【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが２０〜２８であり、かつ共振周波数ｆ。（ＧＨｚ）とＱ値の積であるＱ×ｆ。値が十分に大きく、さらに共振周波数ｆ。の温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下まで調整が可能な条件を満たし得る事ができる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、一般式 ａＮｉＯ−ｂＺｎＯ−ｃＮｂ_２Ｏ_５（式中、２７≦ａ≦３３、１８≦ｂ≦２２、４５≦ｃ≦５５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００（モル％）である。）で表される主成分１００質量部に対して、ＣａＴｉＯ_３を０．１２〜０．１８質量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式（Ｋ_ａＮａ_ｂＬｉ_ｃＣ_ｄ）_ｅＤＯ_ｆ （元素Ｃはアルカリ土類金属であるＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうちの少なくとも１種、元素ＤはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、ａ，ｂ，ｃ，ｄはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たし、０．９７≦ｅ≦１．１０，ｆは任意）で表されるニオブ／タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第１結晶相と、 Ａ−Ｔｉ−Ｂ−Ｏ系複合酸化物（元素Ａはアルカリ金属、元素ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種、元素Ａと元素ＢとＴｉの含有量はいずれもゼロで無い）で構成される第２結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 （もっと読む）

【課題】７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体（電解質）、空気（酸素）と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 （もっと読む）

【課題】複数種の酸化物粒子の分布性、組成制御性に優れ、しかも三相界面が多く、酸素イオン発生性にも優れた複合セラミックス材料及びその製造方法並びに固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の複合セラミックス材料は、イットリア安定化ジルコニアからなるジルコニア粒子が結合して三次元の網目状骨格構造とされ、この網目状骨格構造の表面に、Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３−δ（式中、ＡはＬａ、Ｓｍ及びＦｅの群から選択される１種または２種以上の元素、ＢはＳｒ及びＮｉの群から選択される１種または２種の元素、ＣはＣｏ及びＭｎの群から選択される１種または２種の元素、ＤはＦｅ及びＮｉの群から選択される１種または２種の元素（但し、Ａとは異なる）であり、０．２≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦１、０≦δ≦１であり、０＜δの時一定の酸素欠陥を含有）にて表される酸化物が結合している。 （もっと読む）

【課題】アノード支持基板と電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、その周縁部の反り上がりを低減されており、セルスタックとして多層積層した場合でも割れや破損を生じ難く、周縁部のシール性に優れ、且つ、スクリーン印刷によりカソード層を安定して形成できるアノード支持型ハーフセルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のアノード支持型ハーフセルは、アノード支持基板と、前記アノード支持基板に積層された電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、電解質層が上面となるように載置し、レーザー光学式三次元形状測定装置を使用し、電解質層表面にレーザー光を照射してその反射光を三次元解析することにより求められる電解質層周縁端部の高さ（ｈ１）と、周縁端部からハーフセルの中心方向に３ｍｍの位置における電解質層の高さ（ｈ２）との差（Δｈ）が１００μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換膜を繰り返し駆動させても、安定した圧電特性を得ることが可能な電気機械変換素子、電気機械変換素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】基板２２、下部電極１２と、電気機械変換膜１６、及び上部電極１８がこの順に積層された構成とされ、下部電極１２が、一般式（１）：ＡＢＯ_３で表され、Ａサイト元素とＢサイト元素との組成比率Ａ／Ｂが１．１以上であるペロブスカイト型導電性酸化物を主成分とし、電気機械変換膜１６が、化学溶液法により形成された、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とするペロブスカイト型酸化物強誘電体からなる。一般式（１）中、Ａは、Ｌａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種のＡサイト元素を示し、Ｂは、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｕから選ばれる少なくとも１種を主成分とするＢサイト元素を示す。 （もっと読む）

【課題】新規なセラミックスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、圧粉体を水熱処理し、前記水熱処理後の圧粉体を焼結する方法である。ここで、水熱処理温度が100〜370℃の範囲内にあることが好ましい。また、焼結温度が700〜1600℃の範囲内にあることが好ましい。生成したセラミックスは、密度が70〜100％の範囲内にあり、グレインサイズが0.01〜100μmの範囲内にある。また、配向セラミックスである場合は、配高度が50〜100％の範囲内にあり、圧電定数が10〜5000pC/Nの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】イオン導電性を向上させ、長期間の使用に耐え得る化学的安定性を賦与させることが可能なアパタイトセラミックスの製造方法と、このアパタイトセラミックス用いた燃料電池を提供する。
【解決手段】ランタノイドとＳｉ(ケイ素)とを含む原料を反応させてランタノイドシリケートからなるアパタイトセラミックスを合成する際に、下記組成式（１）のアパタイトセラミックスが生成されるようＡｌ又はＭｇの少なくとも一方をドープすると共に、遷移金属を添加することを特徴とするアパタイトセラミックスの製造方法。(１−α){Ｌｎ_9.333+x(Ｓｉ_6-yＴ^u+_y)Ｏ_{26+1.5x-(2-0.5u)y}}−α(ＭＯ_γ)…（１）（但し、Ｌｎ；ランタノイド、Ｔ；Ａｌ又はＭｇの少なくとも一方の元素、Ｍ；遷移金属、0.3＜x＜0.867、0.1≦y≦0.4、0.002≦α＜0.05、γ；遷移金属Ｍの価数に応じて決定される変数） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】焼結性を向上させることができると共に耐還元性を付与することができ、しかも比誘電率を高めることができる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体セラミック層２と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極３Ａ３Ｂと、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極４Ａ４Ｂと、を備え、上記誘電体セラミック層は、組成式（Ｋ_１−ｙＮａ_ｙ）Ｓｒ_２Ｎｂ_５Ｏ_１５（但し、０≦ｙ＜０．２）で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分として含む誘電体セラミック組成物によって形成されていると共に、上記組成式中のＮｂの２０モル％以下が副成分で置換されており、上記副成分として、Ｍｎが含まれると共にＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｉから選択される少なくとも一種が含まれることがある。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に酸または塩基を含むシート状のセラミックス成形体１５を用意するセラミックス成形体用意工程と、前記セラミックス成形体１５の酸または塩基を含む領域に、金属粒子と有機成分とを含む導体パターン形成用インク２００を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体１０を形成する導体パターン前駆体形成工程と、複数の前記セラミックス成形体１５を積層して積層体１７を得る積層工程と、前記積層体１７を焼結して、導体パターン２０およびセラミックス基板３１とを有する配線基板３２を得る焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い圧電性能と高いキュリー温度を両立した圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）：ｘＢａＴｉＯ_３−ｙＢｉＦｅＯ_３−ｚＢｉ（Ｍ_０．５Ｔｉ_０．５）Ｏ_３…（１）（式中、ＭはＭｇおよびＮｉから選択される少なくとも１種の元素であり、ｘは０．２５≦ｘ≦０．７５、ｙは０．１５≦ｙ≦０．７０、ｚは０．０５≦ｚ≦０．６０の範囲の数値を表わす。但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなることを特徴とする圧電材料。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、高い絶縁性を有してリーク電流が抑制される液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス及び鉄を含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、マグネシウムからなる第１ドープ元素と、マンガン、チタン、バナジウム、ニオブ及びスズからなる群から選択される少なくとも一種の第２ドープ元素とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ａサイトにランタノイド系元素、Ｂサイトにコバルト元素を有するペロブスカイト型酸化物を空気極に用いた場合の反応劣化の問題を解決し、さらに熱膨張係数をある程度低減することで、ＳＯＦＣ用空気極の低温特性を向上させる。
【解決手段】燃料極と、固体電解質と、空気極とがこの順に積層されてなる固体電解質型燃料電池セルにおいて、空気極は、希土類添加セリアとペロブスカイト型酸化物（ＡＢＯ₃）とを１０ｗｔ％：９０ｗｔ％〜６０ｗｔ％：４０ｗｔ％の割合で含有する活性層と、活性層上に形成された集電層とを有する。活性層は、集電層と固体電解質との間に配置され、ペロブスカイト型酸化物は、Ａサイトにランタノイド系元素、Ｂサイトにコバルト元素を有し、さらにＢサイトにのみ２価の金属元素を有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化亜鉛と；Ｓｉ、Ｎｉ、およびＨｆよりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、（１）ＩｎＧａＺｎＯ₄を主相とし、Ｍ金属の少なくとも一部は前記ＩｎＧａＺｎＯ₄に固溶しており、且つ、（２）ＺｎＭ_xＯ_y相およびＭ_xＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）