【課題】良好な膜質及び特性の薄膜を、良好な生産性で成膜可能な成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、レーザー光Ｌによってターゲット７から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を基材２５の表面上に堆積させ、基材２５上に薄膜を形成する装置であって、送出装置１３と巻取装置１４との間に長手方向に沿って移動する基材２５を保持する基材ホルダ１２を配置し、基材ホルダ１２に接した状態にある基材２５の表面と対向するようにターゲット７を配置するとともに、ターゲット６と基材ホルダ１２の間に、基材２５とヒーター８との距離ＳＨ＝０．５５ＴＳ〜０．８５ＴＳ、基材ホルダ１２の中心線とヒーター８との最短距離ＰＨ＝０．３５ＴＳ〜０．５５ＴＳを満たすようにヒーター８を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗さに起因する超電導特性の低下を抑制し、かつ、生産効率の良い、Ｒｅ系酸化物超電導線材を提供すること。
【解決手段】基板１１の直上にＭＯＤ法により第１中間層１２を形成し、第１中間層１２の上にＭＯＤ法により酸化セリウムからなる第２中間層１３を形成し、第２中間層１３の直上にＭＯＤ法によりＲｅＢａＣｕＯからなる超電導層１４を形成する。これにより、第１中間層１２、第２中間層１３及び超電導層１４を全てＭＯＤ法により作製するので、速い製造速度で、かつ、低い設備コストで、Ｒｅ系酸化物超電導線材１０を作製できる。第１中間層１２の塗布工程時に、基板１１の凹凸面１１ａの凹凸が溶液によって平滑化されるので、基板１１の表面を電解研磨などによって平滑化しなくても済む。さらに、中間層を多層構造としているので、クラックの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のプラズマ状態が変化することを抑制して、テープ状の配向金属基板上に、長時間、安定した特性のセラミックス層を形成することができ、より長尺の酸化物超電導薄膜線材を製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１の巻出しリールから巻出されて第１の巻取りリールに送られるテープ状の配向金属基板をスパッタ装置内に搬送すると共に、第２の巻出しリールから巻出されて第２の巻取りリールに送られるアノード用金属テープをスパッタ装置内に搬送し、スパッタ装置内で、配向金属基板にセラミックス層を形成する酸化物超電導薄膜線材のセラミックス層形成方法。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の長尺化及び特性向上を図ることができ、全長にわたって安定した特性を得ることができる酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｙ系超電導線材１０は、テープ状の無配向金属基板１１と、テープ状の無配向金属基板１１上にＩＢＡＤ法を用いて成膜された第１中間層（シード層）１２とからなるテープ状線材１３と、テープ状線材１３上にＲＴＲ式のＲＦ−magnetronsputtering法により、第１中間層（シード層）１２の側面まで延びた側面部１４ａを有する第２中間層（キャップ層）１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体（ＨＴＳ）、特に被覆導体として知られる高温超伝導体、及び該被覆導体の形状の自由度を改善することを可能にする被覆導体の製造プロセスを提供する。
【解決手段】第１の予め製造されたテープ形状の被覆導体１の最上層上に第２の基板２層を備え、第１の予め製造された被覆導体のＨＴＳ層を、中立軸位置の領域とするステップと、第２の基板層で覆われた第１の予め製造された被覆導体をその長手方向軸の周りに曲げて、内側の基板層と外側の基板層との間に挟まれたＨＴＳ層を備えた、本質的に丸い断面を備えた被覆導体を得るステップと、を含む方法 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の交流損失を低減することができる基板、基板の製造方法、超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板は、銅層と、銅層上に形成され、かつ銅およびニッケルを含む合金層と、合金層上に形成されたニッケル層と、ニッケル層上に形成された中間層とを備えている。合金層とニッケル層との界面における合金層のニッケルの濃度よりも、合金層と銅層との界面における合金層のニッケルの濃度が小さい。 （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交流損失の低減効果が高い超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１上に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び金属安定化層１４をこの順に積層し、金属安定化層１４に、長手方向に沿って第一の溝１８を形成して超電導層１３を露出させ、露出させた超電導層１３に、長手方向に沿って第二の溝１９を形成して中間層１２を露出させ、この時、金属基材１１の中間層１２積層面（表面１１ａ）に対して略平行な方向において、第二の溝１９の幅を第一の溝１８の幅よりも狭くして、超電導線材１とする。 （もっと読む）

【課題】Ｔｃが高く、ピンニング力の大きい超伝導体を提供する。
【解決手段】ＭｇＢ₂からなる超伝導物質層と、ＭｇＢ₂及びＮｉからなるメッシュ状の混合層とを交互に積層し、磁場を印加した場合に、内部に侵入する量子化磁束の間隔と混合層とが一致するように膜厚を調製することにより、量子化磁束によって生じるローレンツ力を効率良くピンニングし、なおかつ、ピンニングセンター層を含まない超伝導体と同等の超伝導転移温度を保持する。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba₂Cu₃O₇ (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba₂Cu₃O₇の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】超伝導薄膜の臨界電流を向上させるべく、テープ状金属基材の表面の結晶配向性を高めるための表面研磨方法を提供する。
【解決手段】テープ状基材１１０と、テープ状基材１１０の上に形成された中間層と、中間層の上に形成された酸化物超伝導薄膜層とから成る酸化物超伝導体において、テープ状基材の被研磨面を研磨する方法は、テープ状基材１１０を連続走行させながら、被研磨面を研磨する工程であって、研磨工程は、初期研磨１０３及び仕上げ研磨１０４を含むところの工程から成り、最終的に、被研磨面の表面平均粗さRaが２ナノメートル以下となり、中間層の面内配向性Δφが５°以下となることを特徴とする。 （もっと読む）