【課題】 レジスト膜厚を均一にすることにより、ウエハ面内寸法を均一にすることを目的とする。
【解決手段】 現像ステージ１０２を一定角度１０６で傾斜させ、現像液供給手段１０７がウエハ１０１に対して移動しながら、ウエハ表面に現像液を供給して、ウエハ上に現像液を多段階で攪拌させることを特徴とする。このような現像ステージ１０２と多段階攪拌により、現像液の流れ現象を均一に行えることで、ウエハ全面が均一な濃度の現像液に覆われるため、現像速度が基板面内において均一になる。 （もっと読む）

【課題】 清浄な状態の被溶射材に清浄な溶射粉末を積層して密着度に優れた溶射皮膜を形成できる粉末溶射方法及び粉末溶射装置を提供する。
【解決手段】 ほぼ水平方向にプラズマアーク１５を出射する溶射ガン１１と被溶射材となるシリンダブロック１とを、シリンダブロック１のボア２内を下方に吸引減圧しながらプラズマアーク１５がシリンダブロック１のボア２の表面を走査するように相対的に移動させながら、プラズマアーク１５に粉末１８を供給して、シリンダブロック１のボア２の表面に溶射皮膜３を形成するに際し、粉末１８をプラズマアーク１５の下部側に供給すると共に、プラズマアーク１５を出射する雰囲気を減圧吸引する方向を、粉末１８の供給する側と同じ方向とする。プラズマアーク１５及びプラズマアーク１５による熱影響部にヒューム１９が巻き込まれることがなくなりヒューム１９が溶射皮膜３内に混入することが防止できる。 （もっと読む）

【課題】 露光装置における露光処理時の基板の処理不良を低コストで防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、液浸露光用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。インターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。液浸露光用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用塗布処理部２００およびレジストカバー膜除去処理部２５０を備える。露光処理前に、液浸露光用処理ブロック１３においてレジストカバー膜が形成される。露光処理後に、液浸露光用処理ブロック１３においてレジストカバー膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】 液相法を用いて成膜ができ、塗布液を有効に利用できる塗布装置を提供すること。
【解決手段】 塗布装置１００は、被処理体（基板）Ｗを支持するための載置部１０と、載置部１０を回転可能に支持する支持手段と、載置部１０に向けて塗布液を噴霧するための複数のシャワーノズル３０，３２，３４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】噴霧供給された処理液によって、基板上に良好な塗布膜を形成することができる基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】塗布部１０は、主として、いわゆる二流体ノズルによって構成されるスプレーノズル１２、１５と、ノズル移動部１１と、吸着ステージ２０と、ヒータ２１と、を備える。処理液の噴霧処理では、まず、ヒータ２１によって基板９を加熱しつつ、吸着ステージ２０を回転させた状態で基板９に塗布液を噴霧供給し、基板９に塗布膜を形成する。次に、塗布膜の上に消失液を供給する。これにより、塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、この球形パーティクル、および球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体を消失液によって消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 カップに付着した固着物を容易に除去することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】 レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）は、ウエハＷを保持し回転させるスピンチャック４１と、スピンチャック４１に保持されたウエハＷを囲繞するように配置されたカップ４３と、ウエハＷにレジスト液を供給するレジストノズル４４と、スピンチャック４１に保護膜形成用治具６０を保持させた際にその保護膜形成用治具６０に保護膜形成用薬液を供給するための第１・第２薬液ノズル４６・４７と、を有する。ウエハＷにレジスト膜を形成する際に、カップ４３において回転するウエハＷから振り切られたレジスト液があたる部分に、剥離自在な保護膜１０が形成された構造とした。 （もっと読む）

【課題】 基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ベベルユニット１１Ａは、ＣＣＤ２１，２２と処理液ノズル１１５，１１６とを備え、ＣＣＤ２１，２２により基板Ｗの周縁部を撮像する。画像処理部２３はＣＣＤ２１，２２からの信号を画像処理して基板Ｗの周端面と処理液ノズル１１５，１１６との間の距離を検出する。制御ユニット３は検出された基板Ｗの周端面と処理液ノズル１１５，１１６との間の距離と、所望の周縁エッチング幅ＥＨとなるようにレシピに設定される、基板Ｗの周端面から処理液ノズル１１５，１１６までの設定距離とを対比して検出距離と設定距離との間の位置ずれ量を算出する。そして、制御ユニット３は位置ずれ量に応じてモータＭ１，Ｍ２を作動させてベベルユニット１１Ａを位置決めする。 （もっと読む）

【課題】被処理物を固定する回転台を囲うカップの内面に付着するレジストの除去を行なうに当たり、作業員によるレジスト除去作業の負担が解消されると共に、レジストの除去が必要十分な溶剤によって確実に、しかも簡単な装置の付加だけて行なえるカップ内面のレジスト除去装置とレジスト除去用治具とレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】回転台３に脱着自在にレジスト除去用治具３１を固定する。上方より治具３１にレジストを溶解させる溶剤をノズル１２から供給する。治具３１は、ノズル１２からの溶剤を受ける筒状の受部３１ｂと、回転台３に固定する固定部３１ｃと、回転台３の回転により受部３１ｂに溜まる溶剤を遠心力により２２カップの内面に噴出させる噴出部３１ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ液等、処理液の跳ね返りによるノズル先端の汚染を防止する待機ポッドを有し、不良発生を抑制する基板塗布装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ノズル待機ポッド１５は、処理液供給ノズル１３が待機位置に移動してきたときに上方でノズル１３の先端部を収納し処理液Ｑ（ここではＳＯＧ液）の溶剤雰囲気にて待機させる。ノズル待機ポッド１５のカップ１５１内において溶剤貯留部１５２と処理液供給ノズル１３先端の間に、防跳部材１６が設けられている。防跳部材１６は、処理液供給ノズル１３からダミー吐出や液垂れで流下された処理液Ｑを大部分通過させて溶剤貯留部１５２に落とすと共に溶剤貯留部１５２からの跳ね返りを阻止するものである。より具体的にはステンレス等の金属製またはフッ素樹脂製で、処理液を通しかつ液跳ねを阻止するための網目またはスリット形状が加工された介在物である。 （もっと読む）

【課題】基材から剥がれ難い塗膜を基材上に形成する。
【解決手段】樹脂材料Ｒを滴下する滴下部と、吐出口６１を移動させる移動機構と、基材１１を回転させる回転機構と、樹脂材料Ｒに放射線を照射して硬化させる硬化処理部と、制御部とを備えて、樹脂材料Ｒを展延して硬化させた塗膜を基材１１の表面１１ａに形成可能に構成され、制御部は、基材１１の表面１１ａと外周面１１ｃとの角部１１ｄに吐出口６１を移動させた状態で角部１１ｄに樹脂材料Ｒを滴下させる第１滴下処理と、基材１１の中央部に吐出口６１を移動させた状態で中央部に樹脂材料Ｒを滴下させる第２滴下処理とを実行した後に、基材１１の回転速度を上昇させて中央部に滴下した樹脂材料Ｒを角部１１ｄまで展延させる展延処理と、展延させた樹脂材料Ｒに放射線を照射させて樹脂材料Ｒを硬化させる硬化処理とを実行する。 （もっと読む）

半導体基板処理動作中に流体を分配する装置。当該装置は、複数の流体源に結合された複数の分配ノズルを備える中央流体分配バンクと、中央流体分配バンクの第１の側に位置された第１の処理チャンバとを含む。また、当該装置は、中央流体分配バンクの第２の側に位置された第２の処理チャンバと、中央流体分配バンクと第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間で並進するようになっている分配アームとを含む。 （もっと読む）

【課題】 処理ごとにカップ内の洗浄を行うことにより、乾燥固化が著しい処理液であっても確実に洗浄可能で、装置稼働率を低下させることがない回転塗布装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板Ｗの処理ごとにエッジリンスノズル２１に対する飛散防止カップ７及び整流板１７の位置を変えることによって、飛散防止カップ７の一部が少しずつ洗浄され、ある枚数の基板Ｗに対する処理を終えた時点でその全面を洗浄できる。したがって、ＳＯＧ液が飛散防止カップ７で固化してしまう前に洗浄するので、付着したＳＯＧ液を容易に除去でき、装置稼働率を低下させることがない。その上、飛散防止カップ７の全面を一度に洗浄するのではなく、一部を少しずつ洗浄してゆくので、洗浄液の気化に伴う雰囲気温度の著しい低下が抑制でき、膜厚の面内均一性を低下させることがない。 （もっと読む）

【課題】 ダメージを抑制しつつ基板に流体を供給することのできる流体吐出ノズルを提供する。また、この流体吐出ノズルを用いて基板への汚染物の再付着を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体流入口２と液体流入口３から流入された気体および液体は、混合部４で混合された後、導出路５の端部に設けられた噴射口６から半導体ウェハ７に向かって噴射される。噴射口６から導出路５の長手方向には湾曲部８が延設されていて、湾曲部８は、導出路５の中心軸１２から離れる方向に徐々に湾曲した形状を有する。導出路５は、長手方向に矩形状の断面を有するものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の不要物を、その基板への再付着を防止しつつ排除することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第２ノズル３から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ２が、第１ノズル２から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ１と相対向し、かつ、第１ノズル２から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ１と第２ノズル３から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ２とが、流速ベクトルＶ１と直交する方向にずれるように、第１ノズル２および第２ノズル３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 スループットを低下させることなく、良好な現像処理を実行することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 静止保持された基板に現像液吐出ノズルから供給される現像液を液盛りする（Ｓ１０１）。次に、現像液が液盛りされた状態で、所定時間、静止保持することにより、現像反応を進行させる（Ｓ１０２）。続いて、現像反応を停止させるために純水吐出ノズルから純水を供給するとともに（Ｓ１０３）、基板の表面に液盛りされた現像液の一部を残留させつつ基板を回転させる（Ｓ１０４）。これにより、溶解生成物を基板の表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進する。そして、リンス処理（Ｓ１０５）、および乾燥処理（Ｓ１０６）を実行して現像処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】 乾燥むらを発生させることなく基板の表面を効果的に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 スピンチャック５０１の上方には遮断用流体ノズル６０が設けられている。遮断用流体ノズル６０は、筒型の遮断用ノズル本体部６０ｂを有しており、遮断用ノズル本体部６０ｂ内において二流体ノズル５０が設けられている。遮断用ノズル本体部６０ｂと二流体ノズル５０との間に遮断用流体通過部６０ａが形成されている。二流体ノズル５０により生成された混合流体が基板Ｗ上に供給される際に、この混合流体を取り囲むように窒素ガスを遮断用流体ノズル６０によって基板Ｗ上に供給する。それにより、窒素ガスが供給される領域を外気の酸素から遮断する。 （もっと読む）

【課題】塗布膜の一般的な形成方法であるスピンコート法やバーコート法には、基体の縁端部で塗布膜が厚くなってしまうという問題があり、この問題を回避するためには、最終製品の樹脂基板よりも広い基体の上に溶液を塗布し、乾燥、焼成工程を経て樹脂基板を形成した後、基体に接着した樹脂基板を必要なサイズに切断しなければならなかった。
【解決手段】溶液を全面に塗布する基体を保持する載置部、この基体に近接する溶液を一部にだけ塗布する基体とを保持する載置部、該載置部の少なくとも一方が上昇および下降する手段、基体の表面から所要のギャップをおいて近接するバー、などを有する塗布装置によって、溶液を塗布した後、溶液を全面に塗布する基体を保持する載置部または溶液を一部にだけ塗布する基体を保持する載置部の少なくとも一方を上昇または下降することによって塗布膜を切断し、溶液を全面に塗布する基体上に厚みが一定の塗布膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】 基板の裏面側を通る気流中にミスト状の塗布液が殆んど含まれず、基板裏面に塗布液が付着することがない塗布装置を提供する。
【構成】 基板Ｗが回転し且つ空間Ｓ内が減圧状態になると、純粋なエアのみは、基板Ｗの外周縁からパンチングプレート８を透過してミストガード１０と水平部７との隙間を通り、呼吸用の開口９から水平部７の上面と基板Ｗの下面との間の隙間を径方向外側に向かって流れ、一方、基板Ｗの外周縁から飛び出す糸状の余剰塗布液はパンチングプレート８を通過する際にトラップされパンチングプレートに捕捉され、ミストについてはパンチングプレート８は通過するがミストガード１０において捕捉され、結局、呼吸用の開口９から水平部７の上面と基板Ｗの下面との間の隙間に向かう気流中には塗布液及びミストは含まれず塗布液が基板Ｗの下面に付着することがない。 （もっと読む）

【課題】 レジスト液の塗布からウェハ周縁部上のレジスト膜の除去までの一連のレジスト塗布処理をより短時間で行う。
【解決手段】 レジスト塗布装置２０に，レーザ光を照射するレーザ照射部１７３を設ける。レジスト塗布処理時には，回転されたウェハＷの中心部にレジスト液供給ノズル１３３によりレジスト液が吐出され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後，レーザ照射部１７３がウェハＷの外周部上に移動し，外周部上のレジスト膜にレーザ光が照射され，当該外周部上のレジスト膜が乾燥される。外周部上のレジスト膜が乾燥すると，引き続きレーザ光の照射が継続され，溶剤供給ノズル１５０がウェハＷの周縁部上まで移動し，ウェハＷの周縁部上のレジスト膜に溶剤が供給される。この溶剤の供給により，ウェハＷの周縁部上のレジスト膜が溶解し除去される。 （もっと読む）

本発明は、回転自在な液体送出アーム(50)及びノズル(54)を用いて流体をウェーハトラックモジュール内に制御自在に送出する装置及び方法である。装置は、フォトレジストでコーティングされた基板(W)を支持し且つ回転させるスピンチャック(44)と、それに隣接して取付けられた回転可能なアーム(50)を有する。アーム(50)は、現像液及び濯ぎ液等の流体源(52)に接続された送出ノズル(54)を支持し、送出ノズル(54)は、流体を送出するノズルチップ(56)を有する。ノズルチップ(56)を基板(W)の表面に向ける送出位置と、現像液等が基板上に滴下する恐れを減少させるようにノズルチップ(56)を基板(W)の表面から遠ざける非送出位置との間で、送出ノズル(54)を選択的に位置決めするために、アーム(50)はその長手方向軸線周りに回転可能である。
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