【課題】 直接窒化法により得られる窒化アルミニウム塊状物を粉砕した窒化アルミニウム粉末を、上記粉砕時に生成する微粉を含んだ状態でそのまま使用しながら、成形、焼成して、高熱伝導性、高絶縁性等の特性を実現することが可能な窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】 直接窒化法によって得られる窒化アルミニウム塊状物を累積９０％体積粒径が５〜９μｍ、好ましくは、比表面積が３．６ｍ^２／ｇ以上となるように粉砕後、上記粉砕時に生成する微粉を分離することなく、上記窒化アルミニウム粉末に対して、焼結助剤として、希土類金属酸化物を３〜７質量％、カルシウム系化合物をＣａＯ換算で１００〜５００ｐｐｍの割合となるように添加して、非酸化性雰囲気下、１７００℃を超え１８００℃以下の温度で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大粒径の窒化アルミニウム焼結顆粒を工業的に製造することを可能とする窒化アルミニウム焼結顆粒の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機バインダー、窒化アルミニウム粉末及び焼結助剤を含有するグリーンシートを細片に切断加工することにより、好ましくは、個々のグリーン片の体積が１．５×１０^７〜１．０×１０^９μｍ^３であるグリーン片を得、次いで、得られたグリーン片を、例えば、１５００〜２０００℃の温度で焼成して窒化アルミニウム焼結顆粒を得る。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、高い成膜レートが実現可能なハースライナと、それを用いた電子ビーム加熱源、電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム加熱源１０は、ハース３と、ハースライナ４と、電子銃５とを有する。ハースライナ４は、ハース３の凹部３１に装着され、被加熱材料Ｍを収容することが可能であり、窒化ケイ素系セラミックスで形成される。電子銃５は、ハースライナ４に収容された被加熱材料Ｍに照射され、被加熱材料Ｍを加熱するための電子ビームＢを発生させる。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材を提供する。
【解決手段】 炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μｍ以下（但し、０μｍを除く）であり、チタンの含
有量が140質量ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）の炭化珪素質焼結体である。この
炭化珪素質焼結体は、機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きなものである。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素粉末である原料粉末と焼結助剤とを混合する混合工程と、上記混合工程により得られた混合粉を成形して圧粉体を生成する成形工程と、上記圧粉体を窒素雰囲気中で焼成することにより窒化ケイ素系セラミックスの焼結体を生成する焼結工程とを含み、上記混合工程において、焼結助剤として、上記原料粉末と上記焼結助剤との合計重量に対する重量比がａ重量％のＹ_２Ｏ_３と、ｂ重量％のＨｆＯ_２と、ｃ重量％（ｃは０以上１以下）のＳｉＯ_２とを添加し、ＭｇＯを添加せず、さらに、ｂ／ａが１以上２以下となり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃが５．５重量％以上１１重量％以下となるように焼結助剤を添加する。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結することが可能な六方晶系窒化ホウ素焼結体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている六方晶系窒化ホウ素粉末を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気中又は真空中において６００℃以上１１００℃未満で焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】 固体電解コンデンサの小型化と大容量化との両立を図ることが可能なＮｂ化合物の微粉末、多孔質焼結体、これを用いた固体電解コンデンサ、およびこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎｂ化合物の微粉末であって、その組成が、ＮｂｘＯｙＮｚ（ｘ，ｚは０を超える正の数、ｙは０以上の正の数）で表され、その電気伝導度が、Ｎｂの電気伝導度の１／１０以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウムを焼結助剤とする窒化アルミニウム焼結体を１７５０℃を超える高温下で処理して加工物を製造する際、熱処理時の熱変形を抑制し、且つ、良好な熱伝導特性を有する加工物を得るための方法を提供する。
【解決手段】上記熱処理に供する窒化アルミニウム焼結体として、粒界相にＹＡＧ（３Ｙ_２Ｏ_３・５Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相とＹＡＰ（Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相が共存し、且つ、上記ＹＡＧ結晶相、ＹＡＰ結晶相に対するＹＡＭ（２Ｙ_２Ｏ_３・Ａｌ_２Ｏ_３）結晶相の存在割合が、窒化アルミニウム（１００）面に対するＹＡＧ結晶相（２１１）面、ＹＡＰ結晶相（２２０）面及びＹＡＭ結晶相（２１０）面のＸ線回折パターンの強度比の合計の１０％以下である窒化アルミニウム焼結体を使用する。 （もっと読む）

【課題】焼結の際に内部に埋設された耐熱性金属材料の炭化を抑制して、耐熱性金属材料の導電性の低下を防止するセラミックス焼結体の製造方法、セラミックス焼結体およびセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】 本発明のセラミックス焼結体は、耐熱性金属材料２と、耐熱性金属材料２の表面に形成され、金属炭化物の標準生成自由エネルギーが耐熱性金属材料２よりも小さい金属材料からなる金属皮膜と、金属皮膜が形成された耐熱性金属材料２をセラミックス基体の原材料である粉体中の所定の位置に配設し、加圧成型されたセラミックス成型体と、を備えるプレセラミックスを焼結して形成され、前記焼結時に金属皮膜が炭化されて金属炭化物皮膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びに金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材を提供する。
【解決手段】組成式Ｓｉ_6-ZＡｌ_ZＯ_ZＮ_8-Zで表され、固溶量ｚ値が０．４〜０．７であるβ−サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、Ｙ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、Ｙの構成比率がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃換算でＡｌ₂Ｏ₃１４〜４２質量％、ＳｉＯ₂８〜１９質量％、残部がＹ₂Ｏ₃であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して１５体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．１〜１．５質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、アルミナ及び酸窒化アルミニウムの少なくとも一方からなるコアと、前記コアの表面に形成された、窒化アルミニウムからなる表面層とを具える窒化アルミニウム系粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた新規な構成のＡｌＮ粒子を簡易に提供する。
【解決手段】カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置し、次いで、前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、全体積の５％〜４０％の割合で内部に中空部を有することを特徴とする、窒化アルミニウム粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】快削性を有すると共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】エンスタタイト及び窒化ホウ素を構成成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度指数が０．８以上である。 （もっと読む）

【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのＢＥＴ比表面積比（＝金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のＢＥＴ比表面積／炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積）が２０〜８０で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が１〜１０％であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積が１〜１０ｍ^２／ｇであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも１種からなること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】廃棄等によって発生するＡｌＮ焼結体を粉砕して得られ、ＡｌＮ焼結体の焼結用原料として、安定した焼結性を有する窒化アルミニウム粉末を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体を粉砕して得られる粉末であって、平均粒子径が２〜１０μｍ、３０００倍の電子顕微鏡写真において観察される、該粉末中の１μｍ以下の微粉の占める割合が、面積比率で５％以下であり、且つ、焼結助剤以外の金属不純物濃度が１５００ｐｐｍ以下の窒化アルミニウム粉末であって、該窒化アルミニウム粉末は、窒化アルミニウム焼結体を、粒界破壊を優先的に生じせしめて所定の大きさに予備粉砕し、次いで、該予備粉砕物を衝突粉砕させることによって得ることができる。 （もっと読む）