【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶１と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相２とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔３を有し、開気孔３の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第１の柱状結晶１ａよりも径の太い第２の柱状結晶１ｂが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔３の内面の粒界相２の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相２と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体１は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備える基体１０と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部１１と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として０．４質量％〜４．８質量％が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びに金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材を提供する。
【解決手段】組成式Ｓｉ_6-ZＡｌ_ZＯ_ZＮ_8-Zで表され、固溶量ｚ値が０．４〜０．７であるβ−サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、Ｙ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、Ｙの構成比率がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃換算でＡｌ₂Ｏ₃１４〜４２質量％、ＳｉＯ₂８〜１９質量％、残部がＹ₂Ｏ₃であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して１５体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．１〜１．５質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】 所望の導電特性に制御することができる炭化けい素質多孔体の製造方法を実現する。
【解決手段】 骨材としての炭化けい素粉末に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比（Ｓｉ／Ｃ）が０．５〜１．５である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を所定量混合して成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成することにより、けい素源の窒化けい素と炭素源の炭素質固体とが反応して炭化けい素が生成して骨材をつなぐネックが形成された炭化けい素質多孔体を製造する製造方法であって、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により導電特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、チタンを含むチタン原料と、炭素を含む炭素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を焼結する焼結工程と、酸化性雰囲気下で炭素を酸化して除去する酸化工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイアロン粉末を用いて高密度且つ三次元複雑形状のセラミックス製品を射出成形法により製造する方法を提供する。
【解決手段】サイアロン粉末Ａ、焼結助剤Ｂ、および有機バインダＣを含有する成形材料であって、前記サイアロン粉末Ａは、平均粒径０．０１μｍ〜３．０μｍの粉末であり、前記焼結助剤Ｂは、Ｙ、Ｙｂ、Ａｌ及びＺｒよりなる群から選択される元素の酸化物であり、サイアロン粉末Ａと焼結助剤Ｂの合計量に占める割合が０．５〜１５重量％となる量で含有されており、前記有機バインダＣは、成形材料全量に占める割合が３０〜７０体積％となる量で含有されている、成形材料を調製し、当該成形材料を射出成形して成形体を得、当該成形体を加熱脱脂し、焼結する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び炭素源としてフェノール樹脂を含むスラリー溶液を調製する工程と、スプレードライヤー法を用いて、スラリー溶液から炭化ケイ素顆粒を得る工程と、炭化ケイ素顆粒から形成された成形体をホットプレス法を用いて焼結する工程とを含む炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、スラリー溶液にフェノール樹脂の沸点よりも高い沸点を有する可塑剤としてグリセリンを添加する。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性の低下が抑制され、しかも優れた耐欠損性を有する立方晶窒化硼素質焼結体およびそれを用いた切削工具である。
【解決手段】 この焼結体は、繊維状の芯材の外周面を表皮材によって被覆した繊維状構造で、立方晶窒化硼素粒子を結合相で結合したものであり、前記結合相は、周期律表第４，５および６族金属の群から選ばれる少なくとも１種の金属元素の炭化物を芯材または表皮材に、周期律表第４，５および６族金属の群から選ばれる少なくとも１種の金属元素の窒化物を表皮材または芯材に存在させることによって、前記粒子の脱落と結合相の摩耗、脱落とを同時に抑制でき、耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性が特に優れた焼結体となる。 （もっと読む）

【課題】透光性と耐プラズマ性とを併せ持つセラミックス材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムと炭化ケイ素との比が少なくとも７５：２５であり、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを使用して作製されるセラミックス材料は、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記ＳｉＣ粉末をタップした際にできる空隙の容積の２５〜１００体積％に調整する。 （もっと読む）

【課題】靭性および強度等の機械特性に優れる炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、成形し、炭素化処理してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、Ｘ線回折法による、前記炭素繊維の炭素００２面の面間隔ｄ００２が、３．４６〜３．５１である炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム溶湯との濡れ性が良くして超音波処理を好適に行うことができるとともに、破壊靱性を高めて耐久性を向上させた窒化珪素基焼結体製の超音波ホーン用いてアルミニウム鋳造組織を効率的に微細化する。
【解決手段】通常の焼結助剤を含むＳｉ_３Ｎ_４原料複合粉中のＳｉ_３Ｎ_４粉末１００質量部に対して４Ａ族元素を金属換算で１.０〜１０質量部を含む複合粉の焼結体を焼結した窒化珪素基焼結体製の超音波ホーンによりアルミニウム溶湯に超音波を照射する。
窒化珪素基焼結体製造の際に、Ａｌ_２Ｏ_３やＹ_２Ｏ_３等の焼結助剤の他に４Ａ族元素或いはその化合物を添加した焼結体を用いることにより、アルミニウム溶湯との濡れ性が良くして超音波処理を好適に行うことができる。 （もっと読む）