【課題】結晶化後の熱処理工程、例えば真空排気工程で再流動することがなく、しかも結晶化後に熱膨張係数が不当に上昇しない結晶性ビスマス系ガラス組成物を得ること。
【解決手段】本発明の結晶性ビスマス系ガラス組成物は、ガラス組成として、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃およびＺｎＯを含む結晶性ビスマス系ガラス組成物であって、４５０〜５５０℃のいずれかの温度で３０分間焼成したときに、熱膨張係数が１００×１０^-7／℃以下の結晶が析出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リットガラスやフィラー粒子の沈降分離が抑制され、良好な封着を形成するガラスペーストを提供する。
【解決手段】ガラスペーストは、溶媒及び分散剤を含有するビヒクルと、ビヒクルに分散するフリットガラス及びフィラー粉末とを有し、フリットガラス及び前記フィラー粉末の各々について、式：Ｓ＝Ｄ²×ρ（但し、式中、Ｄは平均粒子径［μｍ］、ρは密度［ｇ／cm³］を示す）に従って計算される数値Ｓが３０００以下であるか、又は、前記フィラー粉末の密度が前記フリットガラスの密度より小さい。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有せず低温で軟化し、安定して良好な封着特性を発揮するガラスペースト及びこれを用いた封着方法を提供する。
【解決手段】 ガラスペースト組成物は、溶媒及び分散剤を含有するビヒクルと、ビヒクルに分散するフリットガラスとを有し、フリットガラスは、酸化バナジウムを主成分とし、ガラス転移温度が３００〜３８０℃であるガラスの粉末であり、平均粒子径が１０μｍ未満である。フリットガラスの結晶化温度より低い封着温度で被着体同士を封着する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドの融着接合強度と耐摩耗性とを充分に確保しながら、作業環境および廃棄処理に問題のない無鉛系のガラス組成物を用いた磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一対の磁性コアがギャップ材を介して、ガラス３４，３５により融着接合されてなる磁気ヘッド３１において、フロント側３６で摺動面に現れるガラス３４として、規定磨耗試験による磨耗面積が７．３×１０^−６ｍｍ^２以下の無鉛ガラスを用い、バック側３７のガラス３５として、フロント側３６のガラス３４よりもガラス転移点が１５〜２５℃低い無鉛ガラスを用いて、一対の磁性コアを接合する。 （もっと読む）

【課題】ガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子と、及び第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材を具備した発光装置であって、シーリング材はＶ^＋４イオンを含む発光装置、該発光装置を得るためのガラスフリット、シーリング材形成用の組成物、及び該シーリング材形成用の組成物を利用した発光装置の製造方法である。これにより、該発光装置のシーリング材は、塗布法及び電磁波照射によって簡単に形成でき、製造コストが安く、シーリング材の形成時に発光素子の劣化も実質的に防止され、また、シーリング材のシーリング特性にもすぐれ、高寿命性を有する発光装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、５００℃で一次焼成しても失透せず、しかも４５０〜５００℃の二次焼成で良好に流動するビスマス系封着材料を提供し、ＰＤＰ等の平面表示装置の製造効率向上に貢献することを技術的課題とする。
【解決手段】本発明のビスマス系ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算のモル％で、Ｂｉ₂Ｏ₃ ３０〜５０％、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜３５％、ＺｎＯ １０〜４０％、ＭｇＯ ０．１〜７％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０．１〜７％、ＳｉＯ₂ ０．１〜７％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】環境にやさしく、半導体電子部品が、常用で１０００℃以上の耐熱性を有する半導体封止用ガラスセラミックス及び半導体電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体封止用ガラスは、半導体とリード線の一部を被覆封止する半導体封止用ガラスであって、該ガラスが、封止することで結晶相を析出し、且つ、結晶相の割合が５０体積％以上となる性質を有する結晶性ガラス粉末からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、耐火性フィラー粉末の粒度および熱膨張係数等を改良し、封着材料の熱的安定性を向上させるとともに、封着材料の流動性を向上させることにより、スローリーク等が発生し難い平面表示装置を得ることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の封着材料は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、耐火性フィラー粉末の平均粒子径Ｄ₅₀が９〜２４μｍ、９０％粒子径Ｄ₉₀が３２〜９０μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プレス成形等に適した低温成形用ガラス及びそのような低温成形用ガラスを用いたガラス成形品の製造方法を提供する。
【解決手段】低温成形用ガラス及びそのような低温成形用ガラスを用いたガラス成形品の製造方法であって、ガラス原料として、Ｐ₂Ｏ₅と、ＢａＯと、ＺｎＯと、ＳＯ₃と、を含む低温成形用ガラスであって、全体量に対して、Ｐ₂Ｏ₅の添加量を４０〜６０重量％の範囲内の値とし、ＢａＯの添加量を１０〜４０重量％の範囲内の値とし、ＺｎＯの添加量を１〜４０重量％の範囲内の値とし、かつ、ＳＯ₃の添加量を０．１〜２０重量％の範囲内の値としたガラス組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、平面表示装置の支持枠の形成に好適なガラス組成物を提案し、平面表示装置の信頼性向上およびコストの低廉化に資することである。
【解決手段】本発明の支持枠形成用ガラス組成物は、下記酸化物換算の質量％表示で、ガラス組成として、Ｂｉ₂Ｏ₃ ２０〜７５％、Ｂ₂Ｏ₃ ８〜３５％、ＺｎＯ ０〜２０％、ＳｉＯ₂ ０〜１５％、Ｒ₂Ｏ ０〜２０％（但し、Ｒ₂Ｏは、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏを指す）、Ｌｉ₂Ｏ ０〜１０％、Ｎａ₂Ｏ ０〜１０％、Ｋ₂Ｏ ０〜１０％、Ｒ’Ｏ ０〜４０％（但し、Ｒ’Ｏは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを指す）、ＳｒＯ ０〜２５％、ＢａＯ ０〜２５％を含有し、且つ実質的にＰｂＯを含有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

本明細書において、タングステンドーピングされたスズ‐フルオロリン酸塩ガラスが記載されており、当該ガラスは、良好な耐湿性、耐熱性を示し、電子コンポーネントのカプセル化の様な低温シーリング用途に適した低いガラス転移温度を有する。１つの実施例において、これらのガラスは、重量％元素ベースで、５５‐７５％のＳｎ、４‐１４のＰ、６−２４％のＯ、４−２２％のＦ及び０．１５‐１５％のＷを含む。 （もっと読む）

【課題】低温焼成可能で、かつ厚膜であっても放射線に対する感度が良好な感光性ペーストおよび転写フィルムを提供すること。
【解決手段】（Ａ）ガラス粉体、（Ｂ）結着樹脂、（Ｃ）多官能性（メタ）アクリレート、並びに（Ｄ）光重合開始剤を含有し、前記ガラス粉体の平均粒子径および最大粒子径、比表面積が以下の範囲にあることを特徴とする。比表面積≦２．０ｍ^２／ｇ、２．０μｍ≦平均粒子径≦４．０μｍ、最大粒子径≦１５μｍ （もっと読む）

【課題】 発光素子が実装されている基板上の複雑な三次元形状に対応したガラス封止部を、周辺の部材へ与えるダメージが少ない状態で、簡易に量産性良く形成する。
【解決手段】基板１１上に実装された発光素子１２がガラスにより封止された発光装置の製造方法であって、基板上に実装された発光素子の周辺部に、粉体ガラスを主成分とする湿潤状態の封止材料を供給し、粉体ガラスのガラス軟化点以上となるように加熱し、プレス成形を行って粉体ガラスを融着させて発光素子を封止させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い低融点の無鉛ガラス組成物、及びこの無鉛ガラス組成物を用いた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】酸化物基準の質量％表示でＢｉ_２Ｏ_３：５６〜６８％、Ｂ_２Ｏ_３：４〜９％、ＺｎＯ：４〜６％、ＳｉＯ_２：１３％を超え２１％以下、Ｎａ_２Ｏ：１〜７％、Ｓｂ_２Ｏ_３：０〜２％、Ｆｅ_２Ｏ_３：２〜７％、ＺｒＯ_２：０〜１％からなることを特徴とする無鉛ガラス組成物。酸化物基準の質量％表示でＢｉ_２Ｏ_３：６０〜６８％、Ｂ_２Ｏ_３：４〜８％、ＺｎＯ：５〜６％、ＳｉＯ_２：１３％を超え１７％以下、Ｎａ_２Ｏ：１〜５％、Ｓｂ_２Ｏ_３：１〜２％、Ｆｅ_２Ｏ_３：２〜７％、ＺｒＯ_２：０〜１％からなることを特徴とする無鉛ガラス組成物。これらの無鉛ガラス組成物を用いて磁気ヘッドを構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の有機接着剤により形成されたシールよりも寿命の長いフリットシールを形成する。
【解決手段】基礎成分と少なくとも１種類の吸収成分とを含むガラス部分を有してなるフリット組成物であって、基礎成分が、約５から約７５モル％のＳｉＯ₂、約１０から約４０モル％のＢ₂Ｏ₃、および０から約２０モル％のＡｌ₂Ｏ₃を含み、少なくとも１種類の吸収成分が、（ａ）０より多く約２５モル％までのＣｕＯ、および／または（ｂ）０より多く約７モル％までのＦｅ₂Ｏ₃、０より多く約１０モル％までのＶ₂Ｏ₅、および０から約５モル％のＴｉＯ₂を含むフリット組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】錫リン酸系ガラスの耐水性を改善すると同時に、低酸素雰囲気、特に減圧雰囲気で良好に封着できるとともに、４９０℃以下の低温で封着可能であり、且つ熱的安定性の良好な封着用ガラス組成物および封着材料を提供する。
【解決手段】封着用ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算のモル％表示で、ＳｎＯ ３０〜８０％、Ｐ₂Ｏ₅ １０〜２５％（但し、２５％は含まない）、Ｂ₂Ｏ₃ ０〜２０％、ＺｎＯ ０〜２０％、ＳｉＯ₂ ０〜１０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜１０％、ＷＯ₃ ０〜２０％、Ｒ₂Ｏ（ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓを指す） ０〜２０％含有し、且つ低酸素雰囲気、特に減圧雰囲気における封着に用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰなどのフラットディスプレイパネルの誘電体層あるいは隔壁の形成に用いられるビスマス系無鉛粉末ガラスとして、高歪点ガラスなどが用いられたガラス板上で焼成可能でありながら、しかも、焼成時に気泡が形成されることを抑制し得るビスマス系無鉛粉末ガラスを提供することを課題としている。
【解決手段】酸化物換算の質量％でＢｉ₂Ｏ₃：３０〜７５％、ＳｉＯ₂：１〜１５％、Ｂ₂Ｏ₃：５〜２０％、ＺｒＯ₂：２〜８％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜５％、ＺｎＯ：０〜３０％、ＴｉＯ₂：０〜５％、および、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの１種類以上が合計で０〜１５％含有されているビスマス系無鉛ガラスが用いられており、しかも、体積基準の累積粒度分布曲線の５０％値が２．０μｍ未満となる粉末状に形成されていることを特徴とするビスマス系無鉛粉末ガラスを提供する。 （もっと読む）

【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ１ｍｍ、波長５８８ｎｍにおける内部透過率が８０％以上であり、且つ、４００℃以下の軟化点を有するＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は実質的に鉛成分を含まない酸化ビスマスを主成分とするガラスで各種部材の接合、封着に使用することができる還元されにくい無鉛組成物を提供することを目的としている。
【解決手段】質量％でＢｉ₂Ｏ₃を４０〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃を５〜３０％、ＣｅＯ₂を０．１〜１０％、ＳｉＯ₂を０〜２０％、ＲＯを０〜５５％、Ｒ₂Ｏを０〜１０％、Ｒ₂Ｏ₃を０〜２０％、ＲＯ₂を０〜３０％含有するガラス粉末８０〜９９．７質量％と、酸化剤０．３〜２０質量％とを混合してなる組成物。ただしＲＯとはＺｎＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＦｅＯ、ＭｎＯ、ＣｒＯ、ＣｕＯから選ばれる少なくとも一種、Ｒ₂ＯとはＬｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、Ｃｕ₂Ｏから選ばれる少なくとも一種、Ｒ₂Ｏ₃とはＡｌ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃から選ばれる少なくとも一種、ＲＯ₂とは、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｎＯ₂から選ばれる少なくとも一種である。
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【課題】鉛を含有せず、また脱ガス処理時及び真空封着処理時等の焼成時において結晶析出が少なく、５５０℃以下の低温で良好に且つ歩留まりよく、確実に封着を行うことができる金属製真空二重容器の封着用無鉛ガラス組成物の提供を課題とする。
【解決手段】金属製真空二重容器の排気口を真空封着するのに用いられる無鉛ガラス組成物であって、酸化物換算で、Ｂｉ_２Ｏ_３：７５．０〜８３．０重量％、Ｂ_２Ｏ_３：５．０〜１０．０重量％、ＺｎＯ：５．０〜１０．０重量％、ＢａＯ：２．０〜５．０重量％、ＣｕＯ：０．５〜２．０重量％（但し２．０重量％を含まず）、ＣｏＯ：０．０５〜２．０重量％を含有し、ＰｂＯとＳｉＯ_２とを有効成分として含有しない金属製真空二重容器の封着用無鉛ガラス組成物である。 （もっと読む）