【課題】鋼鈑等の被加工材をレーザ切断する場合に、切断終点をはじめとする切断軌跡の所望の位置において、傷つきを抑制して効率的に切断できるレーザ切断方法及びレーザ切断装置を提供すること。
【解決手段】レーザ切断機であって、制御部は、前記被加工材の材質、板厚に基づいて、定常酸素濃度と、レーザノズルとの移動速度と、レーザビーム定常制御条件とを設定し、前記レーザノズルが、切断軌跡の終点前の第１設定位置に達した場合に、前記レーザノズルとの移動速度を第１設定速度に低下させ、前記レーザノズルが第２設定位置に達した場合に、前記切断ガスの前記酸素濃度と前記レーザビームの制御条件を変化させ、前記レーザノズルとの相対移動速度を第２設定速度に低下させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護カバーの表面の汚れを防いだり汚れを落とすことができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、レーザ光を出射可能なレーザ光源と、レーザ光源から出射されるレーザ光の方向を変更するためのガルバノミラーと、ガルバノミラーからのレーザ光を収束して被加工対象物上に照射するための収束レンズ１４と、透光性を有して収束レンズ１４からのレーザ光を通過させつつ収束レンズ１４を保護するための保護レンズ２１とを備える。保護レンズ２１の出射側の表面には、二酸化チタンからなる光触媒層２４ａと、該光触媒層２４ａとは異なる屈折率の二酸化ケイ素からなる異屈折率層２４ｂとを含む多層コーティング２４がなされる。又、レーザ加工装置は、光触媒層２４ａに光触媒反応を起こさせるための紫外光を出射可能な紫外光出射ユニット３１を備える。 （もっと読む）

【課題】確実に有機物を加工できるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザにより樹脂層を加工する加工部１００と、加工中に反応性ガスを供給する反応性ガスソース１５０と、反応性ガスを閉じ込める閉じ込め部１５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】鋳鉄をエキシマレーザによりアブレーション加工して表層部の黒鉛を分解除去し、その部分に陥没部を無数に形成させ摺動面を形成する方法は、装置価額が高価なエキシマレーザを使用しなければならず、汎用性が乏しい。また、黒鉛ブロック、窒化ケイ素部品などの難切削材の加工は切削工具による切削・除去加工が困難であり、その加工速度が非常に制限される。
【解決手段】本発明は、球状黒鉛鋳鉄や可鍛鋳鉄などの表面をより波長の長いレーザで加熱しつつ、反応ガスをノズルで供給し、表層部の黒鉛を炭素と酸素又は二酸化炭素（ＣＯ２）との反応させ、ガス化して除去し、陥没部を多数形成させる。この処理表面が摺動部品の摺動特性を改善できる。またカーボンブラックや窒化ケイ素などの難切削材料の切削・成形加工を反応ガスを用いて溝掘り加工、彫刻加工などの除去・成形加工をするレーザ反応加工を解決手段として提案している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の短時間の照射で凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化することができ、かつ、使用するレーザ照射装置への負担を軽減することができる新規の方法の提供。
【解決手段】気相中でガラス基板表面にフッ素化剤を接触させることにより、該ガラス基板表面を含む表層にフッ素原子を導入した後、該ガラス基板を構成するガラス材料に対して吸収を有する波長域のレーザ光を該ガラス基板表面に照射することにより、凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化する方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】レーザーと流体を同時に使用して加工を行う噴気式レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】噴気式レーザー加工装置１０は、気体供給手段１１、流体供給手段２１、回収手段３１、作動手段４１及びレーザー手段５１を備える。作動手段４１は外管４２を有し、内部に気体連結手段１１に連結される一つの第一通路４２１、流体供給手段２１に連結される少なくとも一つの第二通路４２２、回収手段３１に連結される少なくとも一つの第三通路４２３を有する。レーザー手段５１はレーザービームＢを生成し、レーザービームＢが第一通路４２１を貫通して工作対象物９９に照射することによりレーザー加工を行う。気体供給手段１１から供給される気体は第一通路４２１の底端から流出し、流体供給手段２１から供給される流体は第二通路４２２の底端から流出し、回収手段３１は第三通路４２３の底端から気体と流体を回収する。 （もっと読む）

この発明は、摩擦的に強化された表面を被加工物上に形成する方法を与える。方法は、スラリまたは溶液を形成するために、摩擦特性を強化するよう作用可能な予め定められた材料と液体とを組合せるステップを含む。方法は、被加工物の表面にスラリ／溶液を塗布するステップを含む。方法はさらに、塗布するステップ後に、予め定められた材料の相をレーザで変換するステップを含む。予め定められた材料の相を変換するステップは、摩擦助剤を被加工物の表面に結合する化学反応を生じさせる。
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【課題】レーザーと流体とにより同時に加工を行い、加工速度を上げることを可能にするレーザー加工機を提供する。
【解決手段】流体６０を輸送可能な供給装置２０と、流体６０を受け取ることが可能な回収装置３０と、供給装置２０に繋がる第一導引部４２と回収装置３０に繋がり一端が第一導引部４２に繋がる第二導引部４４とを有する作動装置４０と、レーザービーム５２を生成し作動装置４０を通過させ工作対象物９９に放射可能なレーザー装置５０とを備える。これにより、流体６０は供給装置２０から輸送され、第一導引部４２へ流れ込み、続いて流体６０は第一導引部４２を流れた後、レーザービーム５２とともに工作対象物９９に加工を行い、最後に流体６０は第二導引部４４を経て回収装置３０へ流れ込む。 （もっと読む）

【課題】基材の所要層にダメージを与えることなく、外周部の不要物を効率良く除去する。
【解決手段】支持部としてのステージ１１上に配置された半導体ウェハからなる基材９０の第２面（下面）の外周部の第２スポットＰ２に、熱光線Ｌを局所的に照射するとともに、反応性ガスノズル２１から反応性ガスとしてオゾンを局所的に吹付ける。基材９０の第１面（上面）の外周部における前記第２スポットＰ２とほぼ同じ周方向に位置する第１スポットＰ１上には、これに向けて冷却用ガスノズル６１を配置し、この冷却用ガスノズル６１から冷却用ガスとしての窒素を第１スポットＰ１に局所的に吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により分割されたチップの抗折強度を向上させるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 レーザ光を照射してアブレーション反応により被加工物に切削溝９２を形成するレーザ加工方法であって，被加工物の表面において，形成された切削溝９２の両側に，切削溝９２の縁部から外側に５μｍ以上２５μｍ以下離隔した位置に，深さが０．１μｍ以上２０μｍ以下の補助溝９３を形成する。これにより，熱応力が断絶されてチップの抗折強度が向上される。また，補助溝９３を形成する代わりに，切削溝９２の内部にエッチング液９４を供給し，切削溝９２に滞留したエッチング液９４に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光１０１を照射して加熱する。これにより，切削溝９２の縁部に堆積したデブリ９１が除去され，チップの抗折強度が向上する。また，エッチング液９４の代わりにアシストガス９５を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】 フォトニッククリスタルファイバ（ＰＣＦ）等の線材の切断により生成される切断端面について、平坦な端面を形成するとともに、端面に表出する空孔への研磨用砥粒の侵入を防止して良好な光学特性を得る。
【解決手段】 所定の走査経路に沿ってフェムト秒レーザのレーザビームの集光点をＰＣＦ等の線材の表面部または内部に形成し、集光点による加工痕の軌跡に沿って線材を切断する。また、線材の端面に対してフェムト秒レーザを照射して端面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 単一の波長のレーザ光により、異種材料からなる積層体を切断する。
【解決手段】 レーザを透過するガラス１２及び１４は、レーザを吸収するシリコン基板１４と積層体を形成する。ガラス１２及び１４のシリコン基板１４に接する面には、デバイスチップを切断する切断線に合致した溝１３及び１７が形成されている。レーザビーム２３を、Ｎ_２ガス２７を吹き付けながら、積層体１０に照射する。ビーム２３は、シリコン基板で吸収され、溶融したシリコンが溝１３内で飛散し、溝内に付着したシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１２が切断される。溶融したシリコンはまた、シリコン基板１４に生じた貫通孔を通ってガラス１４の溝１７に充填される。溝１７に充填されたシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１４が切断される。 （もっと読む）