【課題】メッキ処理によってオーバーコート層が侵食され難く、８００℃以下の温度で焼成でき、しかも、コストパフォーマンスに優れたビスマス系非鉛ガラス及びそれを用いた複合材料を提供することである。
【解決手段】本発明のビスマス系非鉛ガラスは、実質的にＰｂＯを含まず、質量百分率で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ２０〜４８％、Ｂ_２Ｏ_３ ６〜２７％、ＳｉＯ_２ １０〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜２０％、ＺｎＯ ０〜７％未満、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１０％、Ａｌ_２Ｏ_３／Ｂｉ_２Ｏ_３ ０．３３〜０．７３であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電子部品の回路基板材料等の用途に利用可能な、誘電率εが高く、温度特性τεの絶対値が小さい誘電体材料を提供する。
【解決手段】ガラスセラミックスは、酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％でＴｉＯ_２を５〜５０％、ＳｒＯを３〜５０％、及び、ＳｉＯ_２を１５〜８５％を含有し、ＳｒＴｉＯ_３結晶及び／又はその固溶体を含有する。ガラスセラミックスは、好ましくは誘電率εが２０以上であり、Ｑ値が１０００より大きく、誘電率εの温度特性τεの絶対値が３００未満である。 （もっと読む）

【課題】屈折率（ｎ_ｄ）が所望の範囲内にありながら低いアッベ数（ν_ｄ）を有し、耐ソラリゼーションが良好であり、可視光に対する透明性が高く、部分分散比が小さく、低い温度で軟化し易く、且つ研磨加工を行い易い光学ガラスと、これを用いた光学素子及び精密プレス成形用プリフォームを得る。
【解決手段】 酸化物換算組成のガラス全物質量に対して、モル％でＴｅＯ_２成分を３０．０〜７０．０％、Ｐ_２Ｏ_５成分を０％〜２５．０％、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を０％〜２０．０％以下含有し、ソラリゼーションが５．０％以下であることを有する。光学素子及び精密プレス成形用プリフォームは、この光学ガラスからなる。 （もっと読む）

【課題】屈折率（ｎ_ｄ）が所望の範囲内にありながら低いアッベ数（ν_ｄ）を有し、低い温度で軟化し易く、且つ研磨加工を行い易く、さらに高透過率と良好な化学的耐久性を兼ね備える光学ガラスと、これを用いた光学素子及び精密プレス成形用プリフォームを得る
【解決手段】酸化物換算組成のガラス全物質量に対して、モル％でＴｅＯ_２成分を２０．０〜７０．０％、Ｐ_２Ｏ_５成分を０％〜２５．０％、Ｂ_２Ｏ_３成分を０％〜４０．０％、Ｎｂ_２Ｏ_５成分を０％〜２０．０％、Ｌａ_２Ｏ_３成分を０％〜３０．０％含有し、ＴｅＯ_２／（Ｐ_２Ｏ_５＋Ｂ_２Ｏ_３）が１．０以上、Ｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌａ_２Ｏ_３が０％より多く６０％以下であり、摩耗度が２００以上８００以下、ヌープ硬度が２５０以上６５０以下、粉末法耐水性クラス（RW）が１以上３以下、粉末法耐酸性クラス（RA）が１以上３以下である光学ガラス。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低い温度で焼成することができ、かつ高い反射率を有するＬＴＣＣ基板を得ることが可能なガラスセラミックス組成物を提供する。
【解決手段】２５〜６０質量％のガラス粉末と１５〜５０質量％のアルミナ粉末および１０〜４０質量％の高屈折率フィラーを含み、前記ガラス粉末が、酸化物換算で、ＳｉＯ_２を０〜５０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を１５〜５０質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜１０質量％、ＺｎＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれる１種以上を合計で３〜６５質量％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏから選ばれる１種以上を合計で０〜２０質量％、Ｂｉ_２Ｏ_３を０〜５０質量％含有し、「（Ｂ_２Ｏ_３＋Ｂｉ_２Ｏ_３の含有量）の３倍」＋「（ＺｎＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量）の２倍」＋「（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏの含有量）の１０倍」の値が２００を超えることを特徴とするガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂製の固体撮像素子パッケージに好適なカバーガラスを提供すること。
【解決手段】質量％で、ＳｉＯ_２ ３５〜５７％、Ａｌ_２Ｏ_３ ６〜２３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜１０％、Ｎａ_２Ｏ ０〜２５％、Ｋ_２Ｏ ０〜１０％、ただし、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ １５〜４０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ ０〜３０％、を含有し、実質的にＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２を含有しないことを特徴とする固体撮像素子パッケージ用カバーガラス。 （もっと読む）

【課題】アッベ数（ν_ｄ）が所望の範囲内にありながら、レンズの色収差をより高精度に補正することができ、且つ着色の少ない光学ガラス、これを用いたプリフォーム及び光学素子を提供する。
【解決手段】光学ガラスは、酸化物換算組成のガラス全質量に対して、質量％でＰ_２Ｏ_５成分を４０．０％未満、並びに、ＷＯ_３成分及びＴａ_２Ｏ_５成分からなる群から選択される１種以上を合計で７５．０％未満含有し、０．６２以上０．６９以下の部分分散比［θｇ，Ｆ］を有し、１５以上２７以下のアッベ数（ν_ｄ）を有する。 （もっと読む）

【課題】化学的耐久性に優れ、低比重化を達成し、また溶融性に優れ、炉材の侵食が少なく、更に感光性プロセスにおいて高精細なパターン形成を可能とする無鉛ガラス組成物の提供を課題とする。
【解決手段】酸化物のモル％表示で、ＳｉＯ_２：２６〜４０％、Ａｌ_２Ｏ_３：４〜２５％、Ｂ_２Ｏ_３：２０〜５０％、ＺｎＯ：０．１〜４％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの少なくとも１種：２〜１３％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏの少なくとも１種：１０〜３０％、但し、Ｌｉ_２Ｏ：０〜２５％、Ｎａ_２Ｏ：０〜２０％、Ｋ_２Ｏ：０〜１７％を含有する無鉛ガラス組成物である。 （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有するとともに、耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 亜鉛成分を含む結晶相を有し、光触媒活性を有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％でＺｎＯ成分を１０〜７０％含有してもよく、さらにＳｉＯ_２成分、ＧｅＯ_２成分、Ｂ_２Ｏ_３成分、及びＰ_２Ｏ_５成分からなる群より選択される１種以上の成分３０〜８０％を含有してもよい。このガラスセラミックスは、粉粒状、ファイバー状、スラリー状混合物、焼結体、基材との複合体などの形態をとることが出来る。 （もっと読む）

【課題】
厚み０．５〜３００μｍの長尺なガラスフィルムを巻き取ってガラスロールを作製した際に、ガラスロールの内層部に位置するガラスフィルムの破損を抑制すること。
【解決手段】
厚みが０．５〜３００μｍであり、密度が２．４５ｇ／ｃｍ^３未満のガラスフィルム１０をロール状に巻き取ることによって、ガラスロール１５を作製する。 （もっと読む）

【課題】塩素もしくは塩化物と反応し難く、耐塩化物性に優れ、かつ耐熱性を有したガラス組成物に関するもので、塩素成分を含む高温の溶融塩による腐食から、ステンレス鋼等を保護する皮膜を形成するための皮膜形成用ガラス組成物及びその利用方法を提供すること。
【解決手段】モル％で表して、Ｐ_２Ｏ_５が３０〜８０、Ｆｅ_２Ｏ_３が０〜５０、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜３０、Ｂ_２Ｏ_３が０〜１５、ＴｉＯ_２が０〜４０、ＺｒＯ_２が０〜１０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏから選択される１種以上の合計）が０〜１５、Ｒ’Ｏ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯから選択される１種以上の合計）が０〜１５で、かつ、Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２が１〜６５、Ｒ_２Ｏ＋Ｒ’Ｏが０〜２０からなる軟化点が５５０℃以上で、かつ、塩素または塩化物に対する耐性に優れた皮膜形成用ガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラスを提供する。
【解決手段】組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜６５％、ＣａＯ ２０超〜２７％（ただし、モル比でＣａＯ／ＳｉＯ_２が０．５未満または０．５５以上）、ＭｇＯ １２〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．０１〜０．５％未満を含有し、主結晶としてディオプサイド結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス。 （もっと読む）

【課題】溶融ガラスからプレス成形により磁気記録媒体基板用のガラスブランクを作製するガラスブランクの製造方法において、プレス成形直前の溶融ガラス塊の粘度分布を均一化することにより、板厚偏差が小さく、高い平坦度を有するガラスブランクを製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス流出口より流出する溶融ガラス流を空中に垂下させた状態で切断し、溶融ガラス塊を分離、落下させ、平坦なプレス成形面によりプレスして薄板ガラスに成形する際に、分離時の溶融ガラス塊の水平断面における最大径Ａに対する鉛直方向の長さＢの比Ｂ／Ａが０．５〜５の範囲内になるようにガラス流出口の口径を定めるとともに、溶融ガラスの流出粘度が５００〜１０５０ｄＰａ・ｓの範囲で一定となるよう溶融ガラスの流出温度を制御するガラスブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストにおいて、高い集電効率を得られるような無鉛導電性ペースト材料用の低融点ガラス組成物が望まれている。
【解決手段】質量％でＳｉＯ_２を１〜１５、Ｂ_２Ｏ_３を１８〜３０、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜１０、ＺｎＯを２５〜４３、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）を８〜３０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）を６〜１７含むＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＲＯ−Ｒ_２Ｏ系無鉛低融点ガラスを含むことを特徴とする低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録方式等に代表される次世代の情報記録媒体基板用途として要求される各種物性を備え、とりわけ、高い破壊靭性を有する情報記録媒体用基板、およびその為の加工性に優れた材料を提供することにある。また、人体及び環境に対して悪影響をおよぼすおそれのある砒素成分やアンチモン成分を実質的に使用せずともガラス素地の泡やダイレクトプレス時のリボイルの発生がなく、ダイレクトプレス法に適した生産性の高い情報記録媒体用基板を提供すること。
【解決手段】主結晶相としてＲＡｌ_２Ｏ_４、Ｒ_２ＴｉＯ_４、(ただしＲはＺｎ、Ｍｇ、Ｆｅから選択される１種類以上）から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、結晶化度が１５％以下であり、比重が３．００以下であることを特徴とする結晶化ガラスからなる情報記録媒体用結晶化ガラス基板。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、アルミニウム（Ａｌ）の仕事関数より電極配線としての見かけの仕事関数が小さくなるアルミニウム電極配線用のガラス組成物を提供する。
【解決手段】アルミニウムより仕事関数が小さい元素の酸化物から構成される。この酸化物は、バナジウム（Ｖ）の酸化物と、アルカリ土類金属の酸化物と、アルカリ金属の酸化物とから構成され、アルカリ土類金属の元素としてはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びバリウム（Ｂａ）の元素の内少なくともバリウムを含む１種以上の元素がなり、アルカリ金属の元素としてはナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の元素の内少なくとも１種以上の元素がなる。バナジウムの元素が五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）として含まれているとした場合に、五酸化バナジウムを４０〜７０重量％含む。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ機械強度の高い薄板状のカバーガラス及び前記カバーガラスを備えるディスプレイを提供する。
【解決手段】組成が、酸化物基準のモル％表示にて、ＳｉＯ₂：６０〜７５％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜１２％（ただし、ＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃の合計含有量が６８％以上）、Ｂ₂Ｏ₃：０〜１０％、Ｌｉ₂ＯおよびＮａ₂Ｏを合計で５〜２６％、Ｋ₂Ｏ：０〜８％（ただし、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏの合計含有量が２６％以下）、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＺｎＯを合計で０〜１８％、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂およびＨｆＯ₂を合計で０〜５％、を含み、さらに、Ｓｎ酸化物およびＣｅ酸化物を外割り合計含有量で０．１〜３．５質量％含み、（Ｓｎ酸化物の含有量／（Ｓｎ酸化物の含有量＋Ｃｅ酸化物の含有量））が０．０１〜０．９９であり、Ｓｂ酸化物の含有量が０〜０．１％であり、板厚が１．０ｍｍ以下のガラスを用いる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ部材や回路部材において、パターンに用いられる組成物で、塗布可能で、かつ低温で有機成分を熱分解でき、焼成後に高強度な材料を得ることができる焼成用組成物およびこれを用いた焼成物をより安全に提供する。
【解決手段】リオトロピック液晶と、低軟化点ガラスを含む塗布に適したレオロジー特性を有する組成物であり、リオトロピック液晶の熱分解温度が３００℃以下で、低軟化点ガラスの軟化点よりも４０℃以上低いものである。 （もっと読む）

【課題】高屈折率高分散性を有し、部分分散比が小さく、透過率が良好な光学ガラスの提
供。
【解決手段】酸化物換算組成のガラス全物質量に対して、モル％でＰ_２Ｏ_５成分を１０．０〜６０．０％、及びＮｂ_２Ｏ_５成分を５．０〜４５．０％、ＴｉＯ_２成分を０〜３０．０％、Ｂ_２Ｏ_３成分を１．０％以上１２．０％未満含有し、部分分散比（θｇ，Ｆ）がアッベ数（ν_ｄ）との間で、ν_ｄ≦２５の範囲において（−０．００１６×ν_ｄ＋０．６３４６０）≦（θｇ，Ｆ）≦（−０．００５６３×ν_ｄ＋０．７５８７３）の関係を満たし、ν_ｄ＞２５の範囲において（−０．００２５×ν_ｄ＋０．６５７１０）≦（θｇ，Ｆ）≦−０．００３４×ν_ｄ＋０．７０３００の関係を満たす光学ガラス。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）