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Fターム[4G031GA07]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 製法 (3,951) | 焼結方法 (1,683)

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【課題】 ビスマス層状構造強誘電体の分極軸をそろえ、配向性・結晶性が向上した強誘電体材料を提供する。
【解決手段】 アモルファス粉体をマトリックスとし、このマトリックスに前記アモルファス粉体と、板状結晶と、を所定量混合した粉体試料を一軸加圧成形しながら加圧方向と平行に直流パルス電流を印加することにより焼結した。 (もっと読む)


【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子1は,基板2と、基板2の上方に形成されたバッファ層5と、バッファ層5の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層6と、を含み、バッファ層5は、c軸(001)に優先配向しているYBaCu7−δからなり、δは,0≦δ≦0.6の範囲である。 (もっと読む)


【課題】容量の経時変化である容量温度特性がEIA規格のX8R特性を満足し、Tcバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第1副成分と、CaZrO3、またはCaOとZrO2の混合体を含む第2副成分と、Sc、Er、Tm、Yb、Luから選択される第1の希土類元素(R1)の酸化物からなる第3副成分と、Y、Dy、Ho、Tb、Gd、Euのから選択される第2の希土類元素(R2)の酸化物からなる第4副成分と、MgO、CaO、BaO、SrOから選択される第5副成分と、V25、MoO3、WO3から選択される第6副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第1副成分〜第4副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 (もっと読む)


【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がEIA規格のX8R特性(−55〜150℃、ΔC/C=±15%以内)を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく(平均寿命が長く)、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第1の希土類元素(R1)および第2の希土類元素(R2)がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第1の希土類元素(R1)の結晶粒子表面からの拡散層深さd1が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX1(%)とし、第2の希土類元素(R2)の結晶粒子表面からの拡散層深さd2が結晶粒子の径Dに対して占める割合をX2(%)とした場合、第2の希土類元素(R2)の拡散層深さd2が第1の希土類元素(R1)の拡散層深さd1よりも深部に及んでおり、X1=10〜35%、かつX2>X1(d2>d1と同義)の関係が成立してなるように構成される。 (もっと読む)


一般式:Ba{Tix1x2(Mg1−tZn(Ta1−uNb(ただし、Mは、Sn、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも1種であり、x1+x2+y+z=1であって、0.015≦x1+x2≦0.90、0<x1≦0.90、0≦x2≦0.60、1.60≦z/y≦2.40、1.00≦v≦1.05、0<t<1、および0≦u≦1の各条件を満足し、wは電気的中性を保つための正の数である。)で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、
屈折率が高く、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ(2)は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ(9)等に有利に適用できる。 (もっと読む)


溶融多結晶質研磨粒子、ならびにその製造および使用方法。たとえば、本発明による溶融多結晶質研磨粒子は、研磨物品における研磨粒子として有用である。

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本発明は、Cu−カチオンを有する本発明による組成のPZT−セラミックの少なくとも1つの含分を有する一般組成ABOの圧電セラミック材料に関する。Zr−及びTi−カチオンの含分は、Cu−カチオンの含量に応じて、セラミック材料がモルフォトロピック相境界に調節されているように選択される。さらに本発明は、そのようなセラミック材料の製造方法を記載する。 (もっと読む)


本発明は、エアロゾルデポジション法等で形成された微結晶セラミックス膜に、セラミックス自体は吸収しやすく、逆に金属では反射するという赤外線のセラミックス材料に対する光学特性を利用したレーザー照射による加熱処理を行うことにより、微結晶セラミックス膜が基板から剥離することなく粒成長及び欠陥回復が可能なセラミックス膜構造体、その形成方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のセラミックス膜構造体の形成方法は、金属基板上に微結晶セラミックス膜を形成した後、該微結晶セラミックス膜に赤外線レーザーを照射することを特徴とする。 (もっと読む)


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