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Fターム[4E351DD31]の内容

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【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物102をインクジェット法で基板101上に描画し、それにレーザ光103を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層105を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く静電容量の大きいキャパシタを形成することができる誘電体材料を提供する。
【解決手段】1)構成元素としてBaおよび/またはSrとTiを含む複合金属アルコキシド化合物を含む有機溶媒溶液中に、2)構成元素としてBaおよび/またはSrとTiを含む結晶性の金属酸化物粒子と、3)リン酸エステル基を含む分散剤を必須成分として含む材料を使用する。 (もっと読む)


RF−4に対する積層引き剥がし強さを少なくとも80.4グラム/ミリメートル(4.5ポンド/インチ)にする効果があり1.0ミクロン未満の平均表面粗さ(Rz)と1.2ミクロン未満の平均ノジュール高さを有するレーザーアブレーション防止層(100)によって、誘電基板(92)に積層されるための銅箔(96)が被覆される。被覆後の箔(96)は少なくとも40の反射率の値を有する。被覆後の箔(96)は通常、ガラス強化エポキシ又はポリイミドのような誘電基板(92)に積層され、画像形成されて複数の回路トレースとなる。誘電体(92)を貫通し箔(96)と誘電体(92)との境界で終わるブラインドビア(98)を、穴あけ加工することができる。本発明の被覆後の箔(96)はレーザーアブレーションに耐えるので、穴あけ加工中レーザーによって箔(96)に穴(102)があかないようにする。
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複数の近接して配置された導線(10)が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体(26)。そのような基体(26)は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体(26)は、錫ウィスカーが跨がることができる距離(14)に分離された複数の導線(16)、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層(28)、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層(30)を有する。別の被覆された電気伝導性基体(26)は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体(26)は、基体(26)の上に堆積された障壁層(32)を有する。続いて堆積される層には、障壁層(32)の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層(34)、低抵抗率酸化物金属層(40)、及び錫又は錫基合金の最外層(36)が含まれる。障壁層(32)は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層(40)は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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銀系材料を導電層に用い、それを導電保護層により被覆して保護した配線付き基体形成用積層体であって、導電保護層とそれに積層される陰極との間の接触抵抗が極めて低い配線付き基体形成用積層体の提供。 基体と、前記基体上に形成された銀または銀合金を含む導体層と、前記導体層上に該導体層を被覆するように形成された、インジウム亜鉛酸化物を含む導電保護層とを有する、配線付き基体形成用積層体であって、前記導電保護層が、スパッタガス中の酸化性ガスの含有量が1.5体積%以下の雰囲気でのスパッタリングにより形成された導電保護層である、配線付き基体形成用積層体。 (もっと読む)


【目的】 1000℃以下で焼成可能なガラスセラミックからなる基板に、密着強度、ハンダ耐熱性、基板との焼成マッチングに優れ、導体損失を低減した表層導体を同時焼成にて形成したセラミック配線基板を提供する。
【構成】 ガラスセラミックからなる未焼成のセラミックグリーンシート上に、銀および白金からなる導電成分と、モリブデン、タングステン、二酸化マンガン、二酸化ケイ素、酸化銅からなるフィラー成分とを含む導電ペーストを用いて表層配線を形成した後、1000℃以下の温度にて前記の未焼成のセラミックグリーンシートと前記銀/白金表層配線とを同時焼成したセラミック配線基板。 (もっと読む)


【課題】電源層とグラウンド層間で発生する電源電圧及び不要放射ノイズを広い周波数範囲にわたって簡単な構造で容易に抑制することができる配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板2の表面に半導体素子4を搭載する搭載面を有し、且つ絶縁基板2の裏面または内部にCu、W、Moのうち少なくとも1種を主成分とする導体材料によって形成された電源層5とグランウド層6とが形成されてなる配線基板1であって、電源層5とグラウンド層6のうち少なくとも一方の層の周縁にその内部領域5a、6aよりも高いシート抵抗を有するシート抵抗が0.1Ω/sq〜1000Ω/sqであり、内部領域5a、6aよりも高抵抗の導体材料によって形成するか、または孔8、溝9を形成してなる高抵抗領域5b、6bを設ける。 (もっと読む)


【課題】 低温焼結セラミックグリーンシートとの同時焼成後に隆起、亀裂、セラミック割れ等が発生しにくい導体ペーストを提供すること。
【解決手段】 導体粉末と有機ビヒクルとからなる導体ペーストであって、前記導体粉末が、酸化銅粉末を60.0〜80.0重量%、銅粉末を20.0〜40.0重量%、それぞれ混合してなる導体ペースト。或いは、酸化銅粉末を55.0〜79.5重量%、銅粉末を20.0〜40.0重量%、酸化ニッケル、パラジウム及びタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属粉末を0.5〜5.0重量%、それぞれ混合してなる導体ペースト。 (もっと読む)


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