【課題】抵抗値が低く、炭化珪素発熱体の電力損出を少なくすることができて、省エネルギーを可能とし、製造コストの面でも有利な炭化珪素発熱体端部の製造方法を提供する。
【解決手段】発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が１５０〜１５００Ｐａの減圧下で、１４５０〜１７００℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。
【解決手段】
高分子フィルムを硼素と窒素を含む雰囲気で熱処理することにより窒化硼素（ＢＮ）に転化させてＢＮるつぼを製造する方法であり、より具体的には、高分子フィルムを硼素及び窒素を含むガス中で１２００℃〜２０００℃の温度で処理して少なくとも表面部が硼素及び窒素からなる中間体を生成させる第一の工程と、得られた中間体を２０００℃以上３０００℃以下の温度範囲で本焼成してＢＮるつぼを得る第二の工程とを含むＢＮるつぼの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％含有し、気孔率が３８〜８０％であり、気孔径が１０〜６０μｍである炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】 バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する方法を提供することを目的とし、本発明の多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法は、少なくとも炭化ケイ素粉末とケイ素粉末とバインダとを含む原料組成物を用いて炭化ケイ素成形体を作製する成形工程と、
上記炭化ケイ素成形体に脱脂処理を施して、炭化ケイ素脱脂体を作製する脱脂工程と、
上記炭化ケイ素脱脂体に焼成処理を施して、多孔質炭化ケイ素焼結体を作製する焼成工程とを含む多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、
上記原料組成物において、上記ケイ素粉末の含有量は、上記炭化ケイ素粉末と上記ケイ素粉末との合計量の１〜３重量％であり、
上記焼成工程において、炭化ケイ素粉末同士が相互拡散により粒子間ネックを形成しうる温度で焼成処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素Ｘ体積部、炭化珪素Ｙ体積部、シリコンＺ体積部を主成分とし、１０＜Ｘ＜６０、２０＜Ｙ＜７０、５＜Ｚ＜３０であり、炭化硼素と炭化珪素の１０μｍ以上の粒子が１０〜５０体積部であることを特徴とする複合材料。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素・炭化珪素・炭素源を主成分とする原料を成形して充填率が６０−８０％の成形体を製造する成形工程と、該成形体に熔融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素・炭化珪素・シリコンを主成分とする複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】使用されたディーゼル粒子フィルタの濾過性能を高めるために、カーボンブラック粒子を堆積することができる表面積をできる限り大きくする必要がある
【解決手段】ケイ素含有粒子からなる材料を、ポリアミドの存在で熱分解する、ディーゼル車両用の、再生可能なセラミックの粒子フィルタの製造方法。前記方法から製造された粒子フィルタは＞３５０ｍ²／ｌのＢＥＴ表面積を有する。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素Ｘ体積部、炭化珪素Ｙ体積部、シリコンＺ体積部を主成分とし、１０＜Ｘ＜６０、２０＜Ｙ＜７０、５＜Ｚ＜３０であり、炭化硼素と炭化珪素の１０μｍ以上の粒子が１０〜５０体積部であることを特徴とする複合材料。 （もっと読む）

【課題】 超硬合金の高硬度と高強度（抗折力）を両立可能な炭化タングステン粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化タングステン粉末は、レーザー回折・散乱法にて粒度測定した際に得られる粒度分布の累積パーセント径、Ｄ１０％、Ｄ５０％、Ｄ９０％のそれぞれの値をＸ、Ｙ、Ｚμｍとしたとき、０．３５≦Ｘ／Ｙ、Ｚ／Ｙ≦２．８５、０．２０≦Ｙ≦１．２０である。
本発明の炭化タングステン粉末は、金属タングステン粉末またはタングステン酸化物粉末のいずれかと炭素源粉末との混合物を原料として、加熱処理にて得られた炭化タングステン粉末を、気流式粉砕機にて、粉砕ガス圧力０．４〜０．７ＭＰａで粉砕し、その後、遠心分級機にて、分級風量４．０〜６．０ｍ^３／分、分級機周速２２００〜３５００ｍ／分で分級して得られる。 （もっと読む）

【課題】気孔率が高く、熱伝導率が低く、且つ、ガス透過係数の小さい、断熱材に好適な炭化珪素質多孔体を提供すること。
【解決手段】気孔率が３０％以上８０％以下であり、平均気孔径が１０μｍ以上５００μｍ以下の独立気孔を有し、気孔率に対する独立気孔の割合が３０％以上であり、且つ、ガス透過係数が１×１０^−１３ｍ^２以下であり、金属シリコンを１質量％以上２０質量％以下含有する炭化珪素質多孔体の提供による。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４およびβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域５を有するとともに、Ａｌ多領域の平均径が２μｍ以上であり、かつＡｌを全量中０．０５３〜０．４２２質量％含有すること、望ましくは０．１５９〜０．２３８質量％含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３０質量％含有し、気孔率が３８〜８０％の炭化珪素質多孔体である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲げ強さが高く、かつ放電加工が可能な炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体を提供するものである。
【解決手段】 平均粒径１．０μｍ〜２．５μｍの炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）粉末、平均粒径１μｍ未満の二酸化チタン（ＴｉＯ_２）粉末及び平均粒径１μｍ未満の炭素（Ｃ）粉末の混合粉末を加圧条件下で焼結して得られる炭化ホウ素９０〜７０ｍｏｌ％と二ホウ化チタン１０〜３０ｍｏｌ％とからなり、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。１８５０℃〜２０５０℃の温度で焼結することを特徴とする炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。３点曲げ強さが６５０ＭＰａ以上、弾性率が４５０ＧＰａ以上である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、酸化による耐食性の低下が有利に抑制されたアルミナ−炭化ケイ素−炭素系クリンカー及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリカ−アルミナ源原料に対して、炭素源原料を、そこに含まれる炭素分の全量が該シリカ−アルミナ源原料中のシリカ分を化学量論的に全て炭化ケイ素とすることが可能な炭素量を超えるような量的割合において配合し、焼成することにより、アルミナ中に炭化ケイ素及び炭素が存在せしめられてなるアルミナ−炭化ケイ素−炭素系クリンカーとした。 （もっと読む）

【課題】靱性を向上できる炭化硼素質焼結体およびその製法ならびに防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、前記炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に、針状の炭化珪素５が存在するとともに、任意の断面における針状の炭化珪素５が５００〜５０００個／ｍｍ^２存在するため、針状の炭化珪素５のアンカー効果により炭化硼素からなる主結晶粒子１同士を連結し、靱性を向上でき、仮に、クラックが発生したとしても、針状の炭化珪素５でクラックの進展を抑制することができ、これにより、防護部材の破損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】所望形状の炭化ケイ素質ヒーターを容易に製造可能な炭化ケイ素質ヒーターの製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素（Ｓｉ）粉体を含む坩堝内にカーボン（Ｃ）製のシートを配置する第１工程と、坩堝を窒素雰囲気下で加熱し、前記シートにケイ素ガスを含浸して反応焼結させる第２工程とを有する。窒素雰囲気下でケイ素ガスを含浸して反応焼結させることによりカーボン製のシートが炭化ケイ素化し、滑、導電性が付与されるので、カーボン製シートを予め所望の形状に加工しておくことにより所望形状の炭化ケイ素質ヒーターを容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）