【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素セラミックスとなるグリーンシートにおける膜厚の均一性を向上させると共に、粒子の配向度の制御を適切に行い、良好な特性の窒化珪素セラミックス基板を容易に製造する。
【解決手段】マイラーシート１２が巻き取り側ロール１６で巻き取られ、生シートがマイラーシート１２から離脱した（離脱工程）後でも、生シート１４においてはそのままシート状となった形態が維持される。離脱工程後の生シート１４は、加熱装置１８を通過する（加熱工程）。この加熱装置１８中においては、生シート１４は再び加熱され、その中に含まれるバインダー成分が軟化する。生シート１４においては、乾燥工程で有機溶媒が蒸発することによって定形性が得られ、その後でバインダーの軟化温度以上での圧延工程を行うことにより、β型窒化珪素粒子の配向が進み、窒化珪素セラミックス基板における面内配向度を０．４以上の値とすることができる。 （もっと読む）

【課題】目詰まり量が少なく、且つ、十分な強度を有する炭化ケイ素多孔質構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】炭化ケイ素粉末８０ｇ，水溶性フェノール樹脂４３ｇ，水３０ｇ，解膠剤０．５ｇ，及びバインダー３ｇを含む水性スラリーを調製し、この水性スラリーに市販のウレタンフォームを１回含浸させた。次に、ポリシリコンを充填した坩堝上にセラミック製の載置板を配置し、載置板上に水性スラリーを含浸させたウレタンフォームを載置して加熱炉内に導入した。そして９００℃の真空雰囲気内で坩堝を加熱することにより水性スラリーを炭素化させた後に、１６００℃の真空雰囲気内で０．５時間坩堝を加熱することにより坩堝内に充填したポリシリコンに由来するシリコン蒸気によりウレタンフォームにシリコンを含浸させた。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックス膜を分離膜として用い、それによるろ過を長時間運転しても目詰まりを生ぜず、物理的洗浄または薬品洗浄とは異なる洗浄性を発揮し得る多孔質セラミックス膜を提供する。
【解決手段】珪素化タングステンまたは珪素化モリブデンよりなる多孔質セラミックス膜。多孔質セラミックス膜は、好ましくは中空糸膜状に形成される。多孔質セラミックス膜は、気体または液体の分離膜としてろ過に用いられ、目詰まりを生じたらそこに通電処理を施し、目詰まり物質を除去してろ過膜の再生を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度，耐食性，耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】中子７を用いて成形され、その中子７の形状に対応する細孔５を内部に有する成形体であって、炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含有する成形体を形成し、この得られた成形体に対して脱バインダー処理を実施した後にこの脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に好適な多孔体を提供する。
【解決手段】１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボンと、２０質量％以上の金属シリコンからなることを特徴とする多孔体であって、前記金属シリコンの粒子同士がネッキングした構造を有する。１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボン粉末または５質量％以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０質量％以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする工程と、前記成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０℃で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、バインダを用いないでも成形型へ充填されたナノＳｉＣの圧粉状態が維持されて優れた成形性をもち、正常な加圧焼結が出来るような成形性の良好な超微細ＳｉＣ粒子およびその製造方法を得ようとするものである。
【解決手段】粒径が10〜100nmでＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む成形性に優れた超微細ＳｉＣ粒子である。 （もっと読む）

【課題】アルコールと水などの様々な液体の吸液量をそれぞれ所定の範囲にコントロールすることができる吸液芯を提供すること。
【解決手段】一方面とそれに対向する他方面とを有し、多孔質セラミックスからなる吸液部と、該吸液部を一方面から他方面へかけて区画する緻密質材料からなる隔壁部とを有し、該隔壁部によって区画された部分吸液部の少なくとも一つと他の部分吸液部との平均気孔率が異なること。 （もっと読む）

複合材料品は、第１の複合材料および第２の複合材料を含む。第１の複合材料および第２の複合材料は、個々に、結合剤中に硬質粒子を含む。第１の複合材料の結合剤中のルテニウム濃度は、第２の複合材料の結合剤中のルテニウム濃度と異なる。 （もっと読む）

【課題】 セラミック中空体の外表面の厚み方向に垂直な方向の圧縮応力が低いと、外表面から機械的な衝撃を受けたときに、外表面の破壊起点から亀裂が進展しやすいため、外部から機械的な衝撃を受けたときに、外表面の破壊起点から亀裂が進展しやすく破壊されやすく、耐衝撃性が低くなりやすい。
【解決手段】 本発明のセラミック中空体１は、内部に閉空間１０を有するセラミック中空体１であって、外表面１２における開気孔率が前記閉空間１０と接する内表面１１における開気孔率に比し高い。これにより、高い耐衝撃性を有する中空体およびそれを用いた浮力材を提供でき、優れた潜水装置や溶融金属用浮きを提供できる。 （もっと読む）

【課題】摩耗や損傷が生じにくく、長寿命な窯炉用構造部材を提供する。
【解決手段】熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、強度が５０ＭＰａ以上、ヤング率が２００ＧＰａ以上、見掛け気孔率が１０％以下のセラミックス材料からなる窯炉用構造部材であって、当該セラミック材料は、炭化珪素、窒化珪素、炭化珪素と窒化珪素との複合材料、炭化珪素と珪素との複合材料、及び炭化珪素と珪素化合物との複合材料の内の何れかである。 （もっと読む）

多孔質の繊維強化構造を形成する工程、前記繊維構造の細孔中に、複合材料マトリックスを構成するための元素を含有する粉体を導入する工程、および前記粉体同士の間、あるいは前記粉体の少なくとも一部と加えられた補足的な少なくとも一種の元素との間で反応を起こすことにより、前記粉体から少なくとも前記マトリックスの主要部分を形成する工程を具備し、前記繊維構造内に導入された前記粉体、および前記加えられた補足的な元素は、ホウ素化合物を含む少なくとも一つの回復不連続マトリックス相、およびラメラ構造の化合物を含む少なくとも１種のクラック偏向不連続マトリックス相を形成する元素を含有する方法である。マトリックスの少なくとも主要部分は、繊維構造内に導入された粉体と少なくとも一種の加えられた補足的な元素との間の反応により、または粉体同士の焼結により形成される。 （もっと読む）

【課題】肉厚形状にしても、酸化劣化、破損等が生じ難いＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、結合剤として前記炭化珪素粒子間の隙間に充填された珪素（Ｓｉ）とを有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体であって、前記炭化珪素粒子の最大粒子径が、０．５ｍｍ以上であり、前記珪素の含有率が５〜４０質量％であり、気孔率が０〜５％であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。好ましくは、厚さ２０〜２００ｍｍの肉厚形状であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 （もっと読む）

【課題】層間剥離が発生し難く、かつ、熱伝導性に優れるとともに安価に製造することが可能な窒化アルミニウム多層基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム多層基板１は、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）をモル比が略１：１の割合で含有する窒化アルミニウムのグリーンシートの焼結体からなる基体２の表面にスクリーン印刷等によってメタライズ層３が形成され、各基体２の層間に窒化アルミニウムを主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウム及びアルミナをモル比が略１：１の割合で含有する絶縁性ペーストの焼結体からなる絶縁層４が形成されるとともに、絶縁性ペースト中の焼結助剤の割合がグリーンシート中の焼結助剤の割合よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼成炉内の雰囲気が窒化アルミニウム成形体に接触しないように遮断することが可能な窒化アルミニウムの焼成方法とその焼成用治具を提供する。
【解決手段】焼成用治具１ａはベース３ａとこのベース３ａの上部を覆う蓋部３ｂとからなり、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のいずれかを主成分とする坩堝３と、底板５と枠体６とからなり、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックス又はモリブデン及びタングステンなどの高融点金属のいずれかを主成分とするセッター４とから構成され、枠体６は枠板片６ａ〜６ｃとから構成される。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に無電解メッキにより直接金属膜を形成することによってメタライズドセラミック基板を製造する方法において、信頼性が高く、十分な密着強度が得られるメタライズドセラミック基板を作製可能な方法を提供すること。
【解決手段】表面に導電層または導電ペースト層を有していてもよいセラミック基板からなる原料基板を準備する工程（Ａ）と、該原料基板上にセラミックペースト層を形成し、該セラミックペースト層を焼成しセラミック焼結体層を形成する工程（Ｂ）と、該セラミック焼結体層上に無電解メッキにより金属膜を形成する工程（Ｃ）と、を含むメタライズドセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の高強度特性に加えて熱伝導率が高く放熱性に優れ、導体層の接合強度および導電性が高い窒化けい素配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化けい素基板の表面に窒化ジルコニウムから成る導体層が一体に形成されており、上記窒化ジルコニウム導体層の電気抵抗値が１０^２Ω・ｃｍ以下であり、上記導体層の９８質量％以上が窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）から成ることを特徴とする窒化けい素配線基板である。 （もっと読む）