【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では薄箔素子の変形や断線が起こり、また、シリコンの変形や空気の混入などが起こっていた。圧力が収縮率の違う物に均一にかかっていた為である。
【解決手段】平面状にマス目を付け、マス目を潰して圧力を分散し収縮を少なくする。この構造により素子への圧力を弱め、シリコンの収縮を抑え空気を抜く事や変形や断線を抑える事が出来る。シリコンにて薄箔を圧着する製造方法を構成している。 （もっと読む）

【課題】溶融状態においてリアルタイムでの不純物濃度の検出を可能とするシリコン溶融装置および該装置を用いたシリコン精製装置、精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコン溶融装置は、溶融シリコンを保持する坩堝を備えた第１チャンバと、開閉可能な部材を介して第１チャンバと連結された第２チャンバと、第１チャンバ内部および第２チャンバ内部を移動可能な回転冷却体とを具備し、上記第２チャンバ内部に、回転冷却体の少なくとも一部を溶融シリコンに浸漬することにより形成された凝固シリコンに含まれる不純物濃度を検知する機構を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

溶融UMG-Siの方向性凝固を実施してシリコンインゴットを形成することによる、UMG-Si精製のためのプロセス管理方法を記載する。インゴットをブリックに分割し、各シリコンブリックの抵抗率プロファイルをマッピングする。方向性凝固の間にインゴット中に濃縮および捕捉される不純物を除去するためのトリミングラインが、抵抗率マップに基づいて算出される。次いで、濃縮された不純物が、各ブリックの算出されたトリミングラインに沿ってそのブリックをトリミングすることにより除去される。

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【課題】シリコン廃材等の不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを、簡単に、かつ、確実に製造することが可能なシリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴットの製造装置及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料から高純度のシリコンインゴットを製出するシリコンインゴットの製造方法であって、前記シリコン原料に、Ｓｉ元素と共晶反応する合金元素を添加して溶解し、共晶組成よりもＳｉ濃度が高くされたシリコン合金溶湯を生成するシリコン合金生成工程Ｓ１と、前記シリコン合金溶湯を一方向凝固させるとともに、凝固して得られたインゴットを連続的に引き出す凝固工程Ｓ２と、前記凝固工程によって消費されたＳｉ元素を補うように、前記シリコン合金溶湯にシリコン原料を追加供給するシリコン追加工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットを切断するときに、切断に伴う欠けを防止できるようにする。
【解決手段】シリコンインゴット５から製品として用いない部分を切り落とし部２４として切断し、製品として用いる製品ブロック２３を得る切断装置において、製品ブロック２３を保持する第１の保持手段１６と、切り落とし部２４を保持する第２の保持手段１７を備え、第１の保持手段１６で製品ブロック２３を保持すると共に第２の保持手段１７で切り落とし部２４を保持した状態でシリコンインゴット５を切断するバンドソー１２を備える。シリコンインゴット５を製品ブロック２３と切り落とし部２４に切断加工する際、第１，第２の保持手段１６，１７により製品ブロック２３と切り落とし部２４の両者を保持した状態で切断を行なうことができるから、製品ブロック２３から切り落とされる切り落とし部２４の自重により切断面近傍に欠けが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来のコロイダルシリカよりも製造が容易で、製造コストが低く、金属不純物による汚染が少なく、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、半導体デバイスウエハ、磁気ディスク基板、水晶基板等の電子材料の研磨加工に用いることのできる新規なコロイダルシリカを提供する。
【解決手段】珪酸アルカリ水溶液を原料としたコロイダルシリカのシリカ粒子をコアとし、その粒子表面をテトラアルコキシシランのアルカリ触媒を用いた加水分解によるシリカからなる厚さ１〜１０ｎｍのシェルで被覆したコア・シェル型シリカ粒子を含有することを特徴とするコロイダルシリカである。 （もっと読む）

高密度のシリカシェルを有するコアシェルシリカナノ粒子が提供される。ナノ粒子は、例えば、増強されたフォトルミネセンス及び安定性など、改良された特性を有する。また、前記ナノ粒子を製造するための方法もまた、提供される。
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【課題】作業性に優れ、高品質の製品を製造できる多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒２０に原料ガスを接触させることによりシリコン芯棒２０の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、シリコン芯棒２０の下端部が挿入される保持孔３４ａが形成された導電材からなる芯棒保持部３４を備え、シリコン芯棒２０が断面多角形状に形成されているとともに、芯棒保持部３４において、保持孔３４ａは前記上下方向に交差する断面がシリコン芯棒２０に対応する多角形であり、芯棒保持部３４の外面から連通するねじ穴３４ｂが形成されており、このねじ穴３４ｂに、シリコン芯棒２０の側面を保持孔３４ａの内面に押圧する固定ねじ３６が螺合されている。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された後に反応装置外に取り出された多結晶シリコンから、高純度の多結晶シリコンインゴットを製造する方法を提供すること。
【解決手段】水蒸気を含有するアルゴンガスを雰囲気に供給しながら、１０^−１Ｐａ以下の圧力下、１４１０〜１６００℃で、亜鉛還元法により製造された多結晶シリコンを溶融させ、溶融シリコンを得る溶融工程と、該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光触媒作用を効率よく発揮できるとともに、非処理物（水、空気等）の浄化を高度に達成することができる高純度シリカ・光触媒複合体を提供する
【解決手段】（Ａ）珪質頁岩の粉状物とアルカリ水溶液を混合して、ｐＨが１１．５以上のアルカリ性スラリーとし、上記珪質頁岩の粉状物中のＳｉ、Ａｌ、Ｆｅを液分中に溶解させた後、該アルカリ性スラリーを固液分離してＳｉ、Ａｌ、Ｆｅを含む液分を得るアルカリ溶解工程と、（Ｂ）工程（Ａ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを１０．３以上１１．５未満とし、液分中のＡｌ、Ｆｅを析出させた後、固液分離を行い、Ｓｉを含む液分を得るＳｉ液分分離工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを９．０以上１０．３未満とし、液分中のＳｉを析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ₂を含む固形分を得るシリカ分離工程を経て得られる高純度シリカに、光触媒である酸化チタンを担持させてなる高純度シリカ・光触媒複合体。 （もっと読む）

【課題】作業性に優れ、高品質の製品を製造できる多結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒２０に原料ガスを接触させることによりシリコン芯棒２０の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、シリコン芯棒２０の下端部が挿入される保持孔３４ａが形成された導電材からなる芯棒保持部３４を備え、この芯棒保持部３４において、保持孔３４ａは水平方向に沿う断面が複数の角部を有する形状であり、２つ以上の前記角部に、芯棒保持部３４の外面から連通するねじ穴３４ｂが形成されており、これらのねじ穴３４ｂの少なくともいずれかに、シリコン芯棒２０を固定する固定ねじ３６が螺合される。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンの溶融時間を短縮することができる多結晶シリコンの溶融方法を提供すること。
【解決手段】溶融容器に、亜鉛還元法により製造された樹枝状、針状又は板状の多結晶シリコンと、シリコンインゴットを砕いて得た塊状シリコンと、を充填し、次いで、充填物を１４１０〜１６００℃で加熱して、該充填物を溶融させることを特徴とする多結晶シリコンの溶融方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンの精製効率を大幅に向上することによって、シリコンの精製を低コストで行なうことが可能なシリコンの精製装置およびシリコン精製方法を提供する。
【解決手段】内部圧力を低減可能な減圧容器と、耐熱性容器と、耐熱性容器を加熱するための加熱装置とを含む処理室を複数具備し、複数の処理室が、減圧状態で溶融シリコンからリンを除去する脱リン処理装置、または偏析により溶融シリコンから金属を除去する脱メタル処理装置に選択的に切替可能に設置されているシリコン精製装置とその装置を用いたシリコン精製方法である。 （もっと読む）

【課題】疎水化度が高く、且つ、吸湿性が格段に低減されている疎水性シリカ粒子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の疎水性シリカ粒子の製造方法は、シリカを基材とする疎水性シリカ粒子の製造方法であって、該シリカが孤立シラノール基含有量が０．０１〜０．３ｍｍｏｌ／ｍ^２であり、且つ、比表面積値Ｓｓが、下記式（１）で示される理論表面積Ｓｓ_０に対する比表面積比（Ｓｓ／Ｓｓ_０）が２以下を満足するものであり、該シリカにオルガノシリル化剤を反応させることを特徴とする。該シリカはアルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られたシリカ粒子を６５０〜１１８０℃で焼成することによって、孤立シラノール基含有量並びに比表面積を所定範囲に制御されたシリカを製造する工程と、該シリカにオルガノシリル基を導入する工程とを有する製造方法により製造することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】四塩化珪素の加水分解によって高純度合成シリカ粒子を生成する方法において、加水分解によって生成するゲルから効率よく塩酸を除去して高純度シリカ粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素の加水分解によって生成したシリカと塩酸を含むゲル状物質から高純度のシリカ粒子を製造する方法において、水相溶性を有する易揮発性の有機溶媒によってゲル中の塩酸を置換させた後に該ゲルを乾燥することを特徴とする高純度シリカ粒子の製造方法、好ましくは、有機溶媒としてメタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトンのいずれかあるいは１種以上の混合物を使用し、７０〜１５０℃で乾燥を行う製造方法。 （もっと読む）

【課題】無機ナノ粒子の分散性を改善し、また高分子膜の気体透過特性を改善する。
【解決手段】ナノオーダーの粒子径を有するシリカナノ粒子のような無機ナノ粒子の表面に、ハイパーブランチ高分子またはデンドリマー高分子を付加することにより得られた表面ハイパーブランチまたはデンドリマー修飾無機ナノ粒子をマトリクス樹脂中に分散し、製膜することにより気体分離膜を作製する。表面ハイパーブランチ修飾シリカナノ粒子は、例えば、シリカナノ粒子をアミノ基含有トリアルコキシシランで処理し、次いでこの粒子を１個のカルボキシル基および２個以上のアミノ基またはハロゲン原子を有する化合物と反応させることにより作製することができ、表面デンドリマー修飾シリカナノ粒子は、例えば、シリカナノ粒子をアミノ基含有トリアルコキシシランで処理し、次いでこの粒子を３個以上のカルボキシル基を有する化合物で処理、反応させた後、２個のアミノ基を有する化合物で処理、反応させ、これを繰り返すことにより作製することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率及び／又は誘電正接が低く、異方性が高い板状シリカ粒子の製造方法、及び該板状シリカ粒子を提供する。
【解決手段】（１）ナノ細孔が実質的に存在しない中空状シリカ粒子を粉砕する工程を含む、比誘電率が３．５以下及び／又は誘電正接が０．０１以下である板状シリカ粒子の製造方法、及び（２）その製造方法により得られた、比誘電率が３．５以下及び／又は誘電正接が０．０１以下である板状シリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】特純石英鉱石を原料として選択するステップと、前記石英鉱石を洗浄し粉砕するステップと、光学分析装置で粒度が２０ｍｍ〜８０ｍｍの石英鉱石を正確に選択するステップと、石英鉱石を浄化するステップと、石英鉱石を溶鉱炉に入れ、高温で石英鉱石を溶融するステップと、溶融した石英鉱石と純炭素還元剤とに炭素熱還元法および反応純化を行い、液体シリコンを得るステップと、前記溶鉱炉のバルブを介して前記液体シリコンを収容タンクに流し込むステップと、前記収容タンクにおいて、エアブロー除湿法およびスラグ処理法を行い、液体シリコンの不純物を除去するステップと、液体シリコンを結晶成長炉の鋳造品領域に注入するステップと、前記鋳造品領域において方向性凝固法で液体シリコンを固化し、固体シリコン材料を得るステップとを含む。 （もっと読む）