【課題】ＦＦ−ＭＯＤ法を用いた酸化物超電導薄膜の製造において、ＪｃおよびＩｃが高い酸化物超電導膜を安定して得ることが可能となる技術を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、フッ酸が添加されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。総金属イオン濃度に対する前記フッ酸の添加量が、０．０５％〜５％である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。溶質が、希土類元素のトリメチル酢酸塩、銅のトリメチル酢酸塩およびバリウムのプロピオン酸塩である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。酸化物超電導薄膜が、ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＲＥ：希土類元素）薄膜である酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。 （もっと読む）

【課題】高Ｉｃの厚膜化ができ、再現良く高Ｉｃ値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、６５０〜７２０℃の温度範囲で、１０〜１８０分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは０．３〜５μｍである。 （もっと読む）

【課題】基板上にＲＥ１２３超電導薄膜が形成された酸化物超電導薄膜線材に対して、適切な酸素量の導入の調整を、容易に行うことができ、高いＴｃおよびＩｃの酸化物超電導薄膜線材を安定して製造することができる酸化物超電導薄膜線材の熱処理装置および方法を提供する。
【解決手段】所定の温度に加熱するヒータと、リールに巻回されたテープ状の酸化物超電導薄膜線材を繰出す繰出し機構を備える酸素熱処理室と、酸素熱処理室より繰出された酸化物超電導薄膜線材を、冷媒により冷却された冷却部材に接触させて冷却する冷却機構を備える冷却室と、冷却された酸化物超電導薄膜線材を、リールに巻取る巻取り機構を備える巻取り室とを備えている酸化物超電導薄膜線材の熱処理装置。前記熱処理装置を用いる酸化物超電導薄膜線材の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ溶液の塗膜を仮焼する際に、表面に発生する荒れが抑制された仮焼膜を形成して、その後の本焼により充分に高いＪｃやＩｃを有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程において、仮焼熱処理温度に至るまでの昇温を大気圧より低い圧力雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法を用いて作製された仮焼膜を積層して厚膜の仮焼膜とした後、本焼熱処理を行って酸化物超電導薄膜を作製するに際して、結晶配向性が揃った高いＩｃを有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を原料とし塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板１０上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製し、その後塗膜を仮焼熱処理温度にて熱処理して金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して仮焼膜２０を作製することを繰り返して積層仮焼膜層を作製する積層仮焼膜層作製工程と、積層仮焼膜層の最上層の上に積層仮焼膜層の結晶化を抑制する結晶化抑制層３０を作製する結晶化抑制層作製工程と、本焼熱処理温度にて熱処理して積層仮焼膜層を結晶化させて酸化物超電導薄膜を作製する酸化物超電導薄膜作製工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基材の長手方向に均一な膜厚の超電導膜を形成すること。
【解決手段】基材１０が引き上げられるときに基材１０に付着する超電導原料溶液４０のメニスカス５０を、基材１０表面に付着する引き上げ方向のメニスカスの長さをｙ、基材１０表面に直交する方向のメニスカスの長さをｘとした場合、０＜ｙ／ｘ≦３の範囲にすることで、基材１０の引き上げ時のメニスカス５０の形状を安定させ、基材からの超電導原料溶液４０の液だれを抑制する。 （もっと読む）

【課題】コスト的に有利なＦＦ−ＭＯＤ法を用いて酸化物超電導薄膜を製造するに際して、１層当たりの仮焼膜の厚さが厚い場合でも、発泡やクラックの発生が抑制された仮焼膜を形成することができ、効率的に、高Ｉｃの酸化物超電導薄膜を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法を用いて製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜の前駆体である仮焼膜を形成するに際して、金属有機化合物の各々に含有される有機成分が熱分解を起こす温度近傍で加熱して、各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を、低温側から段階的に行い、その後、さらに高温での熱処理を行って、残存する炭素を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ溶液の塗膜を仮焼する際に、表面に発生する荒れが抑制された仮焼膜を形成して、その後の本焼により優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に金属有機化合物の溶液を塗布して塗膜を作製する塗膜作製工程と、塗膜の金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、仮焼熱処理工程において、仮焼熱処理温度に至るまでの昇温を大気圧より高い圧力雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】塗布熱分解法で希土類超電導性複合金属酸化物膜を製造する際、特に大面積基板上に希土類超電導膜を製造する際に超電導特性の面内特性分布の均一性を向上させるのに有効な熱処理工程を提供する。
【解決手段】各種支持体・基板上に塗布された金属含有化合物の薄膜を、酸素分圧が０．２〜０．８ａｔｍであり、露点が２０℃以上の水蒸気をふくむ雰囲気中で、２００〜６５０℃で仮焼成を行うことで、塗布膜に含有された有機成分を均一に除去することが可能となり、超電導特性の面内特性分布の均一性を向上させる熱処理工程。 （もっと読む）

本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法として、厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、酸素導入過程においてクラックを発生せず、その結果、高いＩｃ値を有する酸化物超電導薄膜の製造方法とを提供し、また高Ｉｃ値を有する超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜を形成した後の酸素導入過程において、酸素濃度を上昇させながら熱処理を行う酸化物超電導薄膜の製造方法。熱処理は、酸素濃度１ｐｐｍ以上の雰囲気下で、酸素濃度をＰとした場合の常用対数ｌｏｇＰが、毎分０．５以下で上昇するように酸素濃度を制御しながら行われる。酸化物超電導薄膜の形成は塗布熱分解法により行う。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により面内に３回対称に配向するように成膜された岩塩構造の第一層１３と、この第一層１３上に３回対称に配向するように成膜された配向調整層１２と、この配向調整層１２上にＩＢＡＤ法により面内に４回対称に配向するように成膜された蛍石構造あるいはそれに準じた希土類Ｃ型あるいはパイロクロア構造の第二層１４とを具備する中間層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属基板上の中間層及び超電導層の配向度を向上させる。
【解決手段】線材送出部１１と線材巻取部１４との間に、配向熱処理部１２と中間層成膜部２１を配置し、この装置全体を還元性雰囲気に制御されたチャンバー１５内部に配置した。中間層成膜部２１は、それぞれ加熱部を備えたＲＦスパッタリング装置からなる第１中間層成膜部２１ａ、第２中間層成膜部２１ｂ及びＲＦスパッタリング装置からなる第３中間層成膜部２１ｃにより構成され、線材送出部から送出されたＮｉ−Ｗ合金テープは、配向熱処理部で２軸配向化され、第１乃至第３中間層成膜部において、それぞれＣｅＯ_２、ＹＳＺ及びＣｅＯ_２が蒸着され、さらにその上にＴＦＡ−ＭＯＤ法により厚さ１．０μｍのＹＢＣＯ層が成膜された。２軸配向後のＮｉ−Ｗ合金基板及びＣｅＯ_２中間層の面内配向度は、それぞれΔφ＝６．５度及び６．０度を示し、ＹＢＣＯ層はＩｃ＝３００Ａ／ｃｍ−ｗ、Ｊｃ＝３．０ＭＡ／ｃｍ^２の値を示した。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を示し、効率的に製造可能な超電導線材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造方法は、準備工程と、溶液塗布工程と、前駆体膜を形成する工程としての仮焼成工程と、焼成前処理工程と、焼成工程とを備える。溶液塗布工程では、テープ状基材の表面に、超電導体を構成する元素を含む溶液を塗布し、溶液膜を形成する。仮焼成工程では熱処理することにより、テープ状基材の表面の溶液膜から超電導体の前駆体膜であるＭＯＤ膜を形成する。焼成前処理工程では、ＭＯＤ膜が形成されたテープ状基材である線材２０を巻回してパンケーキ状コイルを形成するとともに、パンケーキ状コイルにおける径方向に隣接するテープ状基材の部分の間に反応抑制層１９を配置する。焼成工程では、パンケーキ状コイルに対して熱処理を行なうことにより、ＭＯＤ膜から超電導層を形成する。 （もっと読む）

希土類金属Ba2Cu3O7膜を生成する組成物及び方法が記載される。組成物は、バリウム(Ba)金属有機化合物、１又はそれより多い希土類金属有機化合物を含み、組成物は、ハロゲンも含む。例えば、組成物は、ハロゲン化された有機溶媒を含む。組成物はまたほぼ２３０℃よりも大きい沸点を有する溶媒を含む。前駆体溶液は、また、水を生成するために、ハロゲン化された溶媒と反応しない低粘度溶媒を含む。高粘度化合物は、より厚い膜の形成を可能とするために含まれることもある。得られた前駆体溶液は、基板上に堆積され、５０℃／分よりも大きい加熱速度で熱分解され、滑らかな、剪断膜を生成するために結晶化される。１００ｎｍよりも大きい厚さの膜は、４×１０^６A／ｃｍ^２の輸送J_c値を用いて、７７°Kでさまざまな基板上で生成される。 （もっと読む）

【課題】超電導層中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたＹ系酸化物超電導線材を得る。
【解決手段】２軸配向性を有する高配向性金属基板１１上に、ＭＯＤ法によるＣｅ―Ｚｒ―Ｏ酸化物からなる拡散防止層１２ａ及びＲＦスパッタ法によるＣｅＯ_２酸化物からなる反応防止層１２ｂを順次積層した２層構造の中間層１２並びにＴＦＡ―ＭＯＤ法によるＹＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第１の超電導層１３ａ及びＴＦＡ―ＭＯＤ法によるＹ（Ｃｅ、Ｚｒ）_ｘＢａ_ｙＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第２の超電導層１３ｂを順次積層した２層構造の超電導層１３を形成し、第２の超電導層１３ｂ中に微細に分散したＢａＣｅＯ_３、ＢａＺｒＯ_３不純物粒子とこの粒子近傍の無配向領域が磁束ピンニング点を形成することにより、Ｙ系酸化物超電導線材１０の磁場印加角度依存性を著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】同一種類の構成元素からなり異なる金属モル濃度の酸化物超電導層を積層して超電導特性を向上させる。
【解決手段】酸化物超電導線材１０は、Ｎｉ―Ｗ合金基板１１上に、中間層１２及び超電導層１４を順次積層した構造からなり、中間層１２は、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ酸化物からなる第１中間層１２ａ及びＣｅＯ_２酸化物からなる第２中間層１２ｂを順次積層した２層構造を有し、超電導層１４は、ＹＢａ_αＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第１の超電導層１３ａ、ＹＢａ_βＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第２の超電導層１３ｂ及びＹＢａ_γＣｕ_３Ｏ_ｚからなる第３の超電導層１３ｃからなる３層構造を有しており、α＜β＜γ≦２で第２中間層１２ｂ上から順次Ｂａのモル比が２以下の範囲で増加するように配合されている。各超電導層は、ＴＦＡ―ＭＯＤ法により同一組成からなる複数の仮焼膜の積層体を一括して本焼することにより形成される。 （もっと読む）