【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を含有する組成物を、前記組成物を少なくとも１種の有機アミノ官能化ポリマー吸着剤と接触させ、かつ異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量が低下されている組成物を取得することにより、処理する方法、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含量の減少のための吸着剤の使用に関する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、溶融状態のシリコン中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、又は不純物を含むシリコンとフラックスとをそれぞれが溶融するよう加熱溶融し、溶融状体のシリコンとフラックスとを接触させた後、このシリコン及びフラックスを含む融液中にＳｉＦ₄を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、シリコン中の不純物、特にＢ、さらにＡｌ、Ｔｉをも１つの工程で同時に低減することができる。さらに不純物精製操作前後におけるシリコンの減少量が極めて小さく、高い収率を維持できる。また、一般的な大気開放炉を使用するため、高真空雰囲気も必要とせず、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ、Ａｌ、Ｔｉ等の不純物が低減されたシリコンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】所定の粒度分布まで粉砕された、金属シリコンから出発する多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンと無水フッ化水素(ＨＦ)とを反応させて、四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を得ること、および四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を有機溶媒または溶融塩の流体媒体におけるアルカリ金属水素化物またはアルカリ土類金属水素化物で水素添加する反応によってモノシラン(ＳｉＨ４)の合成を作動させることを含む。次に、前記モノシラン(ＳｉＨ４)の沸騰疑似流動床反応器において熱分解を行って、高純度粒状多結晶シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

本発明は、四フッ化ケイ素原料ガスを１つ以上の精製工程にさらすことにより、四フッ化ケイ素原料ガスを精製する方法であって、精製工程が、四フッ化ケイ素原料ガスをイオン交換樹脂に接触させて酸性の汚染物質を除去する工程と、吸収液体を用いた二酸化炭素の除去と低温蒸留による不活性化合物の除去とにより、四フッ化ケイ素原料ガスを触媒に接触させて一酸化炭素を除去する工程と、を含む精製方法と、四フッ化ケイ素原料ガスから一酸化炭素を除去するのに適した触媒と、そのような触媒を製造する方法とに関する。
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本発明は、冶金学および／または化学に関し、特に、気体状四フッ化ケイ素、および気体状四フッ化ケイ素から多結晶シリコンを製造するための方法および設備に関する。ケイフッ化水素酸溶液から四フッ化ケイ素を製造する方法は、酸抽出物の発生、抽出物洗浄、抽出物乾燥および抽出物分解、および分離されていない気体状四フッ化ケイ素およびフッ化水素流を二酸化ケイ素を通してバブリングすることを含む。シリコン製造方法は、気体状四フッ化ケイ素をマグネシウム蒸気と相互作用させ、続いて最終製品を分離することを含む。本発明により、高純度のシリコンを製造すること、最終製品の収率を増加させること、製造の環境保全性を改良すること、シリコンの製造方法を簡素化すること、および最終製品の素原価を下げることができる。
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【課題】自動蔓延燃焼サイクロン型反応装置の提供。
【解決手段】自動蔓延燃焼サイクロン型反応装置であり、反応装置の切断面にある若干の切り口に最低一つの還元剤注入口と若干の酸化物注入口を設け、反応装置内において還元剤と酸化物などの反応物に不活性ガスを加えるサイクロン方式で、それぞれに還元剤注入口と酸化物注入口に導入する。これにより、還元剤、酸化物が反応装置内において自動的に蔓延燃焼して合成物を反応するようにさせる。それから、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）などの高純度の金属や半導体材料が得られる。これは高純度の金属や半導体材料を連続的に生産できる反応装置である。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲン化ポリシラン及びポリゲルマンのプラズマ支援合成のための装置及び方法の開発という目的に基づくものであり、少なくとも一つの反応参与体が、ガス状形態で存在し、プラズマゾーンからの反応粒子により励起され、引き続いて、蒸気またはガス状形態で反応室に存在する少なくともひとつの更なる反応参与体が反応する。ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄、ＧｅＣｌ₄、ＧｅＦ₄のグループのハロゲンシランまたはゲルマンの、Ｈ₂との反応が可能である。
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【課題】 同位体交換反応法に於いてより簡便で安定した系を採用することにより、シリコンの同位体濃縮を低コストで大量に行うことが可能な同位体濃縮方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る同位体濃縮方法は、Ｈ_２Ｏ−Ｈ_２ＳｉＦ_６・ｎＳｉＦ_４（式中、ｎ≧０である。）の２成分を少なくとも含む水溶液と、前記ＳｉＦ_４を含む気体との間での同位体交換により、前記Ｓｉの安定同位体を濃縮することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 珪素含有原料化合物の高い転化率、低いエネルギー要求量及び安価な原料化合物を使用することを特徴とする、高純度の珪素を製造する方法の提供。
【解決手段】 この課題は、ハロゲン化シランから珪素を製造する方法において、第一段階でハロゲン化シランをプラズマ放電の発生下にハロゲン化ポリシランに転化し、これを次いで第二段階で加熱下に珪素に分解することを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

ガラスは、プリフォームの縦方向に対してほぼ平行に前後に動くプラズマトーチの前方で動かしてプリフォームに予備焼結組成物を堆積させることにより製造され、第１の供給ダクトはプラズマに予備焼結組成物の粒を供給し、場合により第２の供給ダクトはプラズマにキャリアガスと混合されたフッ素化合物又は塩素化合物、有利にフッ素化合物を供給し、その際、前記の予備焼結組成物は、３０〜９０ｍ²／ｇのＢＥＴ表面積、８０以下のＤＢＰインデックス、２５０００ｎｍ²より低いアグリゲート平均面積、１０００ｎｍより低いアグリゲート平均周長を有し、その際、前記アグリゲートの少なくとも７０％は１３００ｎｍより低い周長を有する熱分解二酸化ケイ素粉末、又は火炎加水分解法により３０ｐｐｂよりも低い金属含有量を有する四塩化ケイ素の反応により製造された０．２μｇ／ｇよりも低い金属含有量を有する熱分解法により製造された高純度の二酸化ケイ素の金属酸化物又はメタロイド酸化物の顆粒からなる。 （もっと読む）

本発明は少なくとも一種のシラン化合物及びコロイドシリカ粒子を混合することを含む、少なくとも約20重量％のシリカ含量を有する安定な実質的に水性のシラン処理コロイドシリカ分散液の製造方法であって、シラン対シリカの重量比が約0.003から約0.2までであることを特徴とする上記分散液の製造方法に関する。また、本発明はその方法により得られる分散液、及び少なくとも約20重量％のシリカ含量を有する安定な実質的に水性のシラン処理コロイドシリカ分散液であって、シラン対シリカの重量比が約0.003から約0.2までであることを特徴とする上記分散液に関する。更に、本発明は被覆適用のための、また添加剤としての分散液の使用に関する。 （もっと読む）