【課題】低温での焼成を可能としつつ、誘電特性及び強度を維持することができる誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び誘電体磁器製造用粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器は、ＢａＴｉ₄Ｏ₉結晶相及びＢａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀結晶相を含み、組成式（ＢａＯ・ｘＴｉＯ_２）で表され、ＢａＯに対するＴｉＯ_２のモル比ｘが４．６以上８．０以下であり、Ｘ線回折において、ＢａＴｉ₄Ｏ₉結晶相の最大回折ピーク強度（Ｉ₁₄）とＢａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀結晶相の最大回折ピーク強度（Ｉ₂₉）とのＸ線回折ピーク強度比Ｉ₂₉／Ｉ₁₄が１以上である主成分と、ホウ素酸化物及び銅酸化物とを含み、ホウ素酸化物の含有量がＢ₂Ｏ₃換算で主成分１００質量部に対して０．５質量部以上５．０質量部以下であり、銅酸化物の含有量がＣｕＯ換算で主成分１００質量部に対して０．１質量部以上３．０質量部以下である副成分と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高密度で異常放電が発生し難く、安定した膜組成でスパッタリングが可能なＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２相を含むＢｉＴｉ系酸化物ターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＢｉＴｉ系酸化物ターゲットの金属成分としてのＢｉとＴｉとの原子比が、Ｂｉ：Ｔｉ＝６：ｘ（３＜ｘ＜７）であるターゲットを提供する。特に、ターゲットのＸ線回折によりＴｉＯ_２相の（１１０）面による回折ピークの強度が、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２相の（１７１）面による回折ピークの強度の８．６％未満、またはＢｉ_２Ｏ_３相の（０１３）面による回折ピークの強度が、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２相の（１７１）面による回折ピークの強度の７２．４％未満である。 （もっと読む）

【課題】異なる材料の誘電体層を積層して形成しても積層された誘電体層同士の間で剥離が生じるのを抑制することができるセラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、中間層１３とを含むものである。第１の誘電体層１１は、ＢａＯとＮｄ₂Ｏ₃とＴｉＯ₂とを含む層であり、第２の誘電体層１２は第１の誘電体層１１とは異なる材料を含む層であり、中間層１３は第１の誘電体層１１と第２の誘電体層１２との間に形成され、主成分として第１の誘電体層１１および第２の誘電体層１２の双方に共通に含まない主成分を含む層である。 （もっと読む）

【課題】電界印加時の高温試験や高温高湿試験が良好である積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、（Ｂａ_1-yＡ_y）（Ｔｉ_1-xＢ_x）Ｏ₃を主成分とし、前記ＡはＮａ，Ｋから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ＢはＮｂ，Ｔａから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ｘおよびｙは、ｘｙ平面で、点Ｃ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００００１），点Ｄ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．０００００１），点Ｅ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．００２），点Ｆ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００２）を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 安定な比誘電率の温度特性を有するとともに分極電荷が小さく、か比誘電率の高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍであるとともに、前記結晶粒子の粒径のばらつき（ＣＶ）が５０％以下であり、誘電体磁器にイットリウム、マンガン、マグネシウムを含み、かつチタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対するパイロクロアの面指数（２２２）の回折強度の割合が１２〜１８％である。 （もっと読む）

【課題】たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】組成式：１００（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃＋ａＲ₂Ｏ₃＋ｂＶ₂Ｏ₅＋ｃＺｒＯ₂＋ｄＭｎＯ（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされ、かつ、０．０３≦ｘ≦０．２０、０．０５≦ａ≦３．５０、０．２２≦ｂ≦２．５０、０．０５≦ｃ≦３．０、および０．０１≦ｄ≦０．３０の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物。この誘電体セラミック組成物の焼結体によって、積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３を構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、（１−ｘ）ＢａＺｒＯ_３＋ｘＳｒＺｒＯ_３で表される成分を、ＢａＺｒＯ_３およびＳｒＺｒＯ_３換算で５〜１５モル、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で３〜５モル、希土類元素の酸化物をＲ_２Ｏ_３換算で４〜６モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも１つの元素の酸化物を、ＭｎＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４およびＦｅ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル、Ｓｉを含む化合物をＳｉ換算で２．５〜４モル、含有し、ｘが０．４〜０．９であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗および加速寿命の向上が可能な誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層として有する電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分と、第５副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子が、主成分で実質的に構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分のうち少なくとも１種が拡散した拡散相と、を有し、前記主成分相における前記第４副成分の含有割合が、前記拡散相における第４副成分の含有割合に比べ高いことを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を１．０〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、２．５≦α／β≦５．０、１．０≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｙ５Ｖ特性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】多数に積層された誘電体層１１０と該誘電体層１１０間に形成された内部電極１２０を備えるセラミック積層体１３０と、該内部電極１２０に電気的に接続され、該セラミック積層体１３０の外面に配設された外部電極１４０とを含み、該誘電体層１１０は、（Ｂａ_１-ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１-ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３（ここで、０．０３≦ｘ≦０．０７ｍｏｌ％、０．０５≦ｚ≦０．１５ｍｏｌ％、１≦ｍ≦１.０５ｍｏｌ％を満たす）を含み、該内部電極１２０は、ニッケル粉末、ＢａＴｉＯ_３（ＢＴ）を含有するセラミック粉末及びキュリー温度シフタを含む導電性ペーストで形成される。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１に備える誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）であって、ＶおよびＲの双方が主成分粒子内に均一に存在しているものを用いる。 （もっと読む）

【課題】（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１−ｙ）Ｏ_３を主成分とする誘電体磁気組成物であって、内部電極としてＮｉなどの卑金属を用いたとしても、高湿度下における絶縁抵抗の経時による劣化が生じ難い積層コンデンサを得ることを可能とする誘電体磁気組成物を提供する。
【解決手段】主成分を（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１−ｙ）Ｏ_３と表したときに、０≦ｘ≦１かつ０≦ｙ≦０．５０である主成分と、副成分として、主成分１００モル部に対し、ＳｉＯ_２を０．５モル部以上、１５モル部以下、ＭｎＯを０．１モル部以上、１０モル部以下含み、さらにＡｌ_２Ｏ_３を０．０１モル部以上、０．０７９モル部以下の割合で含む、誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（たとえば、２０〜３５０℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ａ（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３−ｂＢａＴｉＯ_３で表される化合物を有し、前記ａ、ｂおよびｘが、ａ＋ｂ＝１、０．６２≦ａ≦０．８０、０≦ｘ≦０．５６の関係を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｕ−ｖ−ｗ}，Ｃａ_ｕ，Ｍｇ_ｖ，Ｓｒ_ｗ）_α（Ｔｉ_１−ｘ，Ｚｒ_ｘ）Ｏ_３の組成式で表わされる主成分と、酸化ニッケルと、酸化セリウムと、酸化マンガンと、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のｕが０．２０〜０．２７であり、前記組成式中のｖが０．０１８〜０．０４９であり、前記組成式中のｗが０．００４〜０．０１８であり、前記組成式中のｘが０．１１８〜０．１４９であり、前記組成式中のαが０．９５〜１．０２であり、前記酸化ニッケルを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化セリウムを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化マンガンを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてＡＢＯ₃（ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）を含み、副成分としてＣａＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】１μｍ未満に薄層化した場合であっても、高温負荷特性と静電容量の温度特性とが両立可能な誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサの実現。
【解決手段】結晶構造が異なる第１の結晶粒子１と第２の結晶粒子２とが混在した混晶系構造を有している。主相粒子はチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ｌａ、Ｃｅ等の特定の希土類元素を含有している。第１の結晶粒子１は、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶していない主相粒子単独領域３と、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶した表層部の希土類元素固溶領域４とからなる。第２の結晶粒子２は、コア・シェル構造を有し、シェル部６は特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶している。そして、第１及び第２の結晶粒子１、２の全結晶粒子に対する個数割合は、第１の結晶粒子１が１２〜８４％であり、第２の結晶粒子２は１６〜８８％とする。 （もっと読む）