【課題】シーメンス法などの従来の高純度多結晶シリコン製造方法が抱える技術的課題を克服して、高純度多結晶シリコンを、比較的安価に、連続的かつ大量に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高純度多結晶シリコンの製造方法は、上部に設置されたシリコン塩化物ガス供給ノズルと、還元剤ガス供給ノズルと、排気ガス抜き出しパイプとを有する縦型反応器を用いて、該反応器内にシリコン塩化物ガスと還元剤ガスとを供給し、シリコン塩化物ガスと還元剤ガスとの反応によりシリコン塩化物ガス供給ノズルの先端部に多結晶シリコンを生成させ、さらに多結晶シリコンを該シリコン塩化物ガス供給ノズルの先端部から下方に向かって成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は四塩化珪素の亜鉛還元によって高純度シリコンを得るシリコン製造装置であり、気相反応により生成した高純度シリコンを系内で溶解し、他の反応成分との分離操作を実質的に廃し、シリコンのみを分離取り出しが可能な装置を提供することを課題とした。
【解決手段】気相で四塩化珪素を亜鉛還元して、高純度シリコンを得るシリコン製造装置であって
１．亜鉛ガスを作る工程と
２．該亜鉛ガスを反応塔内に送り込む工程と
３．該反応塔内の亜鉛ガスの流れ中に四塩化珪素ガスを吹き込む工程と
４．反応塔内で亜鉛ガスと四塩化珪素が反応してシリコンを生成する工程と
５．該シリコンを含む反応ガスがシリコンの融点以上に保持されたシリコン溶解壁に衝突する工程と
６．液状シリコンが下方に有るシリコン保持槽に導かれる工程と
７．反応塔から出た残部反応ガスを冷却して該残部反応ガス中の亜鉛を液化し分離すると共に亜鉛ガス製造工程に戻す工程と
８．生成した塩化亜鉛を取り出す工程
とからなる高純度シリコン製造装置である。 （もっと読む）

【課題】金属イオンがケイ酸塩骨格中に十分に埋め込まれている金属イオンでドープされたシリカを提供する。
【解決手段】３００ｍ²／ｇを上回るＢＥＴ表面積を有しかつ０．０５ｍＭｏｌ／ｍ²の異種原子の最大表面濃度を有する異種原子でドープされた沈殿シリカ。異種原子は有機塩又は無機塩の形で沈殿時に添加する。硫酸の添加の時期又はケイ酸ナトリウムと硫酸との一緒の添加の終了頃（１５〜５分）に、異種原子もしくはその溶液を添加する。異種原子としては、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】高純度亜鉛ガス及び高純度四塩化珪素ガスを使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応装置において、製品の純度を保ち且つ反応効率並びにエネルギー効率を上げる。
【解決手段】反応管内に加熱した金属片、線又は棒もしくは発熱性セラミック片、線又は棒等を設けることにより、還元反応の促進を計り反応効率を向上させ、管外壁を保温することによりエネルギー効率を上げ、且つ、反応管内壁温度を９５０℃以下として管璧に薄膜化シリコンを析出させることにより管璧からの不純物の混入を防止する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用原料として、好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法、及び該製造方法で得られる高純度シリコンを提供する。
【解決手段】下式（１）で示される気体のクロロシランと、それを還元可能かつシリコンよりも融点の低い金属とを反応させることによってシリコンを製造する方法であって、該金属の融液中に温度差を付けて、高温部と低温部とを設け、該クロロシランを該高温部に導入し、還元反応を進行させ、還元生成したシリコンを該高温部から該低温部に拡散させ、該低温部で多結晶シリコンを析出させることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】珪素を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】工程(i)を含む珪素の製造方法。
式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元する工程(i)、
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
〔式中、ｎは０〜３の整数であり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも１つであり、Ｘが複数のとき、複数のＸは互いに同一でも異なってもよい。〕
前記金属は、融点が１３００℃以下であり、還元反応時に液相であり、かつその液相の形状は球状であり、その半径をｒ（μｍ）とし、反応時間をｔ（分）、反応温度をｘ（℃）としたとき、式（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たす。
ｌｎ（ｒ／√ｔ）≦（１０．５−７０００／（ｘ＋２７３）） （Ａ）
１≦ｒ≦２５０ （Ｂ）
４００≦ｘ≦１３００ （Ｃ） （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの収率の高い製造方法を提供する。
【解決手段】金属の塩化物の生成自由エネルギーがシリコンより低く、かつ金属の融点もシリコンより低い金属と、下式（１）で示される気体のクロロシランとを反応させることによってシリコンを製造する方法であって、気体のクロロシランを溶融金属中に吹き込む際に、該溶融金属の温度を、該金属の絶対温度で表した融点の１．０３倍以上１．７９倍未満であり、シリコンの融点未満に保持し、かつ毎分当りのクロロシランの供給モル数を金属のモル数に対して、１．０パーセント未満とすることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】太陽電池用原料として、好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法、及び該製造方法で得られる高純度シリコンを提供する。
【解決手段】〔１〕下式（１）で表されるハロゲン化珪素をアルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元剤として使用するアルミニウムの純度が９９．９重量％以上である高純度シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
（式中、ｎは、０〜３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。ここでアルミニウムの純度は、１００重量％から、アルミニウムに含まれる鉄と銅とガリウムとチタンとニッケルとナトリウムとマグネシウムと亜鉛の合計の重量％を差し引いたものである。） （もっと読む）

【課題】 軽量であって、室温付近で水素を吸蔵・放出することができる水素吸蔵合金およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水素吸蔵合金は、Ｃａ（Ｓｉ_1-n Ａｌ_n ）で表され、ｎの範囲が０＜ｎ＜０．４である。ｎの範囲は０．２５≦ｎ＜０．４であるのが好ましい。
また、本発明の水素吸蔵合金の製造方法は、ＣａＳｉ合金のＳｉ原子の少なくとも一部をＡｌ原子で置換した水素吸蔵合金の製造方法であって、Ｃａ、ＳｉおよびＡｌの原子比が１：（１−ｍ）：ｍ（０＜ｍ＜０．４）となるように調製した原料粉末を加圧して成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を加熱して原料粉末を溶融する加熱工程と、からなることを特徴とする。ｍの値を０．４未満とすることにより、水素を吸蔵・放出しない相の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスや光学デバイスとして有用であり、化学的に不活性な二酸化珪素膜で被覆された複合ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウム粉末と一酸化ケイ素粉末の混合物を、不活性ガス気流中で、１２００〜１６００℃の温度範囲において、０．３〜２時間加熱することにより、厚さ８ｎｍの二酸化珪素膜で被覆された長さ数十μｍ、直径約２００ｎｍのインジウムナノワイヤーの先端と長さ数μｍ、直径約２００ｎｍの珪素ナノワイヤーの先端同士が接合した複合ナノワイヤーを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、深みのある新規な色彩を有し、かつ、混合、攪拌しても破壊されることのない強度を有するシリカ粒体を提供する。
【解決手段】本発明のシリカ粒体は、少なくともアモルファス相を有し、かつ透明性を有する表層部、及び、少なくとも石英型結晶相を含む多結晶相を有し、かつ連通孔を有する内層部、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 残留炭化チタン（TiC）相の発生を抑制して均質化による特性の向上を図るとともに、簡便な真空加熱合成により、チタンシリコンカーバイド（Ti₃SiC₂）粉末及びその製造方法を得る。
【解決手段】 炭化チタン（TiC）の含有量が１ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド（Ti₃SiC₂）からなる金属性セラミック粉末並びにチタン（Ti）、シリコン（Si）、炭化チタン（TiC）の混合粉末を真空加熱することを特徴とする金属性セラミック粉末の製造法及びチタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、カーボン（C）の混合粉末を真空加熱することを特徴とする金属性セラミック粉末の製造法。 （もっと読む）

【課題】本発明は四塩化珪素の亜鉛還元によるシリコン生成に当たりその製造手間、エネルギー消費を増大させることなくより高純度化したシリコンを製造する製造方法並びに該目的のための製造装置を得る事を課題とした。
【解決手段】本発明は第一に四塩化珪素と亜鉛を高温気相中で反応させてシリコンを製造するに当たり、非酸化性雰囲気中で行い、シリコン結晶として析出した後該系内でシリコンの融点以上に加熱して融体化した後に、シリコン結晶又は融体で取り出す高純度シリコンの製造方法であり、第二に雰囲気ガスの循環機構と亜鉛ガスの供給機構、該亜鉛ガスの供給機構の下流側に四塩化珪素供給機構を有し、結晶成長部を経てガス分離機構と生成シリコン保持槽、並びに生成ガスの回収機構とを有し、該機構の各部分に温度制御機構を有する高純度シリコン製造装置である。 （もっと読む）

【課題】
高純度で極めて大きな表面積を有し、マイクロ電子デバイス用、あるいは高能率ソーラーセル用基板として使用するためのシリコン並びに該シリコンを多量にしかも最小の消費エネルギーで製造する製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
四塩化珪素と亜鉛の気相合成反応によって気相中で作成されたアスペクト比が100以上を有する針状結晶性シリコン並びにこのようなシリコンを得る為の製造方法で四塩化珪素と亜鉛から気相反応でシリコンを合成するに当たり、反応温度を1100℃から1300℃とし、亜鉛の沸点より高い温度でシリコンを析出させることを特徴とする、針状シリコン結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージなどに用いられる樹脂組成物に好適な球状シリカ粒子の提供。
【解決手段】周期表の１３族元素から選択される一種以上の添加元素を質量基準で１５０ｐｐｍ以上、１０％以下含有し、真球度が０．８以上であることを特徴とする。本発明の球状シリカ粒子は、従来、不純物として考えられていた１３族元素が発現する機能を効果的に利用しており、樹脂組成物に適用した場合に硬化剤を減少できるという効果のほかに、球状シリカ粒子を製造する際の１３族元素に対する不純物管理を低減できる点からも優れている。 （もっと読む）

【課題】 成膜試料がプラズマによるダメージを受けることなく、任意の基板に性状のよいクラスレート化合物からなる膜を簡便に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた防錆効果を発現する新規な防錆皮膜組成物およびそれを用いた防錆処理金属材料を提供する。
【解決手段】一般式：〔Ｍ^２＋_１−ｘＭ^３＋_ｘ（ＯＨ）_２〕〔Ｇ・ｙＨ_２Ｏ〕
（式中、Ｍ^２＋はＭｇ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｃｕ又はＣｏから選ばれた２価金属イオン、Ｍ^３＋はＡｌ，Ｆｅ，ＣｒまたはＩｎから選ばれた３価金属イオン、０．２≦ｘ≦０．３３，Ｇは炭素数５までの飽和脂肪族モノカルボン酸のＣａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｆｅ、ＣｒまたはＣｅ塩、ｙは０より大きい実数である。）で示される水中で剥離する層状複水酸化物を使用する防錆皮膜組成物である。 （もっと読む）

【課題】液体Ｚｎを用いたＳｉＣｌ₄の還元によるＳｉの製造方法の提供。
【解決手段】本発明は、例えば、結晶シリコン太陽電池の製造のための基本材料である高純度シリコンの製造に関する。気体ＳｉＣＵを液体Ｚｎと接触させることによってＳｉＣＵはＳｉ金属に転換され、それによりＳｉ−含有合金及びＺｎ−クロライドが得られ、そしてそれは分離される。その後、Ｓｉ−含有合金は、Ｚｎの沸点を超える温度で精製される。この方法は、反応物がＺｎのみであり、そしてそれは、非常に高純度な等級で得られ、かつ連続的に再利用され得るため、複雑な技術を必要とせず、かつ最終生成物のために高純度のＳｉＣＵを維持する。 （もっと読む）

【課題】負極活物質、その製造方法及びそれを採用した負極とリチウム電池を提供する。
【解決手段】金属コア、及び金属コアの表面上に形成されたコーティング層を備え、コーティング層が伝導性の金属物質を含む負極活物質である。これにより、金属コアを被覆する炭素系コーティング層が伝導性の金属物質を含むことによって、優秀な電子伝導性及び弾性を有するので、容量改善と共に充放電時に炭素系及び金属コアの膨脹により発生するストレスを解消させ、金属が電解液に直接露出される確率を顕著に減少させることができる。また、このような負極活物質を含む負極電極及びリチウム電池は、放電容量及び初期の充放電効率などの充放電特性が優秀である。 （もっと読む）