本発明はPV太陽電池用の珪素（シリコン）ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と０.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99％の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
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【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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本発明は、使用済みの材料および／または微粉と、各種ケイ酸アルミニウムから選択された結合剤とを混合し、回転型ブリケット装置などのプレスにより圧縮して固形凝集物を調整することからなるオルガノハロシランの製造によって生じる、粉末状使用済み材料および／または粉末微粉の凝集および不動態化するための方法である。本発明はまた、このようにして得られた凝集物、ならびにケイ素および銅など特定の金属の回収におけるその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池グレード（ＳＧ）のケイ素を生産するための、冶金グレード（ＭＧ）のケイ素から不純物、特にリンを除去する方法に関する。特に本発明によれば、従来法によって一般的に実施されている溶融状態よりはむしろ固体状態で、冶金グレードのケイ素を処理する。冶金グレードのケイ素は、反応を通じて固体状態を維持する。 （もっと読む）

本発明は、揮発化合物を熱分解し、次に形成された粒子を析出するための装置に関し、この場合この装置は、少なくとも次の特徴、圧力容器（１）、少なくとも１個の反応管（２）、この場合この反応管の開放端部（２ｃ）は、圧力容器中に延び、前記開放端部の他の端部は、圧力容器の外側に位置し、ガス供給管（３）を備えており、反応管の長手方向の軸線は、重力方向に配向され、圧力容器の長手方向の軸線（１ｄ）と平行に配向されており、反応管は、ガス入口側（２ａ）で加熱されることができ、ガス出口側（２ｂ）で冷却されることができること、圧力容器（１）、この場合この圧力容器の下部に捕集円錐部（１ａ）を備え、反応管（２ｃ）の開放端部は、捕集円錐部（１ｂ）のガス空間内に延びていること、捕集円錐部（１ａ）は、粒子（Ｐ）のための出口型締部（６）に接続されていること、およびガス出口単位装置（７）、この場合このガス出口単位装置は、ガス案内部材（７ａ）を備えており、前記ガス出口単位装置のガス入口部（７ｂ）は、捕集円錐部（１ａ）のガス空間（１ｂ）、フィルター系（８）および圧力容器の外側に位置しているガス出口（９）と通じていることを含む。
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５０ｍ^２／ｇより大きいＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ物質および不活性ガスを反応器へを連続的に供給し、かつここで成分を混合し、その際、シランの割合は、シラン、ドープ物質および不活性ガスの全ての合計に対して０．１〜９０質量％であり、該混合物をエネルギーの入力により反応させ、その際、１０〜１１００ミリバールの圧力でマイクロ波領域の電磁線を用いてエネルギーを入力することによりプラズマを発生させ、反応混合物を冷却させ、かつ反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離することにより製造される。該粉末は電子部品の製造のために使用することができる。 （もっと読む）

２０〜１５０ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料、不活性ガスおよび水素をホットウォール反応器中で加熱し、該反応混合物を冷却するか、または反応混合物を冷却させ、かつ生成物を粉末の形で気体状の物質から分離することにより製造され、その際、シランの割合は、シラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、かつその際、水素の割合は、水素、シラン、不活性ガスおよびドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲である。該粉末は電子部品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

シリコン基板上で単体の水素を貯蔵し回収するシステム。水素貯蔵部材が少なくとも１つの表面を有し、単体の水素がその表面に容易に結合し、またはその表面に単体の水素が容易に吸着され、その表面から単体の水素の脱離を制御することができる。シリコンは、単結晶または多結晶であることができ、薄く切られたウェハとして、非常に精密に押し出されたコラムとして形成することができ、または集積回路の製造における廃棄物から誘導することができる。シリコンの表面は、多孔率および表面積を増加させ、したがって、単体の水素に対する貯蔵効率を増加させる様々な様式で処理することができる。このシステムは、電力を発生させる燃料電池システムに燃料を供給し、それとともに独立型の補助動力源を形成する制御システムと協働するために有用である。
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本発明は、プラズマ処理と、プラズマ処理済み粉末に対する超音波処理と、を組み合わせたような、粉末の球状化焼鈍や高密度化や精製のためのプロセスに関するものである。超音波処理により、プラズマによって溶融して部分的に蒸発した粉末から、『煤塵』とも称されるような、ナノサイズの凝結粉末を分離することができる。また、このプロセスを使用することにより、ナノ粉末を合成することができる。この場合、供給材料を部分的に蒸発させ、その後に、蒸気クラウドの迅速な凝縮を行い、これにより、ナノ粉末からなる微細エアロゾルを生じさせる。後者の場合、超音波処理ステップは、部分的に蒸発した材料から、形成されたナノ粉末を分離するように作用する。
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反応容器の構成部材に過剰な温度負荷をかけることなく、生成したシリコンをスムーズに落下回収し、また、工業的に大規模な製造設備にスケールアップしてもシリコン析出用原料ガスを効率よく反応させ、かつシリコン微粉やシラン類オリゴマー成分の発生も抑制し、長期間にわたって工業的にシリコンの製造が可能な反応容器を提供する。
上下方向に延在する壁により囲まれた空間を形成した管型反応容器であり、上部にシリコン析出用原料ガス流入口と、下端に析出シリコン排出口とを備え、前記管型反応容器の原料ガスと接触する壁面に流通抵抗増加部位が形成されていることを特徴とする管型反応容器。流通抵抗増加部位が、突起、凹部、または傾斜から選ばれる少なくとも１種である。 （もっと読む）

複数のナノ粒子を提供する。本ナノ粒子は、金属酸化物または半導体酸化物の表面領域と、金属または半導体のコア領域とを有してもよく、および／または、均一にドープされていてもよい。本ナノ粒子は、バルク材料を摩砕して粉末とし、その後、この粉末を溶液中でエッチングして所望のナノ粒子サイズとすることによって形成することができる。

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本発明は、水素を貯蔵するのに好適な物質を含む水素貯蔵器に関し、前記物質はナノ−構造化ケイ素から構成される。本発明は、この水素貯蔵器の製造方法及び使用方法にも関する。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

本発明は新規な超疎液性ナノ繊維、このようなナノ繊維を含む構造、該ナノ繊維表面の作製法及び使用法を提供する。 （もっと読む）

２つのシリコン部材と、シームを横切って部材を整合するように、部材が組立てられる結合組立体とを接合するための方法。シリコン粉末からのシリコンがシームを横切ってプラズマ溶射され、シームの各側面上のシリコン部材に結合するシリコン・コーティングを形成し、それにより部材を一緒に結合する。プラズマ溶射したシリコンは、下に位置するスピン・オン・グラスの結合を密封することができるか、又は一次結合としての働きをすることができ、この場合、貫通ホゾ穴は、ホゾ穴の対向端部上に２つのシリコン層がプラズマ溶射されるような貫通ホゾ穴であることが好ましい。シリコン・ウェハ・タワー又はボートは最終製品であってもよい。この方法は円形に配置されているセグメント又はステーブから、リング又はチューブを形成するために使用することができる。シリコンのプラズマ溶射は、シリコン部材に発生したクラック又は欠けを修理することができる。
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本発明は、珪素とHClガスとを、流動床反応器、攪拌床反応器または固定床反応器中で、２５０℃ないし１１００℃の範囲の温度及び０．５−３０気圧の絶対圧力の条件下で反応させることによってトリクロルシランを製造する際、反応器に供給される珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有することを特徴とするトリクロルシランの製造法に関する。本発明はまた、珪素とHClガスとの反応によるトリクロルシランの製造に使用するための珪素であって、該珪素が３０ないし１００００ppmの範囲のクロムを含有し、残部は通常の不純物以外は珪素であることを特徴とする前記目的に使用する珪素に関する。

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