【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】希少金属を使用しない遠赤外線放射セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ（Al₂O₃）を45.82wt%、シリカ(SiO₂)を15.2wt%、チタニア(TiO₂)
を3.8wt%、酸化第2鉄(Fe₂O₃)
を1.2wt%、酸化マグネシウム（MgO）を0.02wt%、酸化カルシウム(CaO)を0.2wt%、酸化ナトリウム(Na₂0)を0.23wt%、5酸化リン(P₂O₅)を2.35wt%、ジルコニア(ZrO₂)を20.5wt%、酸化ランタン(La₂O₃)を3.45wt%、及び水分を7.23wt%の重量比で混合して焼成したことを特徴とする遠赤外線放射セラミックス。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１２００℃以下で焼成される焼結体であり、適度に高い熱膨張性と高い耐熱衝撃性を有するマイクロ波を吸収して発熱する白色セラミックスからなる陶磁器を提供する。
【解決手段】釉層が焼結体の表面に形成された陶磁器であり、当該焼結体は、全成分に対して（ａ）７０〜９２質量％のＺｎＯ、（ｂ）５〜１９質量％のＳｉＯ₂及び（ｃ）３〜１８質量％のＡｌ₂Ｏ₃を含有し、（ａ）〜（ｃ）成分の全成分に対する配合割合の合計は９８質量％以上であり、当該焼結体の平均線膨張係数は４．０×１０^-6〜５．７×１０^-6／Ｋである。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供すること
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、５．３ｇ／ｃｍ³以上の密度を有し、かつ２００ｍΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する。本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が、０．０２を超え０．１以下であり、チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである。 （もっと読む）

【課題】分極方向と分極方向に直交する方向との応力状態の違いを測定することができる圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法を提供する。
【解決手段】母相と前記母相中に分散された添加材相との複合構造を有する圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極していない状態で、予定分極方向及び予定分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、予定分極方向を分極方向として分極された圧電／電歪セラミックス焼結体について、分極方向及び分極方向に直交する方向の２方向からラマン分光分析を行い、分極していない圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果と、分極された圧電／電歪セラミックス焼結体についての２方向からのラマン分光分析の結果とから、圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態を得る圧電／電歪セラミックス焼結体の応力状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】新規なセラミックスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、圧粉体を水熱処理し、前記水熱処理後の圧粉体を焼結する方法である。ここで、水熱処理温度が100〜370℃の範囲内にあることが好ましい。また、焼結温度が700〜1600℃の範囲内にあることが好ましい。生成したセラミックスは、密度が70〜100％の範囲内にあり、グレインサイズが0.01〜100μmの範囲内にある。また、配向セラミックスである場合は、配高度が50〜100％の範囲内にあり、圧電定数が10〜5000pC/Nの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、高い絶縁性を有してリーク電流が抑制される液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス及び鉄を含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、マグネシウムからなる第１ドープ元素と、マンガン、チタン、バナジウム、ニオブ及びスズからなる群から選択される少なくとも一種の第２ドープ元素とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ジルコニア−イットリア転動体の転がり疲れ寿命を改善することを目的としている。
【解決手段】転動体は、ジルコニア（ＺｒＯ_２）―アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とする酸化物系セラミック製のものであり、該転動体の中に、アルミナの結晶粒径が安定化ジルコニア粒子の結晶粒径の１／５以上、且つアルミナ−安定化ジルコニアの混合平均粒径の３倍以下であり、且つアルミナの平均粒径は３μｍ以下である転がり支持装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、比較的大きな部材にも適用することが可能な、導電性マイエナイト化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、（１）カルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の割合が、ＣａＯ：Ａｌ_２Ｏ_３に換算したモル比で、１２．６：６．４〜１１．７：７．３となるように調合した原料粉末を用いて、マイエナイト化合物粉末を調製する工程と、（２）前記マイエナイト化合物粉末を、３００℃以上１２００℃未満の温度に保持し、焼結体を得る工程と、（３）前記焼結体を、還元性雰囲気下で１２００℃〜１４１５℃の範囲の温度に保持する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性、高い機械的強度や耐衝撃性を要求される部品に好適なCaF₂−MgF₂二元系焼結体の提供。
【解決手段】MgF₂を１．５〜１０wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 たわみ試験においてクラックの発生が無く機械的信頼性に優れたガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２とを具備するガラスセラミック配線基板であって、前記絶縁基体１がセラミックフィラーとしてアルミナ粒子を含有するとともに、少なくともアルミナ（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）およびカルシウム（Ｃａ）を元素として含むガラス相とから構成されており、前記表面配線層１が銀を主成分とし、ロジウム（Ｒｈ）および酸化銅を含有するとともに、前記絶縁基体１の表面にアノーサイト相を主結晶相とするセラミック層７を有し、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱方式のホットプレス用焼成炉を用いたセラミック焼結体の製造において、セラミック焼結体の品質のバラツキを抑制すること。
【解決手段】誘導加熱方式の焼成炉１内に設けられた焼成室５内にセラミック粉末からなる被焼成物を配置し、一対の加圧部３により被焼成物の加圧を行いつつ加熱して焼成物を得るセラミック焼結体の製造方法に関する。該加熱は、一対の加圧部３から選ばれる少なくとも一方の加圧部３における加圧軸方向の両端部および中間部から選ばれるいずれかの部分に、加圧軸方向における常温での熱伝導率が焼成室５を構成する部材の熱伝導率の１０％以下となる低熱伝導材８を配置して行う。 （もっと読む）

【課題】シートに発生するうねりの低減に適した、燃料電池用電解質シートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、（Ｉ）セラミック多孔質スペーサとジルコニア系グリーンシートとを交互に積み重ねて、前記スペーサと前記グリーンシートとからなる第１の積層体を作製し、前記グリーンシートを所定の温度で焼成する工程と、（II）前記工程(Ｉ)によって得られた焼成シートを複数積み重ねて第２の積層体を作製し、前記第２の積層体に所定の荷重をかけて、前記工程（Ｉ）における焼成温度以下の温度で前記焼成シートを焼成する工程と、を含む。本発明の製造方法では、前記第２の積層体を、１０〜１００枚の前記焼成シートが互いに直接積み重ねられた焼成シート群を含む積層体とする、及び／又は、工程（II）の焼成において、最高温度から、前記最高温度よりも１００℃低温までの降温速度を５℃／ｍｉｎ以下とする。 （もっと読む）

【課題】焼成時の収縮量を小さくし、割れの発生を防止することができると共に、生産性良くハニカム構造体を製造できるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料準備工程と押出成形工程と乾燥工程と焼成工程とを行うことにより、コージェライトの多孔質体よりなり、多角形格子状に配設されたセル壁２と、これに区画された多数のセル３とを有するハニカム構造体１を製造する。焼成工程においては、昇温中の温度Ｔ℃における中間生成物のＸ線回折ピーク比をＫｐ（Ｔ）とすると、所定温度Ｔ₁℃及びＴ₂℃における中間生成物のＸ線回折ピーク比Ｋｐ（Ｔ₁）及びＫｐ（Ｔ₂）の差であるΔＫｐ（ΔＫｐ＝Ｋｐ（Ｔ₂）−Ｋｐ（Ｔ₁））を５以下とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱衝撃係数の改良された多孔質ムライト組成物の提供。
【解決手段】多孔質ムライト組成物は、ムライト（例えば、クレー、アルミナ、シリカ）中に存在する元素及び特性増進性化合物を有する、１種又はそれ以上の先駆体化合物の混合物を形成させることにより製造する。前記特性増進性化合物は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる元素を有する化合物である。この混合物は賦形されて多孔質の生の造形物を形成し、その造形物は、フッ素含有ガスを有する雰囲気下で、本質的に化学的に結合した、針状ムライト粒状物から実質的になるムライト組成物を形成するのに十分な温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】表面電極の引張強度の向上。
【解決手段】本発明のセラミックス基板７は、セラミックス基板７の表層部を緻密にし、表層部における気孔９の最大幅の平均値を、内層部における気孔１０の最大幅の平均値よりも小さくする。基板表面近傍が緻密になることにより、基板表面に形成された電極１３の引張強度測定の際、電極周りに破壊起点が生じることを抑制し、電極１３と誘電体層８の最上層の界面近傍に亀裂が進展することを防止する。これにより、電極１３の引張強度測定でセラミックス基板７の破壊が生じたとしても、セラミックス基板７の内層部がえぐれるモードで破壊し、セラミックス基板７の表面に形成された電極１３の引張強度が向上する。 （もっと読む）