【課題】より大きい負荷に耐えられる冷却システムを有するリソグラフィ装置のための改良型アクチュエータを提供する。
【解決手段】電磁アクチュエータ用の冷却体の第１の部材ＦＭを第２の部材ＳＭへ放射ビーム溶接する方法であって、第１の部材ＦＭはその１つの側に、凹部ＲＥが設けられた表面部分を有し、凹部ＲＥは周縁部によって区切られ、第２の部材ＳＭは、凹部ＲＥ閉鎖するために第１の部材ＦＭの表面部分ＣＳＰを補完する実質的に連続する第１の表面部分を有し、第２の部材ＳＭは第１の表面部分ＣＳＰの反対側に第２の表面部分ＳＳＰを有し、前記方法は、第１の表面部分が第１の部材の表面部分に係合するように、第１及び第２の部材を配置するステップと、放射ビームを提供するステップと、第１及び第２の部材が凹部ＲＥの周縁部で一緒に溶接されるように、第２の表面部分へ向けて放射ビームを誘導するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程を煩雑にすることなく、金属と樹脂との異種材料間の充分な密着性と気密性を有する樹脂複合成形体を、安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】金属部材の表面に、レーザー光や電子ビームなどの高密度エネルギーを照射することによって、金属表面が溶融飛散して形成するクレーター状の複雑に入り組んだ窪みを設ける。このクレーター状の窪みが、一部重複する領域を持つ照射条件を用いる事によって、金属表面が溶融飛散して形成する廂状の隆起部と、隆起部の先端に生ずる球状の金属飛沫、及び加工の際に生じる粒状のスパッタを固着させた粗面形状を形成する。これにより、樹脂成形された樹脂が粗面により形成した括れ空間に入り込み、樹脂が金属部材表面から剥がれる方向の体積変化に対しアンカー効果を発生させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、１またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、１またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】接合強度に優れ、信頼性の高い接合体、接合体の製造方法及び電池パックを提供すること。
【解決手段】実施形態に係る接合体１０は、第１金属部材１と、第２金属部材２と、接合部３とを含む。第１金属部材１は、Ａｌを含み、Ｃｕの含有量が５．７重量％未満である。第２金属部材２は、Ｃｕを含み、Ａｌの含有量が９．４重量％未満である。接合部３は、第１金属部材１と第２金属部材２とを接合する。また、接合部３は、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル下においてもウエハ設置面の形状が変化することがないセラミックス部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス部材１０は、セラミックス焼結体からなる基体１１と、基体１１の内部に埋設され、タングステン、モリブデン又はこれらを主成分とする合金からなる電極１２と、電極１２と電気的に接続され、基体１１の内部に埋設され、タングステン、モリブデン又はこれらを主成分とする合金からなる金属塊１３と、金属塊１３とビーム溶接によって接合され、ニッケル、チタン、銅又はこれらを主成分とする合金からなる給電端子１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド自動車等に使用されるケースモールド型コンデンサに関し、小型軽量化と低ＥＳＬ化を犠牲にせず、低コスト化を図ることを目的とする。
【解決手段】Ｎ極バスバーが、夫々一端に接合部６ａ、６ｂ、７ａ、８ａを設けた複数のＮ極分割バスバー６〜８を上記接合部６ａ、６ｂと７ａ、８ａを突き合わせて接合することによって一体化して構成され、かつ、上記接合部６ａ、６ｂ、７ａ、８ａがＮ極分割バスバー６〜８を構成する基材の幅方向に対して斜め方向に切断されることにより、この接合部の断面積が基材の幅方向に沿って接合部を設けた場合の断面積と比べて大きくなるようにすると共に、各接合部の両端に基材を部分的に延設した補強部６ｃ、６ｄ、７ｂ、８ｂ、８ｃを設けた構成により、材料歩留まり向上による低コスト化を図り、バスバーの大型化、不要な抵抗の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面に欠陥の少ない単結晶半導体膜を有する半導体基板の、簡便な作製方法を提供することを課題の一つとする。また、歩留まりの良い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしながら、絶縁層を介して単結晶半導体基板にイオン照射を行うことで、脆化領域を形成し、単結晶半導体基板の表面に接合層を形成し、単結晶半導体基板と、支持基板とを、接合層を介して貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域内に劈開面を形成して、単結晶半導体基板の一部を分離する、半導体基板の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単に溶接不良を抑制することができる端子溶接方法を提供する。
【解決手段】導電性金属材料よりなる結線ターミナル２２と給電ターミナル３２とは、互いに接合される部位が重ね合わされる。また、結線ターミナル２２には、結線ターミナル２２と給電ターミナル３２との重ね合わせ方向に沿って接合される相手側の給電ターミナル３２に向かって延びるとともに同給電ターミナル３２に被さる一対の溶接爪４１が設けられている。そして、重ね合わされた結線ターミナル２２及び給電ターミナル３２に対し溶接爪４１に近接した位置で溶接を行って溶接爪４１を溶融しつつ結線ターミナル２２と給電ターミナル３２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気ヘッド等の製造プロセスのチェックを行うための試料作成に関し、より詳細には集束イオンビームを照射して試料の表面の所望する位置に断面を露出する凹部加工を行う試料加工方法と試料加工プログラムに関する。
【解決手段】 本発明の試料加工方法は、試料の表面に形成された基準マーカーを検出して基準マーカーから基準位置を求める基準位置算出工程と、基準位置と断面形成所望位置との距離から所定値を差し引いた第１のオフセット値と基準位置と第１の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第１加工工程と、基準位置と第１加工工程によって加工された試料の所望位置に近い断面をなす端部との間の距離を計測する計測工程と、計測された距離から所望位置までの未加工距離を求めその未加工距離に第１のオフセット値を加えた第２のオフセットと基準位置と第２の加工パターンとに基づいてＦＩＢを前記試料に照射して加工する第２加工工程と、を有するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】その大きな荷重を接合面に均一に負荷すること。
【解決手段】第１基板を保持する第１試料台１３の向きを変更可能に、第１ステージ１１に第１試料台１３を支持する角度調整機構１２と、第１ステージ１１を第１方向に駆動する第１駆動装置１４と、第２基板を保持する第２試料台４６を第２方向に駆動する第２駆動装置と、その第２基板とその第１基板とが圧接されるときに、その第１方向にその第２試料台を支持するキャリッジ支持台とを備えている。角度調整機構２１は、複数のシムから形成されている。このとき、常温接合装置１は、第２駆動装置の耐荷重を越えた大きな荷重を第１基板と第２基板とに加えることができる。常温接合装置１は、さらに、第１基板と第２基板とが平行に接触するように、角度調整機構１２を用いて第１基板の向きを変更することができ、その大きな荷重を接合面に均一に負荷することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンに微細な加工が可能となる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。好ましくは、電子部品の製造方法は、集束イオンビームでエッチングマスク材に形成したスリット部分のシリコン基板に注入されたイオン層を除去する工程Ｓ１０３をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品パッケージの安定保持と確実な溶接作業を両立させることが可能な電子部品パッケージ溶接装置等を提供する。
【解決手段】凹部５２に電子部品パッケージＤが収容される電子部品保持プレート５０の貫通孔５４に、昇降アーム７４を相対移動自在に挿入し、移動機構７６によって、この昇降アーム７４を上昇させる又は電子部品保持プレート５０を下降させることにより、電子部品パッケージＤを凹部５２の開口側５２Ａに相対的に押し上げる。この押し上げた状態において、溶接機構によって電子部品パッケージＤを溶接するようにした。 （もっと読む）

【課題】マイクロサンプリング片を取り出すことによって形成されるサンプリング穴を短時間で埋め戻す半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサンプリング片を取り出したサンプリング穴１２を、その穴１２の上部の壁面に支持された膜１７、１８によって、内部に空洞１９を残したままで塞ぐ。 （もっと読む）

【課題】パッケージ裏面側からの部分的な開封状態の場合でも、ＦＩＢ観察画像とレイアウト図との間の位置合わせを正確に行うことができるＦＩＢ加工時の位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップが積層されてＢＧＡ型の半導体パッケージにパッケージングされた半導体集積回路に対し、ＦＩＢ加工装置を用いて、最下層に配置された半導体チップをＦＩＢ加工する。この時、最下層の半導体チップのレイアウト図および半導体パッケージの裏面側の半田ボールの配置図が同一縮尺で合成された合成図を作成し、最下層の半導体チップの４隅のうちの３隅に対応する、合成図の半田ボールの３隅の配置図に基づいて、半導体パッケージの裏面側のＦＩＢ観察画像と合成図とを重ね合わせることによって、最下層の半導体チップのＦＩＢ観察画像と最下層の半導体チップのレイアウト図との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる基板加工時にホルダからの塵の発生を防止することができる基板保持装置及び、ホルダからの発塵を防止して歩留まりを向上した基板加工装置を提供する。
【解決手段】基板１００が載置されるステージ１４と、ステージ１４上に載置された基板１００の周縁部に当接して基板１００をステージ１４との間に挟持可能に設けられた爪部１５を有するホルダ１６とを有し、ホルダ１６の爪部１５の少なくとも先端部に、爪部１５の母材よりもイオンビームによって加工され難い材料からなる剛体部２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板への異物の付着を防止すると共に基板に付着している異物を除去することができ、歩留まりを大幅に向上することができる基板加工装置及び基板加工方法を提供する。
【解決手段】複数のノズル２３が設けられたノズル部２４を有すると共にノズル２３から不活性ガスを正又は負に帯電させた状態で噴射するガス噴射手段２０を設け、このノズル部２４を、ノズル２３が基板保持手段９に保持された基板１００に対向し且つ基板１００に隣接して配置可能に真空処理チャンバ２内に設ける。 （もっと読む）

【課題】電子ビームで検出した欠陥を正確に取り出して解析する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 （もっと読む）

本発明は、構造の表面上に蒸気を凝縮させて固体凝縮物層とし、次に凝縮物層の選択領域にエネルギーのビームを照射することでその選択領域の局所除去を行うことによって、構造上にパターニング材料層を形成する方法を提供する。その構造を、構造表面上のパターニング固体凝縮物層の少なくとも一部について加工し、次に固体凝縮物層を除去することができる。さらに、凝縮物層の少なくとも一つの選択領域でエネルギーのビームを照射することによって、固体凝縮物層と構造との間に誘導局所反応を起こさせることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と電気的に接続された複数のリード端子を、複数のターミナルに高速且つ良好に溶接することができるとともに、半導体素子の破壊を防止することができる回路部品の製造方法を提供する。
【解決手段】「配置工程」では、リード端子５２とターミナル４２のＩＣ接続部４２ａとを当接させ、その当接した部分である当接部６２と半導体素子が搭載（埋設）されたベース部５１との間のリード端子５２にアース用治具６１を当接させる。その後、「溶接工程」では、「配置工程」の状態を保って、当接部６２に電子ビームを照射してリード端子５２とターミナル４２のＩＣ接続部４２ａとを溶接する。 （もっと読む）