【課題】染料に基づくインクで印刷された記録用シートの改善された像の品質（カラー・スペースの大きさ、ガモット）、改善された水堅牢度および改善された拡散堅牢度を有するナノ多孔性記録用シート、並びに顔料に基づくインクにより印刷された記録用シートの、異なる色および濃度を有する像の異なる部分間の光沢の差が少ないナノ多孔性記録用シートの提供。
【解決手段】二酸化珪素の表面が、３価のアルミニウムの化合物と少なくとも１つのアミノオルガノシランとの反応生成物による処理によって改変された二酸化珪素の製造、並びにこの二酸化珪素の少なくとも１つおよび少なくとも１つの結合剤の分散物からなる少なくとも１つのインク受容層を支持体上にコーティングさせたインクジェット印刷のための記録用シート。 （もっと読む）

【課題】 新規なナノサイズの電子デバイスへの応用が可能なセレン化亜鉛膜で被覆された珪素ナノ粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 セレン化亜鉛粉末と一酸化ケイ素粉末の混合物４を坩堝５に入れて、この坩堝５を加熱装置１の反応管２内に設置する。不活性ガス６を流しながら、９００℃〜１１００℃に０．８時間〜１．５時間加熱して珪素ナノ粒子を生成した後に、さらに、不活性ガス６を流しながら、１０５０℃〜１１５０℃で１時間〜２時間加熱することにより、珪素ナノ粒子上にセレン化亜鉛膜を被覆する。これにより、全体の直径が１２０ｎｍ〜２００ｎｍで、そのうち、セレン化亜鉛膜の厚さが約３０ｎｍの、セレン化亜鉛膜で被覆された珪素ナノ粒子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 優れた熱電変換特性を有するクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子の提供。
【解決手段】 下記組成式（１）乃至（３）で表されるクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子。
Ｂａ₈Ｍ_xＳｉ_46-x （１≦ｘ≦６） （１）
（組成式（１）において、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。）
Ａ_yＢａ_8-yＭ_xＳｉ_46-x （１≦ｘ≦６、１≦ｙ＜８） （２）
（組成式（２）において、Ａは希土類元素を表し、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。）
Ａ_yＢａ_8-yＭ_zＧｅ_46-z （１≦ｙ＜８、１≦ｚ≦６） （３）
（組成式（３）において、Ａは希土類元素を表し、ＭはＣｕ、Ａｇ又はＡｕを表す。） （もっと読む）

珪素を含有するガス（２）を分離するための反応装置（１）には少なくとも一つの電気加熱可能な珪素の析出要素（１５）がコスト削減のために設けられ、その要素はその電気伝導率を改善するために少なくとも一つの不純物によるドーピングを有し、そのドーピングは、最終段階においてその上に析出された珪素を有する析出要素（１５）が、光起電力用多結晶珪素ブロック又は珪素単結晶製造用の珪素溶融物の製造に適するような濃度を初期段階において有する。本発明に係る反応装置（１）によって珪素を製造する方法、及び、その製造された珪素の光起電力分野における使用についても記載する。
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２０〜１５０ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ材料、不活性ガスおよび水素をホットウォール反応器中で加熱し、該反応混合物を冷却するか、または反応混合物を冷却させ、かつ生成物を粉末の形で気体状の物質から分離することにより製造され、その際、シランの割合は、シラン、ドープ材料、水素および不活性ガスの合計に対して０．１〜９０質量％であり、かつその際、水素の割合は、水素、シラン、不活性ガスおよびドープ材料の合計に対して１モル％〜９６モル％の範囲である。該粉末は電子部品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

５０ｍ^２／ｇより大きいＢＥＴ表面積を有する凝集した結晶質シリコン粉末。該粉末は、少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のシランおよび場合により少なくとも１の蒸気状もしくは気体状のドープ物質および不活性ガスを反応器へを連続的に供給し、かつここで成分を混合し、その際、シランの割合は、シラン、ドープ物質および不活性ガスの全ての合計に対して０．１〜９０質量％であり、該混合物をエネルギーの入力により反応させ、その際、１０〜１１００ミリバールの圧力でマイクロ波領域の電磁線を用いてエネルギーを入力することによりプラズマを発生させ、反応混合物を冷却させ、かつ反応生成物を気体状の物質から粉末の形で分離することにより製造される。該粉末は電子部品の製造のために使用することができる。 （もっと読む）

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）