【課題】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、この還元シリコンから、経済的に、ホウ素添加シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を金属アルミニウムにより還元して還元シリコンを得、得られた還元シリコンを加熱溶融し、ホウ素を添加した後、鋳型内で温度勾配を一方向に設けた状態で凝固させることにより精製することを特徴とする。好ましくは、還元シリコンを酸洗したのちに、加熱溶融し、ホウ素を添加する。還元シリコンを減圧下に加熱溶融させたのちに、ホウ素を添加する。還元シリコンを加熱溶融した後に一方向に凝固させて精製し、その後に加熱溶融し、ホウ素を添加する。 （もっと読む）

【課題】ガラス資源のリサイクルのために、ガラス材料から金属不純物等を除去してガラス材料を回収する。
【解決手段】ガラス溶解槽を用いて、ガラス材料を、酸化シリコンが飽和になるまで、フッ素イオンを含む溶液に溶解し飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液を形成させると共に、酸化シリコンが溶解する際の熱を回収し、添加剤溶解槽を用いて、前記飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液に、アルミニウム、カリウム、バリウム、ニッケル、亜鉛、銅、およびこれらの化合物、ホウ酸、マグネシウム化合物、水から選択される少なくとも一種を添加して、前記飽和状態のケイフッ化水素酸水溶液中のＨ₂ＳiＦ₆を過飽和状態にして、該反応における下記式で表される平衡反応（３）に示す該平衡状態を、下記平衡式（３）を右に移行させて高純度の酸化シリコンを析出させる。
（もっと読む）

【課題】 流動性と成形性に優れ、バリの発生が更に少ない樹脂組成物、特に半導体封止材料を提供することであり、それに好適な超微粉末と超微粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の酸化物換算の含有率が９９．５質量％以上、平均粒子径が０．０５〜１．０μｍ、粒度分布の変動係数が１０〜１００％であり、Ａｌ_２Ｏ_３の酸化物換算の含有率が１０〜９９質量％である超微粉末。この超微粉末を０．５〜２０質量％含有してなる平均粒子径が５〜５０μｍの無機質粉末。可燃ガスと助燃ガスとによって形成された高温火炎中にＳｉ源物質とＡｌ源物質を噴射し加熱処理して製造する超微粉末の製造方法であって、Ｓｉ源物質とＡｌ源物質は別々のバーナーから噴射し、Ａｌ源物質よりもＳｉ源物質を１〜２０ｃｍ下部から噴射する本発明の超微粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化を排しながら、シリコンの収率を向上させるための還元反応の効率を向上し、同時に生成シリコンと生成ガスとの分離回収効率をも向上することのできるシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】珪素化合物ガスを反応容器１０に連絡し、亜鉛ガスを、第１の亜鉛供給口４０ａから反応容器内に第２の吐出方向に吐出しながら供給する亜鉛供給管と、反応容器内に設けられ、第１の亜鉛供給口から第２の吐出方向に吐出される亜鉛ガスを偏向しながら、珪素化合物供給口から第１の吐出方向に吐出される珪素化合物ガスが反応容器における上流側から下流側に向かって流れることを許容する整流部材２０と、反応容器において整流部材の下流側に設けられ、シリコンを含む反応生成ガスを反応容器外に排出する排出管１０ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高容量かつサイクル特性の良好な新規なリチウムイオン二次電池やリチウムイオンキャパシタの負極として適用可能な複合体材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粒子と該シリコン粒子の表面の少なくとも一部に存在する炭化金属からなる被覆層とを有する複合体であって、前記炭化金属の少なくとも一種が炭化反応におけるギブスの自由エネルギーがシリコンの炭化反応におけるギブスの自由エネルギー未満である金属の炭化物である複合体材料およびその製造方法。前記炭化反応におけるギブスの自由エネルギーがシリコンの炭化反応におけるギブスの自由エネルギー未満である金属の炭化物が５重量％以上８０重量％以下含まれる。 （もっと読む）

【課題】シェル内不純物濃度、コア／シェル間の格子不整合等の観点からコア／シェル型半導体ナノ粒子を改善することにより、ブリンキング現象を抑制し、発光強度を向上させたコア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】コア部とシェル層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、当該シェル層内の不純物濃度が５．０原子％以下であり、かつコア／シェル間の格子不整合率が１５％以下であることを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】製造工程および製造装置を煩雑化させることなく、生成シリコンの回収率の向上を図ることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】四塩化珪素ガスを亜鉛ガスにより還元する亜鉛還元法を用いたシリコンの製造方法において、鉛直方向に立設された反応管１０を、周囲に配置された加熱炉２０で加熱しながら、前記反応管１０内に、亜鉛ガスを前記反応管１０の側周面に設けられた亜鉛ガス供給口３０ａから供給するとともに、四塩化珪素ガスを前記亜鉛ガス供給給口３０ａよりも下方から前記反応管１０の中心軸Ｃに沿って上方に向かって吐出させて、前記反応管１０内の温度分布を側周面側よりも中心軸Ｃ側の方が低くなるように制御して、シリコン粉を生成させる。 （もっと読む）

【課題】装置全体を簡素化することができ、メンテナンス性に優れ、安価にシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管１０と、反応管１０を加熱する加熱炉２０と、反応管１０内に亜鉛を供給する亜鉛供給管３０と、亜鉛供給管３０内に亜鉛を投入する亜鉛投入部４０と、反応管１０内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管５０と、を備え、亜鉛供給管３０は、反応管１０内に亜鉛を吐出する亜鉛吐出口３０ａと、亜鉛吐出口３０ａと亜鉛投入部４０との間に設けられ、亜鉛投入部４０より投入された亜鉛を加熱する加熱部３０ｂと、を備え、亜鉛吐出口３０ａ及び加熱部３０ｂは、反応管１０内に設けられ、かつ、加熱炉２０によって加熱される加熱領域α内に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置全体を簡素化することができ、安価でシリコンを生成することができるシリコン製造装置の提供。
【解決手段】本発明のポリシリコン製造装置は、反応管１０と、反応管１０を加熱する加熱炉２０と、反応管１０内に亜鉛を供給する亜鉛供給管３０と、亜鉛供給管３０内に亜鉛を投入する亜鉛投入部４０と、反応管１０内に珪素化合物を供給する珪素化合物供給管５０と、を備え、亜鉛供給管３０の連結部３０ｂ及び加熱部３０ａは、加熱炉２０の加熱領域α内に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、粒子径の単分散性が高く、優れた導電性を示すことが可能な導電性シリカ粒子を提供する。また、そのような導電性シリカ粒子の効率的な製造方法を提供する。さらに、該導電性シリカ粒子を含有する導電性被膜形成用組成物または導電性フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の導電性シリカ粒子は、球状シリカ粒子表面に金属含有コロイド粒子が担持されてなり、画像解析法により測定される平均粒子径（Ｄ２）が０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあり、粒子径変動係数（ＣＶ値）が５％以下の範囲にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンの製造過程において、低エネルギーでかつ容易にホウ素およびリンを除去することができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用高純度シリコンの製造方法は、金属状アルミニウムおよび／または金属状マグネシウムを還元剤として珪石（ＳｉＯ_２）を還元することにより金属状シリコンを製造する方法において、上記還元反応と同時に、カルシウム化合物を、珪石に含まれるホウ素および／またはリンと反応させることにより、ホウ素および／またはリンを除去し、ここで、前記カルシウム化合物の添加量は、カルシウム化合物と、ホウ素および／またはリンとの化合物の生成理論モル量の１〜１．５倍であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を必要とせず簡単に製造することができるスピネルの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、製鋼用の脱酸剤を始め太陽電池、半導体部品等の原料として利用することのできる金属状ケイ素の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明のスピネルまたは金属状ケイ素の製造方法は、２：２：１に従うモル比で、珪石（ＳｉＯ_２）、金属状アルミニウムおよび金属状マグネシウムを反応させることにより、スピネルおよび金属状ケイ素を生成させ、ここで、珪石の純度が９０重量％以上でありかつその平均粒径が１００μｍ以下であり、金属状アルミニウムおよびマグネシウムの平均粒径が５００〜１０００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ効率的に金属状ケイ素を製造する方法を提供する。
【解決手段】珪石を還元することにより金属状ケイ素を製造する方法であって、金属状アルミニウムおよび／または金属状マグネシウムを還元剤とする珪石の自己燃焼還元反応により金属状ケイ素を生成させると共に、該自己燃焼還元反応により生じた熱を利用して、珪石と炭素源とから金属状ケイ素を生成させる反応を開始・進行させ、ここで、珪石の純度が９０重量％以上でありかつその平均粒径が１００μｍ以下であり、金属状アルミニウムおよびマグネシウムの平均粒径が５００〜１０００μｍであり、炭素源の平均粒径が１００μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンを効率的に製造する方法、特に太陽電池の製造に適したシリコンを効率的に製造する方法を提供すること。具体的には、ハロゲン化シランの金属による還元反応において、高い反応率を示す多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】下式（１）で示されるハロゲン化シランを金属により還元するシリコンの製造方法であって、金属の融点未満の温度Ｔ１において、金属の粒子とハロゲン化シランとを接触させてシリコンを得る第一工程と、第一工程の後に、金属の融点以上の温度Ｔ２において、金属の残存物とハロゲン化シランとを接触させてさらにシリコンを得る第二工程と、を備える。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
[式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子
をそれぞれ示す。ｎが０〜２の時、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。] （もっと読む）

【課題】化学的に安定で、耐吸湿性にすぐれ、摩擦材の基材材料として好適な非晶質複合チタン酸アルカリ金属組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ₂Ｏ・ｎＴｉＯ₂（式中、Ｍはアルカリ金属元素の１種又は２種以上、ｎは１〜４の数）で表されるチタン酸アルカリ金属６０重量％以上、ＳｉＯ₂１０重量％以上を含み、Ｍ₂Ｏ／ＳｉＯ₂≦２.５である非晶質複合チタン酸アルカリ金属組成物であって、所望により、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐ、Ｃａ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素の酸化物、及び／又は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ及びＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 無毒で伝導性に優れたｎ型のＭｇ金属化合物（Ｍｇ_２Ｘ）を提供すること
【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。これは、Ｘを構成する元素であるＳｉ及びまたはＧｅに予めＰを添加したものを当該元素の原材料とし、作製温度をＰを添加した元素の融点よりも低い温度とすることで製造できる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で粉末およびバルク体の金属ケイ素化物を製造することができる金属ケイ素化物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、Ｎａの融液または蒸気を付加した状態で、金属とＳｉとを加熱する。金属およびＳｉは、それぞれ単独の粉末を混合したもの、それぞれ単独の粉末を混合し圧縮成形したもの、金属のバルク体の上にＳｉの粉末またはバルク体を接触させたもの、金属のバルク体または粉体、およびＳｉのバルク体または粉体を同一Ｎａ融液に浸したもののうち、いずれか一種類である。金属は、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｏから選択される一種類の金属、もしくはそれを主構成金属とする合金であり、得られる主たる金属ケイ素化物は、β−ＦｅＳｉ_２、Ｍｇ_２Ｓｉ、ＣｒＳｉ_２またはＭｏＳｉ_２である。更に、加熱温度は、５００℃以上、１２００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、軽量で、高い性能指数を達成し得る熱電変換素子を得ることを目的とし、シリコンを主体とし、ストロンチウムをゲスト元素とするクラスレート化合物及び該クラスレート化合物よりなる熱電変換素子を提供する
【解決手段】
一般式（１）で表されるクラスレート化合物
【化５】


但し、ｘ、ｙは、正の数であり、１４＜ｘ＋ｙ＜１８、かつ−２＜ｙ−ｘ＜１０である。
及び該クラスレート化合物を含む熱電変換素子である。 （もっと読む）

【課題】
印刷適性を向上させるために、吸油性が高く、また、填料として用いた紙の嵩高効果が高い炭酸カルシウム-シリカ複合材料の提供。
【解決手段】 （１）炭酸カルシウムとシリカとがモル比で２５：７５〜４０：６０の範囲にあり、（２）該複合体の有する細孔の細孔半径ｒを下記式
【数１】


で表し、該ａが−３〜２３である範囲での細孔容積を水銀圧入法によって測定した場合に、ａの差が１となるように区分した各細孔半径範囲ごとの細孔容積Ｖ_ａを比較すると、Ｖ_ａが最大となる細孔半径範囲は１２＜ａ≦１６の区分範囲内にあり、かつａ≦１６となる細孔半径を有する細孔の細孔容積合計が１．６〜２．５ｃｃ／ｇの範囲にある炭酸カルシウム−シリカ複合材体。所定比の塩化カルシウムと硫酸カルシウムの双方を含むスラリーに対してケイ酸ソーダを混合してケイ酸カルシウムとし、これを二酸化炭素とを反応させることにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】メソポーラスシリカの細孔組織にロジウムを均一に担持させたロジウム担持メソポーラスシリカを比較的温和な条件下での反応によって製造する方法を提供する。
【解決手段】珪酸ナトリウム水溶液をカチオン交換樹脂と接触させて活性シリカを調製する第１工程、次いで、上記活性シリカとカチオン界面活性剤とロジウム前駆体とをアルカリ性領域で、好ましくは、１００℃を超えて、２００℃以下の範囲の温度にて水熱反応させることによって、ロジウムを含有するシリカとカチオン界面活性剤との複合体を生成させる第２工程、上記複合体を焼成する第３工程をこの順序で行って、平均細孔径が１０〜１００オングストロームのメソポア組織を有すると共に、ＢＥＴ法による窒素吸着比表面積が５００ｍ²／ｇ以上であるメソポーラスシリカにロジウムが担持されてなるロジウム担持メソポーラスシリカを得る。 （もっと読む）