【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、６０体積％以上９９．７体積％以下のＳｉＡｌＯＮを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、ＦｅＳｉ化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。上記の結合材は、Ｓｉ₃Ｎ₄およびＡｌ₂Ｏ₃をさらに含むことが好ましい。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、１０％以上９５％未満の結合材の粒子径の長径が５μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および耐欠損性に優れた複合焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、６０体積％以上９９．７体積％以下のＳｉＡｌＯＮを含み、残部が結合材からなり、該結合材は、ＴｉＳｉ化合物を含み、結合材の組織は、不連続な部分を有することを特徴とする。複合焼結体に含まれる結合材のうちの、１０％以上９５％未満の結合材の粒子径の長径が５μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＣＢＮ成形体であって、それの表面に耐熱性物質層が結合されている該ＣＢＮ成形体を製造するその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）成形体であって、その表面に耐熱性物質層が結合されている該立方晶窒化ホウ素成形体を製造する方法において、ＣＢＮ粒子塊を、前記耐熱性物質層を形成することのできる材料と接触させて配置することによって、反応集合体を作る工程と、前記反応集合体を、ＣＢＮ成形体を形成するのに適した高温高圧条件にさらす工程と、を含む、上記方法である。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 Ｙ_２ＳｉＡｌＯ_５Ｎの結晶が存在した場合でも破壊靭性を低下させることなく、強度に優れた窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素の結晶を主相とし、粒界相にＹ_２ＳｉＡｌＯ_５Ｎの結晶およびＹ_４ＳｉＡｌＯ_８Ｎの結晶が存在する窒化珪素質焼結体である。これにより、強度に優れた窒化珪素質焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い熱電性を備えるＭｇ−Ｓｉ系のｐ型熱電変換材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_２Ｓｉと、下記一般式（１）：Ｍｇ_２Ｘ・・・・（１）［式（１）中、Ｘはストロンチウム及びバリウムからなる群から選択されるアルカリ土類金属を示す。］で表わされる化合物（Ｉ）と、下記一般式（２）：ＸＭｇＳｉ・・・（２）［式（２）中、Ｘは式（１）中のＸと同義である。］で表わされる化合物（ＩＩ）とからなり、前記Ｍｇ_２Ｓｉと前記化合物（Ｉ）と前記化合物（ＩＩ）との合計量（合計量ａ）に対する前記Ｍｇ_２Ｓｉの含有モル比（Ｍｇ_２Ｓｉ量／合計量ａ）が０．００５〜０．２であり、前記化合物（Ｉ）の含有モル比（化合物（Ｉ）量／合計量ａ）が０．６５〜０．９９であり、前記化合物（ＩＩ）の含有モル比（化合物（ＩＩ）量／合計量ａ）が０．００５〜０．１５である焼結体を含有することを特徴とするｐ型熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、チタンを含むチタン原料と、炭素を含む炭素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を焼結する焼結工程と、酸化性雰囲気下で炭素を酸化して除去する酸化工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融金属めっき浴に浮遊する異物が付着し難い溶融金属めっき浴用の浸漬部材を提供する。
【解決手段】セラミックス複合材の全質量基準で、窒化硼素（ＢＮ）を２０質量％以上７０質量％以下配合した窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）基セラミックス複合材を用いて溶融金属浴用の浸漬部材７４２を形成する。この浸漬部材７４２を溶融金属めっき装置１に付設される異物除去装置（ガスリフトポンプ７）に用いると、浸漬部材７４２に対する異物（ドロスＤ）の付着や固着が起こり難くなるので、浸漬部材７４２の交換頻度を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ化モリブデン及びこの基本材料の合金から本質的に構成される発熱体の製造のための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それ自体既知の方法で、アルミニウムケイ化モリブデンＭｏ（Ｓｉ_１−ｙＡｌ_ｙ）_２をベントナイトクレーと混合することによりＭｏ（Ｓｉ_１−ｘＡｌ_ｘ）_２及びＡｌ_２Ｏ_３を実質的に含有する材料を生成し、しかも、該ベントナイトクレーは不純な又は汚染性の物質を含有するようにされ、該ケイ化モリブデンは、該不純物と合金化されることができなく且つケイ化モリブデンの結晶格子の対称性は、２０００ｐｐｍ未満での組み合わせ含有量で該不純物と維持されることを特徴とする。本発明はまた、発熱体に関する。 （もっと読む）

【課題】ピンの作製に微小なクラックがピンの表面に存在せず、長寿命化が可能となる摩擦攪拌用接合工具用ピンとそれを用いた摩擦撹拌接合装置を提供する。
【解決手段】支持体２の先端に被接合部材に押圧させるピン１を備えたものであり、ピン１は表面に被覆層３を有するセラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％、ホウ素（Ｂ）を酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．１〜１０質量％それぞれ含有し、気孔率が３８〜８０％である炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶２を９３質量％以上含む窒化珪素質焼結体１であって、焼結体１の表面を含む断面研磨面をフッ酸水溶液によりエッチング処理を行った後の前記断面研磨面の組織写真において、焼結体１の空隙３について、表面領域Ａにおける空隙率が焼結体１の内部Ｂにおける空隙率よりも小さい窒化珪素質焼結体１である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックス膜を分離膜として用い、それによるろ過を長時間運転しても目詰まりを生ぜず、物理的洗浄または薬品洗浄とは異なる洗浄性を発揮し得る多孔質セラミックス膜を提供する。
【解決手段】珪素化タングステンまたは珪素化モリブデンよりなる多孔質セラミックス膜。多孔質セラミックス膜は、好ましくは中空糸膜状に形成される。多孔質セラミックス膜は、気体または液体の分離膜としてろ過に用いられ、目詰まりを生じたらそこに通電処理を施し、目詰まり物質を除去してろ過膜の再生を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３０質量％含有し、気孔率が３８〜８０％の炭化珪素質多孔体である。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができる炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる結合材とを有し、結合材の含有率（１００×結合材／（炭化珪素粒子＋結合材））が５〜７０体積％であり、開気孔率が３０〜７０％であり、結合材が、Ｔｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種を、結合材全体の６０体積％以上含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができるとともに、熱サイクルによる強度低下の少ない炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる、複数の相からなる結合相とを有し、結合相のなかで、最も大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は、４０〜８００℃の線熱膨張係数がＳｉより３×１０^−６（℃^−１）以上高い値のＴｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種からなる相（金属珪化物相）の、いずれか一方であり、次に大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は金属珪化物相の、残りの一方であり、結合相が、Ｓｉ相を、結合相全体の２０〜８０体積％含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で粒界相中の金属イオンの移動を防ぐことができ、かつ耐腐食性及び高温特性に優れているセラミックヒータを提供すること。
【解決手段】モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１種を主成分とする発熱体と、窒化珪素を主成分とし、かつ希土類元素を酸化物換算で４〜２５質量％含有し、かつアルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１質量％含有し、かつ全酸素量に対する希土類元素の酸素量の比が０．３〜０．６であり、かつモリブデン、バナジウム、タングステン及びクロムから成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物を１〜８体積％含有する基体とを備え、前記基体の表面には、希土類元素のモノシリケート及び／又はダイシリケートが主結晶相であり、前記発熱体が前記基体に埋設されて成ることを特徴とするセラミックヒータ。 （もっと読む）