交換器３３２で冷却された混合ガスは、循環ポンプ３３１（１）により、再びＳＡガスセル３３０に送られる。 （もっと読む）

【課題】熱の放出特性を向上させることができ、しかも、長期にわたって信頼性の高いＸ線管装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線管装置は、陽極ターゲット３５ａ、陰極３６、並びに真空外囲器３１を有したＸ線管３０と、ハウジング２０と、冷却液７と、冷却液に直接若しくは間接的に接した筒部４６、並びに筒部の一端側を閉塞しハウジングの外側に露出した底部４７を有し、真空外囲器の一部を形成する高電圧絶縁部材４０と、底部に設けられ陽極ターゲットに高電圧を供給する高電圧供給端子４４と、筒部の内面に接合された接合部３５ｃを含み、真空外囲器の内部に位置し陽極ターゲットを支持する支持体３５ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】放電領域におけるプラズマ原料のガスの密度を適切な状態にすることが可能なＥＵＶ光源装置、並びに、ＥＵＶ発生方法を提供すること。
【解決手段】放電電極上の高温プラズマ原料２１に第１のエネルギービーム２３を照射して気化させる。気化した原料が対向する電極に到達し放電が開始するまでの間に、第２のエネルギービーム２４を再び高温プラズマ原料２１に照射する。放電により第２のエネルギービーム２４照射によって発生した密度の高い原料ガスが圧縮加熱されるため、ピンチの効率が高まり、高い変換効率のＥＵＶ光放射が得られる。第２のエネルギービーム２４を野照射のタイミングを適宜設定することにより、原料ガスの密度を適切な状態にすることができる。 （もっと読む）

【課題】多数のホイルを備えたホイルトラップにおいて、多数のホイルを確実に支持でき、またホイルを放射状に並べることができるようにすること。
【解決手段】ホイルトラップは、ＥＵＶ光の光軸に沿って設けられた円柱部材１８と、該円柱部材１８から半径方向に放射状に配置された複数のホイル２０と、外側リング１９から構成されている。外側リング１９内周には、スリット２１が形成され、そのスリットにホイル２０が挿入され、ホイル２０の他端は、円柱部材１９の周側面に突き当てられる。円柱部材１８を配置し、ホイル２０を円柱部材１８の周側面に突き当てるようにしたので、ホイルの枚数が多くなっても、ホイルを放射状にそろえて並べることができる。なお、円柱部材１８の周側面にスリットを形成し、一部のホイルを挿入するように構成すればホイルトラップの組み立てが容易になる。 （もっと読む）

【課題】ベローズを用いないＸ線発生装置、及び、このＸ線発生装置を備えたＸ線検査装置を得る。
【解決手段】Ｘ線発生装置１は、略直方体をなし、上部に開口部１０ａを有した金属製の容器１０と、Ｘ線管１２と、容器１０内の底に設けられ、Ｘ線管１２を支持している支持部材１１と、容器１０内に充填され、Ｘ線管１２を浸漬して冷却する絶縁油１３と、開口部１０ａにおける容器１０内部側の外縁に接合され、容器１０の内外を連通させている筒状部材１４と、開口部１０ａを密閉する蓋部材１５と、容器１０、絶縁油１３及び蓋部材１５に囲まれ、不活性ガスが充填されている空間１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁油の酸化による絶縁耐電圧の劣化を抑制することができるＸ線発生装置及びＸ線検査装置を得る。
【解決手段】開口部１０ａを有しており、Ｘ線管１２を内包し支持する容器１０と、容器１０内に充填され、Ｘ線管１２を浸漬して、絶縁する第１の絶縁油１３と、第１の絶縁油１３の膨張、収縮を緩衝するために開口部１０ａを閉塞するように取り付けられたベローズ１５とを含むＸ線発生装置１であって、開口部１０ａ及びベローズ１５の外部とともに形成した密閉空間（第１の外部容器１７、管１８、及び第２の外部容器１９の内部空間）を内部に有し、前記密閉空間に気体及び第２の絶縁油２０が貯留されている貯留器１６を備えているものである。 （もっと読む）

放射源（ＳＯ）は極端紫外線を生成するように構成されている。放射源（ＳＯ）は、燃料が放射ビーム（５）に接触されてプラズマを形成する位置に配置されたプラズマ形成部位（２）と、ガスが放射源（ＳＯ）を出ることを可能にするように構成された出口（１６）と、少なくとも部分的に出口（１６）の内部に配置された汚染トラップ（２３）とを含む。汚染トラップは、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉（２３）するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを集光鏡に導入するに際し、簡易な手段で、外側のミラーに対してよりも内側のミラーに対してクリーニングガスを多く供給できるようにすること。
【解決手段】 クリーニングガスを導入するガスノズル２１を、直管状のパイプで構成し、集光鏡３ａの複数のミラーを支持する支柱に沿って、集光鏡３ａの光出射口を横断するように設け、このパイプに複数のガス吹き出し口を形成する。そして、このガスノズル２１へのクリーニングガスの供給を、集光鏡３ａの光出射口の中心付近に当たる位置からおこない、パイプに設けたガス吹き出し口から、集光鏡の内部に向けて、ガスを吹き出す。これにより、集光鏡３ａの外側のミラーよりも内側のミラーに対してより多くの量のクリーニングガスを供給することができる。 （もっと読む）

放射システムは、放射ビームを生成するように構成される。この放射システムは、放射およびデブリを放出するプラズマを生成するように構成された放射源（５０）と、集光された放射を放射ビーム放出開口（６０）に誘導する放射コレクタ（７０）とを含む。磁場ジェネレータ（２００）は、磁場強度の勾配を有する磁場を発生させてプラズマを放射コレクタ（７０）から離して誘導するように構成される。 （もっと読む）

【課題】放射ビームを用いて高品質で安定した放射出力を発生することができる放射源を提供する。
【解決手段】放射源は、放射源の放射出力を生成するよう用いられる放射ビームを発生するビームジェネレータと、放射ビームをモニタするビームモニタを含む。リソグラフィ装置にこの放射源が含まれる。デバイス製造方法は、第１タイプの放射を第２タイプの放射ビームを用いて発生することと、第２タイプの放射の品質をモニタすることと、第１タイプのパターン付き放射ビームを基板上に投影することを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線管の第１グリッド電圧の制御代を正規化し、ＶＩ特性の器差を抑えると共に、寿命予測を標準化することを可能としたＸ線式厚さ測定装置を実現する。
【解決手段】 第１グリッド及び第２グリッドを有し、前記第１グリッド電圧により管電流が制御されるＸ線管から放出されるＸ線をシート部材に照射し、その透過減衰量に基づき前記シート部材の厚さを測定するＸ線式厚さ測定装置において、
前記第２グリッドに接続される可変電圧源を備える。 （もっと読む）

リソグラフィ装置は、望ましい放射および望ましくない放射を含む放射ビームを、プラズマを使用して生成するように構成された放射源と、放射ビームを調整し、かつリソグラフィ装置の動作中に水素ガスを受けるように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたサポート構造と、を備える。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる。基板テーブルは、基板を保持するように構成され、投影システムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成される。リソグラフィ装置は、照明システムに入射する際の放射ビームがプラズマにより生成された望ましくない放射を少なくとも５０％含み、かつ水素ラジカルを生成するための前記水素ガスと相互作用する放射波長を含むように構成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることのできる半導体リソグラフィ用光源を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ上に回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源であって、負圧の状態で希ガス又は希ガスを含んだ混合ガスが充填される内部空間を画定した外周壁部を有する光源本体と、前記内部空間内に所定の軸線周りの回転磁場を発生させる磁場発生手段とを備え、前記光源本体は、少なくとも外周壁部が電気絶縁性を有する非磁性の材料で構成されるとともに、少なくとも一部に短波長の光成分又は該光成分を含んだ光を内部空間から外部へ放出させる光放出部が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

リソグラフィ装置（１）は、極端紫外線を生成するように構成された放射源（ＳＯ）を含み、放射源（ＳＯ）は、プラズマ（２２５）が生成されるチャンバ（２１０）と、プラズマ（２２５）によって放出された放射を反射するように構成された集光ミラー（２７０）と、デブリ軽減システム（２３０）とを含む。デブリ軽減システム（２３０）は、プラズマ（２２５）によって生成されたデブリを熱化するために選択される第１ガス流（２４０）をプラズマに向かって供給するガス供給システム（２３５）と、集光ミラー（２７０）に近接する位置に配置され、チャンバ（２１０）内に第２ガス流（２５０）を供給する複数のガスマニホルド（２４７）を含む。第２ガス流（２５０）は、熱化デブリが集光ミラー（２７０）上に堆積するのを防止するようにプラズマ（２２５）に向かって誘導される。 （もっと読む）