酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の酸化物半導体薄膜をスパッタリング法で成膜するときに用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴに用いられるアモルファス（非晶質）酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できるため、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板などへの適用が期待されている。これらの用途に好適な酸化物半導体の組成として、例えばＩｎ含有の非晶質酸化物半導体［Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）など］が提案されている。
【０００３】
上記酸化物半導体（膜）の形成に当たっては、当該膜と同じ材料のスパッタリングターゲットをスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。スパッタリング法では、製品である薄膜の特性の安定化、製造の効率化のために、スパッタリング中の異常放電の防止、ターゲットの割れ防止などが重要であり、様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば特許文献１には、ＩＴＯターゲットについて、結晶粒の平均粒径を微細化することによって異常放電を抑制する技術が提案されている。
【０００５】
また特許文献２には、ＩＴＯターゲットについて、焼結密度を高めると共に、結晶粒径を微細化することによって、スパッタリング中のターゲット板の割れを防止する技術が提案されている。
【０００６】
更に特許文献３には、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の複合酸化物を焼結後に還元雰囲気中でアニーリング処理することによって、ターゲット材料の導電率を向上させ、スパッタリング中の異常放電やターゲットの割れを抑制する技術が提案されている。
【０００７】
近年の表示装置の高性能化に伴って、酸化物半導体薄膜の特性の向上や特性の安定化が要求されていると共に、表示装置の生産を一層効率化することが求められている。そのため、表示装置用酸化物半導体膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体は、高いキャリア移動度を有することが望まれているが、生産性や製造コストなどを考慮すると、スパッタリング工程での異常放電（アーキング）、ターゲットの割れをより一層抑制することも重要であり、そのためにはターゲット材料およびその素材となる酸化物焼結体の改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２４３０３６号公報
【特許文献２】特開平５−３１１４２８号公報
【特許文献３】特許第３７４６０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であるところに要旨を有するものである。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
０．２７≦［Ｉｎ］／［Ｚｎ］≦０．４５
（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）≦０．０５
【００１２】
また本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる前記ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、前記Ｉｎ2Ｏ3、及び前記ＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比は、それぞれ下式を満足するものである。
０．１≦ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）＜０．７５
０．０５≦Ｉｎ2Ｏ3／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
０．０５≦ＺｎＯ／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
（但し、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+mはＺｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10の合計である。）
【００１３】
また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットである。
【００１４】
また上記課題を解決し得た本発明に係る前記酸化物焼結体の好ましい製造方法は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度８５０〜１０５０℃、該温度域での保持時間１〜１０時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度１０００〜１０５０℃（但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度）、該温度域での保持時間０．５〜１０時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2で行うことに要旨を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを製造するための基本的な工程を示す図である。
【図２】図２は、本発明の製造方法に用いられる焼結工程（第一の焼結工程と第二の焼結工程）の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明者らは、酸化亜鉛と酸化インジウムとを含む酸化物焼結体について、スパッタリング中の異常放電と割れの発生を抑制することで長時間の安定した成膜が可能であり、しかもキャリア移動度が高い酸化物半導体膜を成膜するのに適したスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。
【００１８】
その結果、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（以下、Ｍ金属という）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含み、相対密度９５％以上、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下である構成としたときに所期の目的が達成されることを見出した。
【００１９】
詳細には、上記酸化物焼結体をＸ線回折したときの相構成について、（ア）ＺｎとＩｎは、これらが結合したＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、およびＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯとして存在し、このような相構成としたときにスパッタリング時の異常放電を大幅に抑制できること、（イ）Ｍ金属はキャリア移動度の向上に有用な効果を発揮すること（ウ）相対密度と比抵抗を制御することによってスパッタリング中の割れや異常放電の発生の抑制効果を一層向上できること、を突き止めた。（エ）そして、このような相構成を有する酸化物焼結体を得るためには、所定の焼結条件で焼結を行えばよいこと、を見出し、本発明に至った。
【００２０】
まず、本発明に係る酸化物焼結体の構成について、詳しく説明する。上述したように本発明の酸化物焼結体は、上記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含む酸化物焼結体としたところに特徴がある。
【００２１】
本発明におけるＸ線回折条件は、以下のとおりである。
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
【００２２】
この測定で得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Data)カードの２０−１４４０、２０−１４４１、０６−０４１６、３６−１４５１に記載されている結晶構造を有する結晶相（それぞれ、Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯに対応）を特定する。またＺｎ6Ｉｎ2Ｏ9は、下記参考文献（１）、（２）に記載されている結晶構造を有する結晶相を特定する。
参考文献（１）M.Nakamura, N.Kimizuka and T.Mohri: J. Solid State Chem. 86(1990) 16-40
参考文献（２）M.Nakamura, N.Kimizuka, T.Mohri and M.Isobe: J. Solid State Chem. 105(1993) 535-549
【００２３】
次に上記Ｘ線回折によって検出される本発明を特定する化合物について詳しく説明する。
【００２４】
（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物について）
ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物（相）は、本発明の酸化物焼結体を構成する酸化亜鉛と酸化インジウムが結合して形成されるものである。この化合物の結晶構造は六方晶であり、酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与すると共に、後記するＩｎ2Ｏ3、及びＺｎＯと共に含有させることによって、異常放電を大幅に抑制する効果を発現する。
【００２５】
ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物におけるｍは５(Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8)、６(Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9)、７(Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10)の少なくともいずれか一つである。なお、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物にはＺｎとＩｎ、およびＭ金属が固溶している複合酸化物の結晶であるため、ｍは必ず整数となる。ｍが４以下、あるいは８以上の整数であると酸化物半導体膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するため望ましくない。
【００２６】
また本発明の酸化物焼結体は、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相（化合物）を必須的に含んでいる。酸化物焼結体にＩｎ2Ｏ3、及びＺｎＯを含有させることによって異常放電を抑制できる。そのメカニズムの詳細は不明であるが、酸化物焼結体における上記各相がより均一に分散し、また局部的な導電率、または熱伝導率が向上し、異常放電や割れが抑制されると推察される。
【００２７】
本発明の上記各結晶相には、後記するＭ金属が固溶している場合も含まれ、更にＩｎ2Ｏ3、およびＺｎＯには、Ｍ金属に加えてＺｎやＩｎが固溶している場合も含まれる。
【００２８】
本発明に用いられるＭ金属は、スパッタリングによって形成した膜のキャリア移動度の向上に有用な元素である。Ｍ金属は、Ｔｉ、Ｍｇ、ＡｌおよびＮｂよりなる群から選択され、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。このうち半導体特性の観点から好ましいＭ金属は、Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌである。
【００２９】
Ｍ金属は酸化亜鉛と酸化インジウムのみからなる酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与する元素として選択された元素である。Ｍ金属を含有しない場合に比べ、本発明で規定するＭ金属を、好ましくは後記する所定の比率で含有する酸化物焼結体を用いることにより、キャリア移動度が向上する。
【００３０】
なお、キャリア移動度向上効果を発現させる上でＭ金属は、少なくともその一部（好ましくはその大部分）が上記結晶相に固溶していることが望ましいが、本発明のキャリア移動度向上効果を阻害しない限り、Ｍ金属の一部は酸化物として存在していてもよい（例えば５体積％以下）。
【００３１】
次に、本発明の酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）について説明する。酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比を下記特定の範囲内とすることが上記所望の効果を得る観点からは望ましい。ここで［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］は、Ｍ金属の一種であり、各焼結体において、例えばＴｉを含まないときは［Ｔｉ］＝０として算出される。
【００３２】
［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比（［Ｉｎ］／［Ｚｎ］；以下、比率（１）という。）は、好ましくは０．２７以上、より好ましくは０．２８以上であって、好ましくは０．４５以下、より好ましくは０．４０以下である。比率（１）が小さくなると、[ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］がｍ≦４の複合酸化物（Ｚｎ4Ｉｎ2Ｏ7など）が生成するようになり、抵抗率が高くなってキャリア移動度が低下する。一方、比率（１）が大きくなると、[ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］がｍ≧８の複合酸化物（Ｚｎ8Ｉｎ2Ｏ11など）が生成するようになり、キャリア移動度が低下する。
【００３３】
また［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比(（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）；以下、比率（２）という)は、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。比率（２）が大きくなると、Ｍ金属がＩｎやＺｎと複合酸化物を生成して薄膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するからである。なお、比率（２）の下限については特に限定されないが、薄膜半導体特性の安定化の観点からは好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．００５以上である。
【００３４】
次に酸化物焼結体に含まれるＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（但し［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］は［Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8］、［Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9］、［Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10］の合計、以下同じ）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比について説明する。以下では、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］＋［Ｉｎ2Ｏ3］＋［ＺｎＯ］の合計に対するＺｎmＩｎ2Ｏ3+mの比、Ｉｎ2Ｏ3比、ＺｎＯ比を夫々、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比、［Ｉｎ2Ｏ3］比、［ＺｎＯ］比と呼ぶ。これらの比率を適切に制御することで異常放電を抑制できると共に、スパッタリング時の割れもより一層抑制できる。
【００３５】
まず、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比は０．１以上とすることが好ましい。［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比が０．１未満となると、異常放電や割れが多くなる。より好ましい下限は０．２以上、更に好ましくは０．３以上である。また［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比が多くなりすぎても割れが発生し易くなるため、０．７５未満、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下である。
【００３６】
［Ｉｎ2Ｏ3］比は、０．０５〜０．７であることが好ましい。［Ｉｎ2Ｏ3］比が０．０５未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、［Ｉｎ2Ｏ3］比が０．７を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。［Ｉｎ2Ｏ3］比はより好ましくは０．１以上、更に好ましくは０．２以上であって、より好ましくは０．６以下、更に好ましくは０．５以下である。
【００３７】
また、［ＺｎＯ］比は、０．０５〜０．７であることが好ましい。［ＺｎＯ］比が０．０５未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、［ＺｎＯ］比が０．７を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。［ＺｎＯ］比はより好ましくは０．１以上、更に好ましくは０．２以上であって、より好ましくは０．６以下、更に好ましくは０．５以下である。
【００３８】
本発明の酸化物焼結体の結晶相は、実質的にＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯで構成されていることが望ましく、他の含み得る結晶相としては製造上不可避的に生成されるＺｎ2ＴｉＯ4、ＩｎＮｂＯ4などを５体積％程度の割合で含んでいてもよい趣旨である。なお、不可避的に生成する結晶相の割合は、ＸＲＤによって測定することができる。
【００３９】
本発明の酸化物焼結体、更には当該酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であるところに特徴がある。
【００４０】
（相対密度９５％以上）
本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、９５％以上であり、好ましくは９７％以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電をターゲットライフまで連続して維持するなどの利点をもたらす。
【００４１】
（比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下）
本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、０．１Ω・ｃｍ以下であり、好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以下である。これにより、異常放電を抑制でき、一層スパッタリング中での異常放電を抑制した成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着（スパッタリング法）を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。
【００４２】
次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。
【００４３】
本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｍ金属の酸化物の各粉末を混合および焼結して得られるものであり、またスパッタリングターゲットは酸化物焼結体を加工することにより製造できる。図１には、酸化物の粉末を（ａ）混合・粉砕→（ｂ）乾燥・造粒→（ｃ）予備成形→（ｄ）脱脂→（ｅ）ホットプレスして得られた酸化物焼結体を、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディングしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件（（ｅ）ホットプレス）を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。
【００４４】
まず、酸化亜鉛粉末、酸化インジウム粉末、およびＭ金属の酸化物の粉末を所定の割合に配合し、混合・粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約９９．９９％以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。
【００４５】
（ａ）混合・粉砕は、ポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。この際、均一に混合する目的で分散剤や、後の成形工程の容易性を確保するためにバインダーを混合してもよい。
【００４６】
次に、上記工程で得られた混合粉末について例えばスプレードライヤなどで（ｂ）乾燥・造粒を行うことが好ましい。
【００４７】
乾燥・造粒後、（ｃ）予備成形をする。成形に当たっては、乾燥・造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形する。この予備成形は、ホットプレス工程で所定の型にセットする際のハンドリング性を向上させる目的で行われるため、０．５〜１．０ｔｏｎｆ／ｃｍ2程度の加圧力を加えて成形体とすればよい。
【００４８】
なお、混合粉末に分散剤やバインダーを添加した場合には、分散剤やバインダーを除去するために予備成形後の成形体を加熱して（ｄ）脱脂を行うことが望ましい。加熱条件は脱脂目的が達成できれば特に限定されないが、例えば大気中、おおむね５００℃程度で、５時間程度保持すればよい。
【００４９】
脱脂後、所望の形状の黒鉛型に成形体をセットして（ｅ）ホットプレスにて焼結を行う。黒鉛型は還元性材料であり、セットした成形体を還元性雰囲気中で焼結できるため、効率よく還元が進行して比抵抗を低くすることができる。
【００５０】
本発明では焼結を２段階の加熱工程にわけて行うことによって（図２）、所望の結晶相構成とし、相対密度を高めることができる。詳細な機構は明らかではないが、第一の焼結工程で焼結体の緻密化と還元が進行し、第二の焼結工程で更に緻密化と還元が進行すると共に原料酸化物の固溶反応が進んで所望の複合酸化物（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍ＝５、６、７））が生成すると考えられる。また焼結を２段階の工程に分けて行うことで、焼結体の緻密化と複合酸化物生成を夫々最適な条件で実施できるため、所望の結晶相を有する酸化物焼結体が高い相対密度で得られると推定されると共に、分散性が飛躍的に向上する。
【００５１】
第一の焼結工程の条件は、焼結温度：８５０〜１０５０℃、該温度での保持時間：１〜１０時間で焼結を行う。焼結温度が８５０℃未満、あるいは１０５０℃超となると、９５％以上の相対密度を達成できない。好ましい焼結温度は９００℃以上、１０００℃以下である。また焼結時間が短すぎると十分に緻密化できず、９５％以上の相対密度を達成できない。したがって焼結時間は１時間以上、好ましくは２時間以上、より好ましくは４時間以上である。なお、焼結時間を長くすれば、相対密度も高くできるが、生産性が悪化することから、１０時間以下、好ましくは８時間以下、より好ましくは６時間以下である。
【００５２】
第二の焼結工程の条件は、第一の焼結工程と同じ焼結温度の範囲（１０００〜１０５０℃）であるが、第一の工程の焼結温度よりも高い温度とし、該温度での保持時間：０．５〜１０時間で焼結を行う。焼結温度が第一の工程の焼結温度よりも低いと上記所望の複合酸化物を十分に生成できず、酸化物半導体膜の特性が劣る。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ１０００℃以上、好ましくは１０１０℃以上とする。一方、焼結温度が高すぎると複合酸化物への固溶反応が過大に進行して所望の酸化亜鉛、酸化インジウム量が確保できなくなる。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ１０５０℃以下、好ましくは１０４０℃以下とする。また焼結時間が短すぎると、十分な量の複合酸化物を確保できなくなる。したがって焼結時間は０．５時間以上、好ましくは１時間以上、より好ましくは２時間以上とする。一方、焼結時間が長すぎると上記固溶反応の過大進行により酸化亜鉛量等が確保できなくなる。したがって焼結時間は１０時間以下、好ましくは８時間以下、より好ましくは６時間以下とする。
【００５３】
上記２段階の焼結工程においてホットプレス時の加圧条件は、第一の焼結工程、第二の焼結工程共に、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力を加える。圧力が低すぎると緻密化が十分に進まないことがある。一方、圧力が高すぎると黒鉛型が破損する恐れがあり、また緻密化促進効果が飽和すると共にプレス設備の大型化が必要となる。好ましい加圧条件は２００ｋｇｆ／ｃｍ2以上、４００ｋｇｆ／ｃｍ2以下である。なお、加圧条件は第一の焼結工程と第二の焼結工程で同一あるいは異なる圧力としてもよいが、生産性の観点から同一圧力で行うことが望ましい。
【００５４】
昇温速度は特に限定されず、例えば第一の焼結工程の温度域までの昇温速度は１０〜２０℃／分程度であり、第一の焼結工程後、第二の焼結工程の温度域までの昇温速度は２〜１０℃／分程度でよい。
【００５５】
焼結工程では、Ｈ2、メタン、ＣＯ等の還元性ガス、Ａｒ、Ｎ2などの不活性ガス雰囲気で行うことが望ましい。特に黒鉛型を使用する本発明では、黒鉛の酸化、消失を抑制するために、焼結雰囲気を不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。雰囲気制御方法は特に限定されず、例えば炉内にＡｒガスやＮ2ガスを導入することによって雰囲気を調整すればよい。また雰囲気ガスの圧力は、蒸気圧の高い酸化亜鉛の蒸発を抑制するために大気圧とすることが望ましい。
【００５６】
上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね９５％以上であり、好ましい比抵抗はおおむね０．１Ω・ｃｍ以下である。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５８】
酸化亜鉛粉末（純度９９．９９％）、酸化インジウム粉末（純度９９．９９％）、および酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ニオブの各粉末（各純度９９．９９％）を表２に示す比率で配合し、水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム）を加えてナイロンボールミルで２０時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末について乾燥、造粒を行った。
【００５９】
このようにして得られた粉末を金型プレスにて予備成形した後（成形圧力：１．０ｔｏｎｆ／ｃｍ2、成形体サイズ：φ１１０×ｔ１３ｍｍ、ｔは厚み）、大気雰囲気下で５００℃に昇温（昇温速度１℃／ｍｉｎ）し、該温度で５時間保持して脱脂した。得られた成形体を黒鉛型にセットし、表３に示す条件（Ａ〜Ｅ）でホットプレスを行った。プレス圧力は第一の焼結工程、第二の焼結工程共に一定とした。また、ホットプレス炉内にはＮ2ガスを導入し、Ｎ2雰囲気下で焼結した。得られた焼結体を機械加工してφ１００×ｔ５ｍｍに仕上げ、Ｃｕ製バッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを製作した。
【００６０】
このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリングを行なった。スパッタリング条件は、ＤＣスパッタリングパワー１５０Ｗ、Ａｒ／０．１体積％Ｏ2雰囲気、圧力０．８ｍＴｏｒｒとした。さらにこの条件で成膜した薄膜を使用して、チャネル長１０μｍ、チャネル幅１００μｍの薄膜トランジスタを作成した。
【００６１】
（相対密度の測定）
相対密度は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して鏡面研磨し、反射電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して気孔率を測定して求めた。具体的にはＳＥＭ観察（１０００倍）して写真撮影し、５０μｍ角の領域における気孔占有面積率を測定して気孔率とした。異なる任意の２０視野を観察し、その平均値を当該試料の平均気孔率とした。１００％から気孔率を引いた値を焼結体の相対密度（％）とした。相対密度は９５％以上を合格と評価した。
【００６２】
（比抵抗の測定）
焼結体の比抵抗は、上記製作したスパッタリングターゲットについて四端子法により測定した。比抵抗は０．１Ω・ｃｍ以下を合格と評価した。
【００６３】
（結晶相の比率）
各結晶相の比率は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して１０ｍｍ角の試験片を切出し、Ｘ線回折で回折線の強度を測定して求めた。
【００６４】
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
【００６５】
この測定で得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Data)カードに基づいて表１に示す各結晶相のピークを同定し、回折ピークの高さを測定した。なおＺｎ6Ｉｎ2Ｏ9については、ＩＣＤＤカードに記載がないため、上記参考文献（１）、（２）に示される結晶構造に基づき、結晶構造因子計算により理論回折強度を求め、測定するピークを決定した。これらのピークは、当該結晶相で回折強度が十分に高く、他の結晶相のピークとの重複がなるべく少ないピークを選択した。各結晶相の指定ピークでのピーク高さの測定値をそれぞれＩ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）、Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）、Ｉ（ＺｎＯ）とし（「Ｉ」は測定値であることを表す意味）、下式によって［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］（表４中、「Ｐ１」）、［Ｉｎ2Ｏ3］（表４中、「Ｐ２」）、［ＺｎＯ］（表４中、「Ｐ３」）の体積比率を求めた。
［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］＝Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
［Ｉｎ2Ｏ3］＝Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
［ＺｎＯ］＝Ｉ（ＺｎＯ）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
【００６６】
結晶相の比率は［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］は０．１〜０．７５未満、［Ｉｎ2Ｏ3］は０．０５〜０．７、［ＺｎＯ］は０．０５〜０．７を合格と評価した。
【００６７】
（異常放電・割れ）
異常放電は、スパッタリング中の異常放電の回数を測定して評価した。具体的には、１分間のスパッタリングを３００回繰り返し、スパッタリング後に取り出したターゲットを目視で観察し、異常放電の痕跡、および割れの個数を数えることで求めた。異常放電は、異常放電回数が６回以下を合格と評価した。また割れはターゲットに割れが発生していない場合を合格とした。
【００６８】
（キャリア移動度）
キャリア移動度は、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用いて作成したチャネル長１０μｍ、チャネル幅１００μｍの薄膜トランジスタの移動度を測定した。キャリア移動度は１５ｃｍ2／Ｖｓ以上を合格と評価した。
【００６９】
結果を表４に示す。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【表２】
【００７２】
【表３】
【００７３】
【表４】
【００７４】
本発明の好ましい組成、製造条件を満足するＮｏ．１〜５、９〜１１は異常放電と割れが抑制されていると共に、高いキャリア移動度を示した。すなわち、スパッタリングを行なったところ、異常放電の発生は６回以下であり、割れも発生せず、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も良好な結果が得られた。上記薄膜のキャリア移動度も１５ｃｍ2／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた。
【００７５】
一方、本発明の好ましい組成を満足しないＮｏ．６〜８、及び好ましい製造条件を満足しないＮｏ．１２、１３については、異常放電が多く発生したり、割れが発生し、またキャリア移動度が低いなど所望の効果を得ることができなかった。
【００７６】
具体的には、Ｎｏ．６〜８の組成は、いずれもＩｎとＺｎの比率（［Ｉｎ］／［Ｚｎ］）が、本願規定を外れていた。酸化物焼結体には、Ｚｎ4Ｉｎ2Ｏ7（ｍ＝４）、Ｚｎ8Ｉｎ2Ｏ11（ｍ＝８）が検出された。Ｎｏ．６〜８はキャリア移動度が低かった。なお、Ｎｏ．６のＺｎ4Ｉｎ2Ｏ7の体積比は０．２５であった。Ｎｏ．７のＺｎ4Ｉｎ2Ｏ7の体積比は０．３４であった。Ｎｏ．８のＺｎ8Ｉｎ2Ｏ11の体積比は０．４５であった。
【００７７】
Ｎｏ．１２は第二の焼結工程における保持温度Ｔ２が本発明の規定を外れる例であり、焼結体の相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。Ｎｏ．1３は、第一の焼結工程における温度Ｔ１が本発明の規定を外れており、相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。またこのターゲットには割れも発生していた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の酸化物半導体薄膜をスパッタリング法で成膜するときに用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴに用いられるアモルファス（非晶質）酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できるため、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板などへの適用が期待されている。これらの用途に好適な酸化物半導体の組成として、例えばＩｎ含有の非晶質酸化物半導体［Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）など］が提案されている。
【０００３】
上記酸化物半導体（膜）の形成に当たっては、当該膜と同じ材料のスパッタリングターゲットをスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。スパッタリング法では、製品である薄膜の特性の安定化、製造の効率化のために、スパッタリング中の異常放電の防止、ターゲットの割れ防止などが重要であり、様々な技術が提案されている。
【０００４】
例えば特許文献１には、ＩＴＯターゲットについて、結晶粒の平均粒径を微細化することによって異常放電を抑制する技術が提案されている。
【０００５】
また特許文献２には、ＩＴＯターゲットについて、焼結密度を高めると共に、結晶粒径を微細化することによって、スパッタリング中のターゲット板の割れを防止する技術が提案されている。
【０００６】
更に特許文献３には、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の複合酸化物を焼結後に還元雰囲気中でアニーリング処理することによって、ターゲット材料の導電率を向上させ、スパッタリング中の異常放電やターゲットの割れを抑制する技術が提案されている。
【０００７】
近年の表示装置の高性能化に伴って、酸化物半導体薄膜の特性の向上や特性の安定化が要求されていると共に、表示装置の生産を一層効率化することが求められている。そのため、表示装置用酸化物半導体膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体は、高いキャリア移動度を有することが望まれているが、生産性や製造コストなどを考慮すると、スパッタリング工程での異常放電（アーキング）、ターゲットの割れをより一層抑制することも重要であり、そのためにはターゲット材料およびその素材となる酸化物焼結体の改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２４３０３６号公報
【特許文献２】特開平５−３１１４２８号公報
【特許文献３】特許第３７４６０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であるところに要旨を有するものである。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
０．２７≦［Ｉｎ］／［Ｚｎ］≦０．４５
（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）≦０．０５
【００１２】
また本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる前記ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、前記Ｉｎ2Ｏ3、及び前記ＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比は、それぞれ下式を満足するものである。
０．１≦ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）＜０．７５
０．０５≦Ｉｎ2Ｏ3／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
０．０５≦ＺｎＯ／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
（但し、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+mはＺｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10の合計である。）
【００１３】
また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットである。
【００１４】
また上記課題を解決し得た本発明に係る前記酸化物焼結体の好ましい製造方法は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度８５０〜１０５０℃、該温度域での保持時間１〜１０時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度１０００〜１０５０℃（但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度）、該温度域での保持時間０．５〜１０時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2で行うことに要旨を有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の異常放電やターゲットの割れを抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを製造するための基本的な工程を示す図である。
【図２】図２は、本発明の製造方法に用いられる焼結工程（第一の焼結工程と第二の焼結工程）の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明者らは、酸化亜鉛と酸化インジウムとを含む酸化物焼結体について、スパッタリング中の異常放電と割れの発生を抑制することで長時間の安定した成膜が可能であり、しかもキャリア移動度が高い酸化物半導体膜を成膜するのに適したスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。
【００１８】
その結果、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（以下、Ｍ金属という）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含み、相対密度９５％以上、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下である構成としたときに所期の目的が達成されることを見出した。
【００１９】
詳細には、上記酸化物焼結体をＸ線回折したときの相構成について、（ア）ＺｎとＩｎは、これらが結合したＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、およびＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯとして存在し、このような相構成としたときにスパッタリング時の異常放電を大幅に抑制できること、（イ）Ｍ金属はキャリア移動度の向上に有用な効果を発揮すること（ウ）相対密度と比抵抗を制御することによってスパッタリング中の割れや異常放電の発生の抑制効果を一層向上できること、を突き止めた。（エ）そして、このような相構成を有する酸化物焼結体を得るためには、所定の焼結条件で焼結を行えばよいこと、を見出し、本発明に至った。
【００２０】
まず、本発明に係る酸化物焼結体の構成について、詳しく説明する。上述したように本発明の酸化物焼結体は、上記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含む酸化物焼結体としたところに特徴がある。
【００２１】
本発明におけるＸ線回折条件は、以下のとおりである。
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
【００２２】
この測定で得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Data)カードの２０−１４４０、２０−１４４１、０６−０４１６、３６−１４５１に記載されている結晶構造を有する結晶相（それぞれ、Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯに対応）を特定する。またＺｎ6Ｉｎ2Ｏ9は、下記参考文献（１）、（２）に記載されている結晶構造を有する結晶相を特定する。
参考文献（１）M.Nakamura, N.Kimizuka and T.Mohri: J. Solid State Chem. 86(1990) 16-40
参考文献（２）M.Nakamura, N.Kimizuka, T.Mohri and M.Isobe: J. Solid State Chem. 105(1993) 535-549
【００２３】
次に上記Ｘ線回折によって検出される本発明を特定する化合物について詳しく説明する。
【００２４】
（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物について）
ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物（相）は、本発明の酸化物焼結体を構成する酸化亜鉛と酸化インジウムが結合して形成されるものである。この化合物の結晶構造は六方晶であり、酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与すると共に、後記するＩｎ2Ｏ3、及びＺｎＯと共に含有させることによって、異常放電を大幅に抑制する効果を発現する。
【００２５】
ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物におけるｍは５(Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8)、６(Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9)、７(Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10)の少なくともいずれか一つである。なお、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m化合物にはＺｎとＩｎ、およびＭ金属が固溶している複合酸化物の結晶であるため、ｍは必ず整数となる。ｍが４以下、あるいは８以上の整数であると酸化物半導体膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するため望ましくない。
【００２６】
また本発明の酸化物焼結体は、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相（化合物）を必須的に含んでいる。酸化物焼結体にＩｎ2Ｏ3、及びＺｎＯを含有させることによって異常放電を抑制できる。そのメカニズムの詳細は不明であるが、酸化物焼結体における上記各相がより均一に分散し、また局部的な導電率、または熱伝導率が向上し、異常放電や割れが抑制されると推察される。
【００２７】
本発明の上記各結晶相には、後記するＭ金属が固溶している場合も含まれ、更にＩｎ2Ｏ3、およびＺｎＯには、Ｍ金属に加えてＺｎやＩｎが固溶している場合も含まれる。
【００２８】
本発明に用いられるＭ金属は、スパッタリングによって形成した膜のキャリア移動度の向上に有用な元素である。Ｍ金属は、Ｔｉ、Ｍｇ、ＡｌおよびＮｂよりなる群から選択され、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。このうち半導体特性の観点から好ましいＭ金属は、Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌである。
【００２９】
Ｍ金属は酸化亜鉛と酸化インジウムのみからなる酸化物焼結体のキャリア移動度向上に大きく寄与する元素として選択された元素である。Ｍ金属を含有しない場合に比べ、本発明で規定するＭ金属を、好ましくは後記する所定の比率で含有する酸化物焼結体を用いることにより、キャリア移動度が向上する。
【００３０】
なお、キャリア移動度向上効果を発現させる上でＭ金属は、少なくともその一部（好ましくはその大部分）が上記結晶相に固溶していることが望ましいが、本発明のキャリア移動度向上効果を阻害しない限り、Ｍ金属の一部は酸化物として存在していてもよい（例えば５体積％以下）。
【００３１】
次に、本発明の酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）について説明する。酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比を下記特定の範囲内とすることが上記所望の効果を得る観点からは望ましい。ここで［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、［Ｎｂ］は、Ｍ金属の一種であり、各焼結体において、例えばＴｉを含まないときは［Ｔｉ］＝０として算出される。
【００３２】
［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比（［Ｉｎ］／［Ｚｎ］；以下、比率（１）という。）は、好ましくは０．２７以上、より好ましくは０．２８以上であって、好ましくは０．４５以下、より好ましくは０．４０以下である。比率（１）が小さくなると、[ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］がｍ≦４の複合酸化物（Ｚｎ4Ｉｎ2Ｏ7など）が生成するようになり、抵抗率が高くなってキャリア移動度が低下する。一方、比率（１）が大きくなると、[ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］がｍ≧８の複合酸化物（Ｚｎ8Ｉｎ2Ｏ11など）が生成するようになり、キャリア移動度が低下する。
【００３３】
また［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比(（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）；以下、比率（２）という)は、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。比率（２）が大きくなると、Ｍ金属がＩｎやＺｎと複合酸化物を生成して薄膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下するからである。なお、比率（２）の下限については特に限定されないが、薄膜半導体特性の安定化の観点からは好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．００５以上である。
【００３４】
次に酸化物焼結体に含まれるＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（但し［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］は［Ｚｎ5Ｉｎ2Ｏ8］、［Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9］、［Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10］の合計、以下同じ）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比について説明する。以下では、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］＋［Ｉｎ2Ｏ3］＋［ＺｎＯ］の合計に対するＺｎmＩｎ2Ｏ3+mの比、Ｉｎ2Ｏ3比、ＺｎＯ比を夫々、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比、［Ｉｎ2Ｏ3］比、［ＺｎＯ］比と呼ぶ。これらの比率を適切に制御することで異常放電を抑制できると共に、スパッタリング時の割れもより一層抑制できる。
【００３５】
まず、［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比は０．１以上とすることが好ましい。［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比が０．１未満となると、異常放電や割れが多くなる。より好ましい下限は０．２以上、更に好ましくは０．３以上である。また［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］比が多くなりすぎても割れが発生し易くなるため、０．７５未満、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下である。
【００３６】
［Ｉｎ2Ｏ3］比は、０．０５〜０．７であることが好ましい。［Ｉｎ2Ｏ3］比が０．０５未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、［Ｉｎ2Ｏ3］比が０．７を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。［Ｉｎ2Ｏ3］比はより好ましくは０．１以上、更に好ましくは０．２以上であって、より好ましくは０．６以下、更に好ましくは０．５以下である。
【００３７】
また、［ＺｎＯ］比は、０．０５〜０．７であることが好ましい。［ＺｎＯ］比が０．０５未満の場合、異常放電抑制効果が十分に得られないことがある。一方、［ＺｎＯ］比が０．７を超えると、異常放電発生回数が多くなるため望ましくない。［ＺｎＯ］比はより好ましくは０．１以上、更に好ましくは０．２以上であって、より好ましくは０．６以下、更に好ましくは０．５以下である。
【００３８】
本発明の酸化物焼結体の結晶相は、実質的にＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯで構成されていることが望ましく、他の含み得る結晶相としては製造上不可避的に生成されるＺｎ2ＴｉＯ4、ＩｎＮｂＯ4などを５体積％程度の割合で含んでいてもよい趣旨である。なお、不可避的に生成する結晶相の割合は、ＸＲＤによって測定することができる。
【００３９】
本発明の酸化物焼結体、更には当該酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であるところに特徴がある。
【００４０】
（相対密度９５％以上）
本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、９５％以上であり、好ましくは９７％以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電をターゲットライフまで連続して維持するなどの利点をもたらす。
【００４１】
（比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下）
本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、０．１Ω・ｃｍ以下であり、好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以下である。これにより、異常放電を抑制でき、一層スパッタリング中での異常放電を抑制した成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着（スパッタリング法）を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。
【００４２】
次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。
【００４３】
本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｍ金属の酸化物の各粉末を混合および焼結して得られるものであり、またスパッタリングターゲットは酸化物焼結体を加工することにより製造できる。図１には、酸化物の粉末を（ａ）混合・粉砕→（ｂ）乾燥・造粒→（ｃ）予備成形→（ｄ）脱脂→（ｅ）ホットプレスして得られた酸化物焼結体を、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディングしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件（（ｅ）ホットプレス）を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。
【００４４】
まず、酸化亜鉛粉末、酸化インジウム粉末、およびＭ金属の酸化物の粉末を所定の割合に配合し、混合・粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約９９．９９％以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。
【００４５】
（ａ）混合・粉砕は、ポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。この際、均一に混合する目的で分散剤や、後の成形工程の容易性を確保するためにバインダーを混合してもよい。
【００４６】
次に、上記工程で得られた混合粉末について例えばスプレードライヤなどで（ｂ）乾燥・造粒を行うことが好ましい。
【００４７】
乾燥・造粒後、（ｃ）予備成形をする。成形に当たっては、乾燥・造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形する。この予備成形は、ホットプレス工程で所定の型にセットする際のハンドリング性を向上させる目的で行われるため、０．５〜１．０ｔｏｎｆ／ｃｍ2程度の加圧力を加えて成形体とすればよい。
【００４８】
なお、混合粉末に分散剤やバインダーを添加した場合には、分散剤やバインダーを除去するために予備成形後の成形体を加熱して（ｄ）脱脂を行うことが望ましい。加熱条件は脱脂目的が達成できれば特に限定されないが、例えば大気中、おおむね５００℃程度で、５時間程度保持すればよい。
【００４９】
脱脂後、所望の形状の黒鉛型に成形体をセットして（ｅ）ホットプレスにて焼結を行う。黒鉛型は還元性材料であり、セットした成形体を還元性雰囲気中で焼結できるため、効率よく還元が進行して比抵抗を低くすることができる。
【００５０】
本発明では焼結を２段階の加熱工程にわけて行うことによって（図２）、所望の結晶相構成とし、相対密度を高めることができる。詳細な機構は明らかではないが、第一の焼結工程で焼結体の緻密化と還元が進行し、第二の焼結工程で更に緻密化と還元が進行すると共に原料酸化物の固溶反応が進んで所望の複合酸化物（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍ＝５、６、７））が生成すると考えられる。また焼結を２段階の工程に分けて行うことで、焼結体の緻密化と複合酸化物生成を夫々最適な条件で実施できるため、所望の結晶相を有する酸化物焼結体が高い相対密度で得られると推定されると共に、分散性が飛躍的に向上する。
【００５１】
第一の焼結工程の条件は、焼結温度：８５０〜１０５０℃、該温度での保持時間：１〜１０時間で焼結を行う。焼結温度が８５０℃未満、あるいは１０５０℃超となると、９５％以上の相対密度を達成できない。好ましい焼結温度は９００℃以上、１０００℃以下である。また焼結時間が短すぎると十分に緻密化できず、９５％以上の相対密度を達成できない。したがって焼結時間は１時間以上、好ましくは２時間以上、より好ましくは４時間以上である。なお、焼結時間を長くすれば、相対密度も高くできるが、生産性が悪化することから、１０時間以下、好ましくは８時間以下、より好ましくは６時間以下である。
【００５２】
第二の焼結工程の条件は、第一の焼結工程と同じ焼結温度の範囲（１０００〜１０５０℃）であるが、第一の工程の焼結温度よりも高い温度とし、該温度での保持時間：０．５〜１０時間で焼結を行う。焼結温度が第一の工程の焼結温度よりも低いと上記所望の複合酸化物を十分に生成できず、酸化物半導体膜の特性が劣る。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ１０００℃以上、好ましくは１０１０℃以上とする。一方、焼結温度が高すぎると複合酸化物への固溶反応が過大に進行して所望の酸化亜鉛、酸化インジウム量が確保できなくなる。したがって焼結温度は第一の工程の焼結温度よりも高い温度で、且つ１０５０℃以下、好ましくは１０４０℃以下とする。また焼結時間が短すぎると、十分な量の複合酸化物を確保できなくなる。したがって焼結時間は０．５時間以上、好ましくは１時間以上、より好ましくは２時間以上とする。一方、焼結時間が長すぎると上記固溶反応の過大進行により酸化亜鉛量等が確保できなくなる。したがって焼結時間は１０時間以下、好ましくは８時間以下、より好ましくは６時間以下とする。
【００５３】
上記２段階の焼結工程においてホットプレス時の加圧条件は、第一の焼結工程、第二の焼結工程共に、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の圧力を加える。圧力が低すぎると緻密化が十分に進まないことがある。一方、圧力が高すぎると黒鉛型が破損する恐れがあり、また緻密化促進効果が飽和すると共にプレス設備の大型化が必要となる。好ましい加圧条件は２００ｋｇｆ／ｃｍ2以上、４００ｋｇｆ／ｃｍ2以下である。なお、加圧条件は第一の焼結工程と第二の焼結工程で同一あるいは異なる圧力としてもよいが、生産性の観点から同一圧力で行うことが望ましい。
【００５４】
昇温速度は特に限定されず、例えば第一の焼結工程の温度域までの昇温速度は１０〜２０℃／分程度であり、第一の焼結工程後、第二の焼結工程の温度域までの昇温速度は２〜１０℃／分程度でよい。
【００５５】
焼結工程では、Ｈ2、メタン、ＣＯ等の還元性ガス、Ａｒ、Ｎ2などの不活性ガス雰囲気で行うことが望ましい。特に黒鉛型を使用する本発明では、黒鉛の酸化、消失を抑制するために、焼結雰囲気を不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。雰囲気制御方法は特に限定されず、例えば炉内にＡｒガスやＮ2ガスを導入することによって雰囲気を調整すればよい。また雰囲気ガスの圧力は、蒸気圧の高い酸化亜鉛の蒸発を抑制するために大気圧とすることが望ましい。
【００５６】
上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね９５％以上であり、好ましい比抵抗はおおむね０．１Ω・ｃｍ以下である。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５８】
酸化亜鉛粉末（純度９９．９９％）、酸化インジウム粉末（純度９９．９９％）、および酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ニオブの各粉末（各純度９９．９９％）を表２に示す比率で配合し、水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム）を加えてナイロンボールミルで２０時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末について乾燥、造粒を行った。
【００５９】
このようにして得られた粉末を金型プレスにて予備成形した後（成形圧力：１．０ｔｏｎｆ／ｃｍ2、成形体サイズ：φ１１０×ｔ１３ｍｍ、ｔは厚み）、大気雰囲気下で５００℃に昇温（昇温速度１℃／ｍｉｎ）し、該温度で５時間保持して脱脂した。得られた成形体を黒鉛型にセットし、表３に示す条件（Ａ〜Ｅ）でホットプレスを行った。プレス圧力は第一の焼結工程、第二の焼結工程共に一定とした。また、ホットプレス炉内にはＮ2ガスを導入し、Ｎ2雰囲気下で焼結した。得られた焼結体を機械加工してφ１００×ｔ５ｍｍに仕上げ、Ｃｕ製バッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを製作した。
【００６０】
このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリングを行なった。スパッタリング条件は、ＤＣスパッタリングパワー１５０Ｗ、Ａｒ／０．１体積％Ｏ2雰囲気、圧力０．８ｍＴｏｒｒとした。さらにこの条件で成膜した薄膜を使用して、チャネル長１０μｍ、チャネル幅１００μｍの薄膜トランジスタを作成した。
【００６１】
（相対密度の測定）
相対密度は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して鏡面研磨し、反射電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して気孔率を測定して求めた。具体的にはＳＥＭ観察（１０００倍）して写真撮影し、５０μｍ角の領域における気孔占有面積率を測定して気孔率とした。異なる任意の２０視野を観察し、その平均値を当該試料の平均気孔率とした。１００％から気孔率を引いた値を焼結体の相対密度（％）とした。相対密度は９５％以上を合格と評価した。
【００６２】
（比抵抗の測定）
焼結体の比抵抗は、上記製作したスパッタリングターゲットについて四端子法により測定した。比抵抗は０．１Ω・ｃｍ以下を合格と評価した。
【００６３】
（結晶相の比率）
各結晶相の比率は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して１０ｍｍ角の試験片を切出し、Ｘ線回折で回折線の強度を測定して求めた。
【００６４】
分析装置：理学電機製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
【００６５】
この測定で得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Data)カードに基づいて表１に示す各結晶相のピークを同定し、回折ピークの高さを測定した。なおＺｎ6Ｉｎ2Ｏ9については、ＩＣＤＤカードに記載がないため、上記参考文献（１）、（２）に示される結晶構造に基づき、結晶構造因子計算により理論回折強度を求め、測定するピークを決定した。これらのピークは、当該結晶相で回折強度が十分に高く、他の結晶相のピークとの重複がなるべく少ないピークを選択した。各結晶相の指定ピークでのピーク高さの測定値をそれぞれＩ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）、Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）、Ｉ（ＺｎＯ）とし（「Ｉ」は測定値であることを表す意味）、下式によって［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］（表４中、「Ｐ１」）、［Ｉｎ2Ｏ3］（表４中、「Ｐ２」）、［ＺｎＯ］（表４中、「Ｐ３」）の体積比率を求めた。
［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］＝Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
［Ｉｎ2Ｏ3］＝Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
［ＺｎＯ］＝Ｉ（ＺｎＯ）／（Ｉ（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m）＋Ｉ（Ｉｎ2Ｏ3）＋Ｉ（ＺｎＯ））
【００６６】
結晶相の比率は［ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m］は０．１〜０．７５未満、［Ｉｎ2Ｏ3］は０．０５〜０．７、［ＺｎＯ］は０．０５〜０．７を合格と評価した。
【００６７】
（異常放電・割れ）
異常放電は、スパッタリング中の異常放電の回数を測定して評価した。具体的には、１分間のスパッタリングを３００回繰り返し、スパッタリング後に取り出したターゲットを目視で観察し、異常放電の痕跡、および割れの個数を数えることで求めた。異常放電は、異常放電回数が６回以下を合格と評価した。また割れはターゲットに割れが発生していない場合を合格とした。
【００６８】
（キャリア移動度）
キャリア移動度は、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用いて作成したチャネル長１０μｍ、チャネル幅１００μｍの薄膜トランジスタの移動度を測定した。キャリア移動度は１５ｃｍ2／Ｖｓ以上を合格と評価した。
【００６９】
結果を表４に示す。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【表２】
【００７２】
【表３】
【００７３】
【表４】
【００７４】
本発明の好ましい組成、製造条件を満足するＮｏ．１〜５、９〜１１は異常放電と割れが抑制されていると共に、高いキャリア移動度を示した。すなわち、スパッタリングを行なったところ、異常放電の発生は６回以下であり、割れも発生せず、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も良好な結果が得られた。上記薄膜のキャリア移動度も１５ｃｍ2／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた。
【００７５】
一方、本発明の好ましい組成を満足しないＮｏ．６〜８、及び好ましい製造条件を満足しないＮｏ．１２、１３については、異常放電が多く発生したり、割れが発生し、またキャリア移動度が低いなど所望の効果を得ることができなかった。
【００７６】
具体的には、Ｎｏ．６〜８の組成は、いずれもＩｎとＺｎの比率（［Ｉｎ］／［Ｚｎ］）が、本願規定を外れていた。酸化物焼結体には、Ｚｎ4Ｉｎ2Ｏ7（ｍ＝４）、Ｚｎ8Ｉｎ2Ｏ11（ｍ＝８）が検出された。Ｎｏ．６〜８はキャリア移動度が低かった。なお、Ｎｏ．６のＺｎ4Ｉｎ2Ｏ7の体積比は０．２５であった。Ｎｏ．７のＺｎ4Ｉｎ2Ｏ7の体積比は０．３４であった。Ｎｏ．８のＺｎ8Ｉｎ2Ｏ11の体積比は０．４５であった。
【００７７】
Ｎｏ．１２は第二の焼結工程における保持温度Ｔ２が本発明の規定を外れる例であり、焼結体の相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。Ｎｏ．1３は、第一の焼結工程における温度Ｔ１が本発明の規定を外れており、相対密度が低く、異常放電の回数が多かった。またこのターゲットには割れも発生していた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
【請求項２】
前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、および［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．２７≦［Ｉｎ］／［Ｚｎ］≦０．４５
（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）≦０．０５
【請求項３】
前記酸化物焼結体に含まれる前記ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、前記Ｉｎ2Ｏ3、及び前記ＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比は、下式を満足するものである請求項１または２に記載の酸化物焼結体。
０．１≦ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）＜０．７５
０．０５≦Ｉｎ2Ｏ3／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
０．０５≦ＺｎＯ／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
（但し、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+mはＺｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10の合計である。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度８５０〜１０５０℃、該温度域での保持時間１〜１０時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度１０００〜１０５０℃（但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度）、該温度域での保持時間０．５〜１０時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2で行うことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。
【請求項１】
酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m（ｍは５〜７の整数）、Ｉｎ2Ｏ3、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
【請求項２】
前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｉｎ］、［Ｔｉ］、［Ｍｇ］、［Ａｌ］、および［Ｎｂ］としたとき、［Ｚｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］に対する［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．２７≦［Ｉｎ］／［Ｚｎ］≦０．４５
（［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）／（［Ｚｎ］＋［Ｉｎ］＋［Ｔｉ］＋［Ｍｇ］＋［Ａｌ］＋［Ｎｂ］）≦０．０５
【請求項３】
前記酸化物焼結体に含まれる前記ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m、前記Ｉｎ2Ｏ3、及び前記ＺｎＯの合計に対する各結晶相の体積比は、下式を満足するものである請求項１または２に記載の酸化物焼結体。
０．１≦ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）＜０．７５
０．０５≦Ｉｎ2Ｏ3／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
０．０５≦ＺｎＯ／（ＺｎmＩｎ2Ｏ3+m＋Ｉｎ2Ｏ3＋ＺｎＯ）≦０．７
（但し、ＺｎmＩｎ2Ｏ3+mはＺｎ5Ｉｎ2Ｏ8、Ｚｎ6Ｉｎ2Ｏ9、Ｚｎ7Ｉｎ2Ｏ10の合計である。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法であって、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物とを混合し、黒鉛型にセットした後、焼結温度８５０〜１０５０℃、該温度域での保持時間１〜１０時間で焼結する第一の焼結工程と、前記第一の焼結工程後、焼結温度１０００〜１０５０℃（但し、第一の工程の焼結温度よりも高い温度）、該温度域での保持時間０．５〜１０時間で焼結する第二の焼結工程とを包含すると共に、前記第一の焼結工程と前記第二の焼結工程を、加圧圧力１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ2で行うことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１３−９５６５６（Ｐ２０１３−９５６５６Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４２８９２（Ｐ２０１１−２４２８９２）
【出願日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【出願人】（０００１３０２５９）株式会社コベルコ科研 (174)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【出願人】（０００１３０２５９）株式会社コベルコ科研 (174)
【Ｆターム（参考）】
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