【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にＩＣＰコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの１次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの２次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】化粧料に配合されたとき、持続して優れたソフトフォーカス性を付与することができる新規な非晶質シリカ及びその製造法を提供する。
【解決手段】Ｘ線小角散乱法で測定した一次粒子径が１８乃至５０ｎｍであり、電子顕微鏡で観察した個々の粒子の円形度が０．７０乃至０．８５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、反応炉から排出される排ガスを水素ガスに精製する際に、水素ガス中のメタン濃度を効果的に、且つ経済的に下げる。
【解決手段】 反応炉１から排出される排ガスＡを凝縮器２に通し、主に排ガスＡ中のクロロシラン類を凝縮除去する。その後、凝縮器２を通過した排ガスＢをコンプレッサ３で加圧して吸収塔４、吸着塔６に通し、精製水素ガスＤとして反応塔１に戻す。凝縮器２において増設等により容量を増大し、排ガス滞留時間を長くして、メタンガスの凝縮液への溶解を促進することにより、メタン濃度を３／４以下にする。精製水素ガスＤのメタン濃度が下がり、排ガスＡ中のメタン濃度が１５ｐｐｍ以上の場合も、精製水素ガスＤのメタン濃度を１ｐｐｍ未満にすることができる。 （もっと読む）

【課題】物理的衝撃に強い光導電層を製造する。
【解決手段】放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子（ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ中の少なくとも1種である）からなる光導電層の製造方法であって、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀粒子の圧粉体２′を成形し、この圧粉体２′に高分子物質５を含浸させ、含浸させた高分子物質を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドの取り出しを容易に行うことができ、生産性が高められた多結晶シリコンの製法を提供する。
【解決手段】少なくとも一対の電極が取り付けられた底壁基板上に立設されたベルジャー内に、両端が該電極に接続されて立設されたＵ字型シリコン芯材を配置し、該シリコン芯材に通電しながら少なくともシランガスを供給しての化学気相析出法によって該シリコン芯材にシリコンを析出させて多結晶シリコンロッドを形成させる多結晶シリコンの製法において、生成した多結晶シリコンロッドのベルジャー内からの取り出しに先立って、該多結晶シリコンロッドに接合している前記電極を冷却し、この後に、該多結晶シリコンロッドを付け根部近傍で破断し、該電極から切り離して取り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ９について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ９を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ９を誘導加熱し、カーボンヒータ９に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 （もっと読む）

７０ｇ／ｌ以下の修正タップ密度を有する、沈降シリカを含む断熱材料。 （もっと読む）

【課題】新規な貫通孔を有するマイクロリング状無機酸化物粒子を提供する。
【解決手段】平均外径（Ｄ_O）が１０ｎｍ〜２０μｍの範囲にあり、貫通孔の平均径（Ｄ_I）が１ｎｍ〜１２μｍの範囲にあり、リング幅（Ｗ_R）と平均外径（Ｄ_O）との比（Ｗ_R）／（Ｄ_O）が０．２〜０．４５の範囲にあることを特徴とするマイクロリング状無機酸化物粒子。平均粒子径が３〜１００ｎｍの無機酸化物ゾルを噴霧乾燥したのち、得られた粒子を、酸または塩基で処理することで、貫通孔を形成するマイクロリング状無機酸化物粒子の製造方法。シリカとシリカ以外の無機酸化物とからなる複合酸化物微粒子を使用し、シリカ以外の無機酸化物を酸にて除去したのち、酸または塩基で処理するか、水熱処理して貫通孔を形成するマイクロリング状無機酸化物粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】高い不純物除去効果を有する金属含有物除去方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属含有物除去方法は、シリコンを機械加工して得られかつシリコン粒子を含む廃スラリー又は前記廃スラリーから分離したシリコン回収固形分を酸性の第１洗浄液で洗浄する第１洗浄工程と、前記シリコン粒子を含む第１洗浄液を塩基で処理する中和処理工程と、前記塩基で処理した第１洗浄液から分離した前記シリコン粒子を含む固形分又はスラリーを酸性の第２洗浄液で洗浄する第２洗浄工程とを備え、前記機械加工から生じかつ第１洗浄工程で除去できなかった金属含有物を第２洗浄工程で効率的に除去することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの赤外線の透過率を更に上げるともに加工性も飛躍的に向上させて、レンズや窓材として有用な光学部材として好適な材料の提供を目的とする。
【解決手段】 モノシランやトリクロロシランを原料として化学蒸着法で合成されたアズグロウンの多結晶シリコンを、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下で、且つ、非金属酸化物製の容器或いはその内壁面を非金属酸化物系物質で覆った容器を用いて溶融させた後冷却して凝固させた多結晶シリコン凝固体からなることを特徴とする、主として赤外線用に使用される光学部材。 （もっと読む）

【課題】 エポキシ樹脂等と混練した場合に高い流動性を与えるＢＥＴ比表面積２０〜５５ｍ^２／ｇの親水性乾式シリカが、長期間保存しておくとその特性を失ってしまう。
【解決手段】 ＢＥＴ比表面積２０〜５５ｍ^２／ｇの親水性乾式シリカとして、
ｗ ≦ ０．０１×Ｓ ・・・（１）
（上記式中、ｗは１３０℃での乾燥減量法により測定される親水性乾式シリカの水分量（ｗｔ％）であり、Ｓは親水性乾式シリカのＢＥＴ比表面積（ｍ^２／ｇ）である。）を満足するように製造されたものを長期間保存するにあたり、保存期間中は常に上記式（１）を満足する状態を維持する。水分の吸着による凝集、及び一旦吸着した水分が蒸発する際の凝集が起きないため、長期にわたって保存しても高い流動性を与えるという初期の物性を維持する。 （もっと読む）

【課題】シリコンの生産性を向上させることができるとともに、シリコンの製造コストを低減できるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも一種からなる金属粉末Ｍ_ｐ１を、プラズマＰ中で加熱する加熱工程と、プラズマ中で加熱した金属粉末Ｍ_ｐ２で、ハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得る還元工程と、を備えるシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】異物の量、特に着磁性異物の量を低減した球状金属酸化物粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粉末及び金属水酸化物粉末の少なくとも一方からなる原料粉末を火炎中に噴射して球状化し、それを捕集系で回収する工程を含む球状金属酸化物粉末の製造方法において、上記原料粉末中の粒径４５μｍ以上の異物を、異物除去装置を通過させることにより４５０個／５０ｇ以下に減ずる工程を含むことを特徴とする球状金属酸化物粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異なった密度を有する２種の非混和性溶融液の処理のための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、異なった密度を有する２種の非混和性溶融液の連続処理のための装置に関する。該装置は、実質的に竪型ハウジング（１）の内側に設けられた少なくとも１種の末端開口型の螺旋状反応管（３）、前記少なくとも１つの反応管の上端開口部への高密度液体の連続供給手段及び前記少なくとも１つの螺旋状反応管（３）の下端開口部への低密度液体の連続供給手段、前記螺旋状反応管（３）の下端開口部における高密度液体の連続除去手段及び前記螺旋状反応管（３）の上端開口部からの低密度液体の除去手段から成る。本発明はさらに、本発明の装置を用いた、異なった密度を有する２種の非混和性溶融液の連続処理方法に関する。 （もっと読む）

【課題】不純物や斑点を低減した良質の多結晶シリコンを得ることができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】酸を満たした状態の複数の酸槽２〜６に多結晶シリコンＳを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄装置であって、各酸槽２〜６の液温は、隣接する酸槽の後段位置の酸槽が前段位置の酸槽と同じかもしくは低く設定され、かつ、最も前段位置の酸槽２よりも最も後段位置の酸槽６の方が低温に設定され、各酸槽２〜６に、その液温を一定に維持する温調手段１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 最頻細孔直径が大きく、制御された細孔特性を有し、不要な金属不純物の含有量が少なく、且つ耐熱性や耐水性等にも優れたシリカを提供する。
【解決手段】 以下の特性を備えるようにする。
（ａ）細孔容積が０．６ｍｌ／ｇ以上、１．６ｍｌ／ｇ以下
（ｂ）比表面積が５０〜６００ｍ²／ｇ
（ｃ）最頻細孔直径（Ｄ_max）が１５ｎｍ以上
（ｄ）固体Ｓｉ−ＮＭＲでのＱ⁴／Ｑ³値が３以上
（ｅ）非結晶質であること
（ｆ）金属不純物の含有量が１００ｐｐｍ以下 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】ナノオーダーの微細な粒径を有していながら、高い疎水性を示し、透明樹脂に対しての分散性が著しく高められた表面処理シリカ系粒子を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡で測定して平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲あるシリカ系粒子であって、個々の粒子が、疎水性シランカップリング剤により表面処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）