【課題】本発明は、極めて製造効率の高いスピネル系セラミックスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスピネル系セラミックスの製造方法は、Ａｌ₂Ｏ₃多孔体を準備する第１工程と、該Ａｌ₂Ｏ₃多孔体に溶融状態のＭｇを含浸させることにより、該Ａｌ₂Ｏ₃多孔体をアモルファススピネルに転化する第２工程と、該アモルファススピネルを熱処理することによりそれを結晶化させる第３工程と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造工程において回収される、未焼成の再生原料を用いてチタン酸アルミニウム系セラミックス体を製造する方法であって、再生粘土の調製を容易に行なうことができるとともに、機械的強度および低熱膨張性、耐熱性等の熱特性に優れるチタン酸アルミニウム系セラミックス体を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造工程において回収される、未焼成の再生原料を用いてチタン酸アルミニウム系セラミックス体を製造する方法であって、該未焼成の再生原料から直径１ｍｍ以下の粉砕物を得る工程と、該粉砕物と水とを含む再生粘土を調製する工程と、該再生粘土を成形して成形体を得る工程と、該成形体を焼成する工程とを含むチタン酸アルミニウム系セラミックス体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】スピネル焼結体からなり、光の散乱因子がさらに低減されたスピネル製光透過用窓材、及びそのスピネル製光透過用窓材を製造する方法を提供する。
【解決手段】スピネル焼結体からなる光透過用窓材であって、前記光透過用窓材中に含有される気孔の最大径が１００μｍ以下であり、かつ最大径１０μｍ以上の気孔数が前記光透過用窓材の１ｃｍ^３あたり２．０個以下であることを特徴とするスピネル製光透過用窓材、及び、スピネル成形体を作製する工程、前記スピネル成形体を、常圧以下又は真空中で１５００〜１９００℃で焼結する１次焼結工程、及び加圧下、温度範囲１５００〜２０００℃で焼結する２次焼結工程を有し、１次焼結工程後のスピネル成形体の相対密度が９５〜９６％であり、２次焼結工程後のスピネル成形体の相対密度が９９．８％以上であることを特徴とするスピネル製光透過用窓材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ鉛を含まない新規な強誘電体を提供すること。
【解決手段】ＢａアルコキシドとＴｉアルコキシドとＫＦとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、１０００℃未満の温度で有機分を除去することにより、ＢａＴｉＯ_３結晶のＢａの一部がＫにＯの一部がＫと同量のＦに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。６５０℃という低温で仮焼きした場合でも元素置換されたナノ結晶を得ることができ、これを元に焼成してセラミックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性と高い機械的強度を実現しつつ、焼結による寸法変化の小さいチタン酸アルミニウム系セラミックスを1500℃未満の低い焼成温度で製造しうる方法を提供する。
【解決手段】チタニウム源粉末、アルミニウム源粉末およびケイ素源粉末を含む前駆体混合物と有機系結合剤とを含有するセラミック可塑性練り土を作製して、所定の形状に成形する工程と、成形したセラミック可塑性練り土を900〜1350℃の温度範囲にて、時間あたりの温度変化が−50〜＋50℃/hで3時間以上保持した後、1400℃以上の温度に昇温し、同温度で焼結する工程とを含むチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法、ならびに、当該製造方法によって得られる、気孔率が30〜60％の範囲内であるチタン酸アルミニウム系セラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｓｉを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＳｉの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＳｉ含有量の割合を４０％以上とし、Ｓｉの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＳｉ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】焼結体密度及び強度が高く、透光感に優れるジルコニア焼結体の製造にはＨＩＰ焼結等の特殊な焼結が必要であった。
【解決手段】安定化剤として２〜４ｍｏｌ％のイットリアを含み、アルミナを含有しないジルコニアからなり、相対密度が９９．８％以上、かつ厚さ１．０ｍｍでの全光線透過率が３５％以上の透光性ジルコニア焼結体を常圧焼結によって製造する。ＢＥＴ比表面積１０〜１６ｍ^２／ｇｍ、平均粒径０．４〜０．７μｍの粉末で、常圧焼結における焼結収縮速度（△ρ／△Ｔ：ｇ／ｃｍ^３・℃）が０．０１２０以上０．０１３５以下の粉末を大気中で常圧焼結することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性と高い機械的強度を実現しつつ、焼結による寸法変化の小さいチタン酸アルミニウム系セラミックスを製造しうる方法を開発する。
【解決手段】チタン源粉末、アルミ源粉末、マグネシウム源粉末およびケイ素源粉末を含む前駆体混合物を900〜1350℃の温度範囲にて、時間あたりの温度変化が−50〜＋50℃/hで3時間以上保持した後、1400℃以上の温度に昇温し、同温度で焼成するチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法で、前駆体混合物に含まれる酸化物成分の内、ケイ素源の重量比が2〜8％であり、ケイ素源が非晶質で、融点が800〜1350℃のアルミノシリケートであることを特徴とするチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 焼成時に生じる収縮を緩和し、ワレの生じ難いチタン酸アルミニウム質セラミックハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともチタニア粉末とアルミナ粉末とを含むセラミック原料とバインダーとを含む材料を混合、成形し、乾燥してハニカム乾燥体とし、前記ハニカム乾燥体の焼成を行なう、チタン酸アルミニウム質セラミックハニカム構造体の製造方法であって、前記焼成において、ハニカム構造体の主にチタニア粉末およびアルミナ粉末による収縮温度域での昇温速度Ｖ1、主にチタン酸アルミニウムの合成反応が進む温度域での昇温速度Ｖ2、主にチタン酸アルミニウムの焼成反応が進む温度域での昇温速度Ｖ3が、Ｖ1＜Ｖ2、かつ、Ｖ2＞Ｖ3として焼成する。 （もっと読む）

【課題】直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の透明セラミックよりも光学特性に優れ、かつ、単結晶には達成困難な造形や構造を提供できる透明ジルコニア又はハフニア系セラミックを提供する。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＯ及びランタニド希土類酸化物の少なくとも１種の安定化材により安定化されたジルコニア系又はハフニア系セラミックであって、（１）前記ジルコニア系又はハフニア系セラミックの結晶構造が立方晶であり、（２）平均結晶粒子径が５〜３００μｍの範囲にあり、（３）フッ素元素を含有する、ことを特徴とする透明セラミックとその製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズのチタン酸バリウム粉末に着目し、実用性の高い抵抗加熱２段焼結法を用いて、より高い電気機械結合係数を有するチタン酸バリウムの圧電セラミックスと、その製造方法並びにそれを用いた各種の圧電素子を低コストで提供する。
【解決手段】圧電体の性質を持つ５０ｎｍ〜２００ｎｍのチタン酸バリウム粉末を所定形状に固めて、２段階の焼結温度により焼結体を形成する。焼結体の微細結晶構造は、その単体の結晶粒内に、０.５μｍ〜２μｍで、結晶界面が明確ではないが、分子の配列方向の異なるサブ粒子構造が存在し、結晶粒の最大粒径が１０μｍ以下に抑制されている。焼結体は、理論密度の９８.５％以上の密度を有し、圧電素子は、セラミックスの焼結体を分極処理して形成される。 （もっと読む）

【課題】より実用的な全固体リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】正極と、負極と、Ｌｉ−Ｌａ−Ｚｒ系セラミックスを含有する固体電解質と、を備える、全固体リチウム二次電池とする。 （もっと読む）

【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、３００Ｋ以下の温度域におけるゼーベック係数が５００μＶ／Ｋ以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 （もっと読む）

【課題】セラミック体を加熱する際に、工程時間を短縮し、加熱速度を高め、従来より低い温度で焼結できる装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】単一モードマイクロ波加熱室を画定する照射装置１２と；前記室内に配置される断熱構造体１６と；セラミック体よりも低いマイクロ波結合温度を有する断熱構造体内に配置されたサセプタ２０と；前記サセプタに隣接して配置されたセラミック体２２と；マグネトロン２４と；および温度測定装置２８とから構成されるセラミック体の焼結装置である、さらにセラッミク体を焼結する際に、該装置を用いて、加熱温度、加熱時間、加熱速度、冷却速度を所定条件とした方法である。 （もっと読む）

本発明は、波長変換層及び散乱層を含む焼結セラミック基体を含む、発光装置に関する光学要素、及び、この光学要素を製造する方法、に関する。より具体的には、本発明は、第１層及び前記第１層に構成される第２層の焼結セラミック基体を含む光学要素であって、前記第１層は波長変換材料を含み、前記第２層の多孔性は前記第１層の多孔性より高く、前記第２層における細孔は、光ビームの散乱を提供するように構成されている、光学要素に関する。光学要素を製造する方法は、当該方法は、第１材料の第１層及び第２材料の第２層を含むグリーン基体を提供するステップと、前記層を単一の焼結セラミック基体へ共焼結させるステップと、を含み、前記第１及び前記第２層の組成は、焼結後に、前記第２層の多孔性は前記第１層の多孔性より高く、前記第２層における細孔は、光源によって発される光ビームの散乱を提供するように構成されているように、適合される。
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【課題】 排ガスフィルタを構成する多孔質チタン酸アルミニウム焼結体を焼成する過程において、造孔材や有機結合剤の燃焼やそれに伴う発熱を制御して、熱応力による割れや強度低下による崩れを抑制する。
【解決手段】 セラミック原料粉末に造孔材および助剤を添加、混練して得た坏土をハニカム状に成形し、得られたハニカム成形体を焼成して、多孔質隔壁で区画された多数のセルを有するセラミックハニカム構造体からなる排ガスフィルタを製造する方法において、セラミックハニカム構造体が、チタン酸アルミニウムを基材とし、造孔材に、熱分解開始温度が４００℃以下である熱可塑樹脂を使用する。焼成工程は、昇温開始から１１００℃以下の所定の酸素導入温度までは、酸素濃度が２％より低い低酸素雰囲気に保持し、酸素導入温度以上では、酸素濃度が２％以上となるように酸素を導入して、チタン酸アルミニウムを焼結させる。 （もっと読む）

【課題】 ［（ＣａＳｒ）Ｏ］_ｍ［（ＴｉＺｒＨｆＭｎ）Ｏ_２］系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば２μｍ以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）Ｏ〕_ｍ〔（Ｚｒ_{１−ｙ−ｚ−α}Ｔｉ_ｙＨｆ_ｚＭｎ_α）Ｏ_２〕ただし、０．９９１≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０２、０．００２＜α≦０．０５で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分１００モル部に対して、
０．１〜０．５モル部のＡｌ_２Ｏ_３、および
０．５〜５．０モル部のＳｉＯ_２を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】未焼成体を焼成する方法において、焼成サイクルの長さを低減しておよび／または亀裂した製品を生じずにおよび／または乾燥プロセスを複雑にせずに、チタン酸アルミニウム物品の所望の高い多孔度を達成する。
【解決手段】チタン酸アルミニウム形成無機バッチ材料と細孔形成剤とを含有する未焼成体を、１５５０℃未満の上限および１３５０℃より高い下限を有する保持温度範囲内で最高温度まで炉内で加熱してチタン酸アルミニウムの主相を形成し、１００℃／時間より大きい平均冷却速度において前記下限から１０００℃未満まで急速冷却し、そこでチタン酸アルミニウムの前記主相の分解を最小とする。 （もっと読む）

【課題】 未焼成体を焼成する方法において、チタン酸アルミニウム物品の所望の高い多孔度を達成する。
【解決手段】 無機バッチ材料と少なくとも１つの細孔形成剤とを含有する未焼成体を提供する。第１の加熱段階において室温〜５００℃の間で１４℃／時間より大きく５０℃／時間より小さい第１の平均上昇速度において４０時間未満にわたり加熱する。炉温度を第２の加熱段階において５００℃より高い下限および９００℃未満の上限を有する第１の保持温度領域内に４０時間未満にわたり保持する。炉温度を第３の加熱段階において約３０℃／時間より大きい第２の平均上昇速度において増加させる。炉温度を第４の加熱段階において１３５０℃より高い下限および１５５０℃未満の上限を有する第２の保持温度領域内に、未焼成体をセラミックに転化するために十分な時間にわたり保持する。 （もっと読む）