【課題】 多結晶構造の透光性セラミックスを用い、光学機器に適した分解能を有するレンズとする。
【解決手段】 多結晶構造の透光性セラミックスのうち、粒子径が１２５μメートル以下の透光性セラミックスを硝材として研磨したセラミックスレンズとする。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ用保護膜を提供することである。
【解決手段】 粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 （もっと読む）

【課題】 高密度なＩＴＯ焼結体の原料として好適な微細な酸化スズ粉末とその製造方法を提供する。
【手段】 塩化スズ溶液を好ましくは酸化した後にｐＨ１〜２に調整し、次いで、シュウ酸を好ましくはシュウ酸アンモニウムと共にを加えてシュウ酸スズを主体とする沈澱を生成させ、固液分離した沈殿を乾燥し、好ましくは予備焼成した後に本焼成することによって、平均粒径が０.４μm〜２μm、粒径２μm以下の累積重量が６０％以上および粒径５μm以下の累積重量が９０％以上であって、粒径０.２μm以下および粒径５μm以上の頻度が何れも５％以下の粒度分布を有する酸化スズ粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】 簡単な塗布法により高透過率及び高耐食性を有するα−アルミナ膜を形成することができる方法、この方法における塗布液として使用するための組成物、この方法により得られるα−アルミナ膜を提供する。
【解決手段】ベーマイトゾルと、焼成によりＳｉＯ₂を生成する成分とを含む焼結体原料を、水又は水と有機溶媒との混合溶媒中に分散させてなる組成物を基板上に塗布する工程と、この塗布膜を１２００〜１４００℃で焼成する工程とを含むα−アルミナ膜の製造方法。α−アルミナ膜の含量が８５重量％以上であり、膜厚が０．６μｍ以上であり、かつ膜厚１．０μｍの場合の波長５５０ｎｍにおける光の透過率が９０％以上であるα−アルミナ膜。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ焼結体の反りを抑制することができる酸化インジウム粉末を提案する。
【解決手段】 レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定し得られる凝集粒度体積基準分布において、粒度範囲０．０３〜５μｍにおける最高頻径の頻度が１〜７％、好ましくは２〜５％であり、粒度範囲５μｍ以上における最高頻径の頻度が０．３〜２％、好ましくは０．５〜１．５％である粒度分布を備えた酸化インジウム粉末を提案する。このような酸化インジウム粉末を用いてＩＴＯ焼結体を製造すると、酸化インジウム粉末の急激な熱収縮が起りにくく、ＩＴＯ焼結体の反りを有効に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。
【解決手段】 酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法において、前記分散剤として、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いる。これにより、有機バインダに、安価なポリビニルアルコールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化スズ粉末と均一に混合処理することができ、ＩＴＯ焼結体におけるピンホールの発生を抑制できる酸化インジウム粉末を提案する。
【解決手段】レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定し得られる凝集粒度体積基準分布において、粒度範囲０．２〜４μｍにおける最高頻径の頻度が２〜５％であり、粒度範囲４μｍ以上における最高頻径の頻度が２〜４％である粒度分布を備えた酸化インジウム粉末を提案する。酸化スズ粉末との混合性に優れており、ムラが無くピンホールの生じないＩＴＯ焼結体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】マグネシア透明焼結体の製造方法の提供。
【構成】純度が99重量%以上の薄片状の粒子が3次元的に凝集した嵩高い塩基性炭酸マグネ
シウムを溶媒に分散し、該溶媒を0.1〜15モル%の塩化物イオンに相当する塩化物を溶解し
た溶媒と混合し、この混合液を乾燥し、600℃〜1200℃で仮焼し、得られたマグネシア粉
末を成型して圧粉体を形成し、その圧粉体を1200℃〜1900℃で焼成する。純度が99重量%
以上の薄片状の粒子が3次元的に凝集した嵩高い塩基性炭酸マグネシウムを熱分解温度以
上1100℃以下で仮焼して得られたマグネシア粉末粒子を溶媒に分散し、該溶媒を0.1〜15
モル%の塩化物イオンに相当する塩化物を溶解した溶媒と混合し、乾燥し、600℃〜1200℃
で仮焼した後、得られたマグネシア粒子を成型して圧粉体を形成し、その圧粉体を1200℃
〜1900℃で焼成する。これらの方法によって透明マグネシア焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】リチウム、ナトリウムあるいはカルシウムが層間イオンである雲母結晶が主結晶相であり、イオン伝導性を示し、しかも空気中や水中でも崩壊しない焼成体および結晶化ガラス、および室温で高いイオン伝導を示す透明なケイ酸塩系のガラスを製造する。さらに、イオン伝導性および空気中や水中でも崩壊しない耐水性のみならず、快削性および透明性を有する結晶化ガラスを製造する。
【解決手段】リチウム、ナトリウムあるいはカルシウムが層間イオンである雲母結晶を主結晶相とした焼成体および結晶化ガラスを製造するにあたり、それらが得られる化学組成の範囲を選定し、熱処理条件を制御する。また、それら焼成体や結晶化ガラスと同組成のフッ素含有ケイ酸塩ガラスを製造する。
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【課題】 ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂と同等の光の屈折率と透過率を有し、かつ、青色ＤＶＤのシステムにおいても良好なディスク性能を確保できる保護膜を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ₂粉末とＳｉＣ粉末を、ＳｉＯ₂に対するＳｉＣの比率がモル比で０．２〜１．０となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタリングすることにより、Ｓｉの原子数比を１．０としたとき、Ｏ及びＣの原子数比が１．０：０．５〜１．７：０．１７の範囲にある光ディスク用保護膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットに割れがなく、かつ、ホットプレス１チャージあたりの製造枚数を向上させることが可能な透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する
【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、ケイ素、チタン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、スズおよびタングステンからなる群より選ばれた１種以上の金属酸化物または複合酸化物を添加した原料粉末に、冷間静水圧プレスを施し、得られた塊を粉砕した後、粉砕された混合粉末にホットプレスを施す。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばＰＤＰ保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ保護膜を提供することである。
【解決手段】 焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 比表面積が１ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、スズ（Ｓｎ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、１５ｍ²／ｇ以下であり、さらに好ましくは、６ｍ²／ｇ以下である。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｍ_ｘ（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種でありｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ＜１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、屈折率が大きく、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｔｉ_ｘ１Ｍ_ｘ２（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ１＋ｘ２＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ１＋ｘ２≦０．９０、０＜ｘ１≦０．９０、０≦ｘ２≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ≦１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、
屈折率が高く、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）