【解決課題】亜鉛還元法により製造された後に反応装置外に取り出された多結晶シリコンから、高純度の多結晶シリコンインゴットを製造する方法を提供すること。
【解決手段】水蒸気を含有するアルゴンガスを雰囲気に供給しながら、１０^−１Ｐａ以下の圧力下、１４１０〜１６００℃で、亜鉛還元法により製造された多結晶シリコンを溶融させ、溶融シリコンを得る溶融工程と、該溶融シリコンを、下から上に順に冷却して結晶化させ、多結晶シリコンインゴットを得る冷却工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、非常に低い塩含量を有し且つ少なくとも１種の沈降シリカを含有する懸濁液、その製造方法、更にその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、シリコンを含有する溶融した二元若しくは三元の過共晶合金中又は精製したシリコン融液中で大型の高純度シリコン結晶を結晶化することを含み、小型のシリコン結晶を融液に加えて、結果として生じる大型のシリコン結晶を融液から分離することを特徴とする、太陽電池級シリコンの製造方法に関する。当該分離は、遠心分離又はろ過により行ってよい。 （もっと読む）

【課題】シリコンの生産性を向上させることができるとともに、シリコンの製造コストを低減できるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ、Ｃａ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも一種からなる金属粉末Ｍ_ｐ１を、プラズマＰ中で加熱する加熱工程と、プラズマ中で加熱した金属粉末Ｍ_ｐ２で、ハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得る還元工程と、を備えるシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半溶融状態での撹拌を維持しながら、カーボンナノ材料に好適なカーボンナノ複合マグネシウム合金素材の製造方法することを提供することを課題とする。
【解決手段】マグネシウム合金を加熱して半溶融状態にする半溶融工程と、半溶融状態のマグネシウム合金へカーボンナノ材料を投入し撹拌する第１撹拌工程と、カーボンナノ材料の投入が終わった半溶融物を、半溶融温度領域で且つ前記第１撹拌工程での温度より高い温度で撹拌することでカーボンナノ複合マグネシウム合金素材を得る第２撹拌工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】珪化鉄粉末に含まれるガス成分である酸素が少なく粉砕が容易であり、したがって粉砕が不良である場合に伴う不純物の混入が少なく、また珪化鉄粉末の比表面積が大きく、焼結する際に密度を上げることが可能である珪化鉄粉末を提供する。
【解決手段】酸化鉄を水素で還元して鉄粉末を作製し、この鉄粉末とＳｉ粉末を非酸化性雰囲気中で加熱して主にＦｅＳｉからなる合成粉末を作製し、さらに再度Ｓｉ粉末を添加混合し非酸化性雰囲気で加熱して主にＦｅＳｉ_２からなる珪化鉄粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素とアルミニウムとを流動層反応器中で反応させてシリコンを製造する場合のように過酷な条件で使用された場合においても、良好な流動化状態を維持することのできる耐熱性、耐腐食性に優れた分散板の提供。
【解決手段】気体を分散させた状態で流動層反応器内に通気させるために用いられるセラミックス製の分散板。また、ハロゲン化珪素を原料としたシリコンの製造に用いられる流動層反応器において、前記ハロゲン化珪素を含む気体の流入部に装着され、該気体を分散させた状態で流動層反応器内に通気させるために用いられるセラミックス製の分散板。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素をアルミニウム粒子と反応させてシリコンを製造する方法において、アルミニウムの残留が抑えられた高純度のシリコンを効率的に得ることを課題とする。
【解決手段】本発明は、複数のアルミニウム粒子と複数のシリコン粒子が混合された状態で、一般式ＳｉＨ_nＸ_4-n（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは０〜３の整数を示す。）で表されるハロゲン化珪素と前記アルミニウム粒子とを反応させることを特徴とするシリコンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シリコンを金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンと、水素の含有率が１質量ｐｐｍ以下である金属とを接触させることにより、ハロゲン化シリコンを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比して生産性の高いシリコンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子全体の酸素の質量分率が０.００５％以上０.５％以下となるように表面が酸化されたアルミニウム粒子を加熱する工程と、加熱されたアルミニウム粒子と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、ハロゲン化シランを還元する工程と、を備えるシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】安定した生産が可能となり、しかも、高純度のシリコンを得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】酸素の質量分率が５ｐｐｍ以下の金属と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、前記ハロゲン化シランを還元してシリコンを得る工程を備えるシリコンの製造方法である。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも１種の半導体帯域を含み、方法は、
ａ）支持体上への、１種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも１種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびＳｉに基づく少なくとも１種の第１の半導体帯域を現わし、
ｂ）Ｓｉに基づく前記第１の半導体帯域上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（式中０＜ｘ）に基づく少なくとも１種の第２の半導体帯域の形成、
ｃ）前記マスキング層を通じた前記第１の半導体帯域および第２の半導体帯域の熱酸化を具える。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の完全な分離と回収および再利用が、良好な生産性で実現でき、これにより低コストによる量産が可能となる高純度シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】温度を９１０〜１３００℃に維持された容器１と３００〜４００℃に維持された容器２及び０℃以下に維持され且つ出口側に廃ガス処理装置を介して外気に繋がる開口部を有する容器３を直列に結合し、容器１の入口より、高純度の四塩化ケイ素ガス、亜鉛蒸気及び不活性ガスを、１０００〜１２００ｈPaの圧力下で四塩化ケイ素が化学当量比で亜鉛を上回る状態で供給する。これにより系内に亜鉛が存在しない状態を作り、容器１でシリコンを捕集し、容器２で溶融状態の副生塩化亜鉛を微粒シリコンと共に捕集し、容器３で余剰四塩化ケイ素を液体で回収する。容器２の副生塩化亜鉛は、微粒シリコンを回収した後、水溶液電解工程に送られ、亜鉛を回収し、再利用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも１つのＧｅＯＩ構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ＳｉＧｅ領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。 （もっと読む）

【課題】 高い耐候性、耐光性および光触媒活性抑制効果と高屈折率性を兼ね備え、更に安定性、耐酸性、透明性に優れた酸化チタン系複合粒子の分散液を得ること。
【解決手段】 チタニウムの酸化物微粒子またはチタニウムとケイ素および／またはスズとを含む複合酸化物微粒子からなる核粒子の表面を、アミノ基を有する金属アルコキシドの加水分解物を含む水溶液と、ケイ酸液またはケイ酸塩の水溶液と、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、セリウム、スズ、ランタン、マグネシウム、カルシウム、イットリウムより選ばれる１種または２種以上の金属元素の塩を溶解させた水溶液とを同時に添加して重縮合させて得られるアミノ基含有複合体で被覆し、更にその表面をシリカ系酸化物またはシリカ系複合酸化物で被覆してなる酸化チタン系複合粒子の分散液および該分散液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】亜鉛還元法で副生する塩化亜鉛を電気分解して亜鉛を得るに際して効率良く高純度な亜鉛を製造し、この亜鉛により珪素を製造する。
【解決手段】粗塩化亜鉛を蒸留して精製塩化亜鉛を得る蒸留工程と、精製塩化亜鉛を電気分解して亜鉛を回収する電気分解工程からなり、蒸留工程に先立って粗塩化亜鉛に金属亜鉛を添加して２質量％以上とする亜鉛の製造方法。また、粗珪素または珪素化合物を塩素化して塩化珪素を得る塩化工程、塩化珪素と亜鉛を反応させて珪素および粗塩化亜鉛を得る珪素製造工程、粗塩化亜鉛を蒸留精製し、精製塩化亜鉛を得る蒸留工程、精製塩化亜鉛を電気分解して亜鉛および塩素を得る電気分解工程からなる珪素の製造方法であって、電気分解工程において得られた亜鉛および塩素を、珪素製造工程および塩化工程にそれぞれ再利用し、蒸留工程に先立って粗塩化亜鉛に金属亜鉛を添加して２質量％以上とする珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶融金属とハロゲン化シランとの反応において、十分に高い反応率を示すシリコンの製造方法及び製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融金属に振動を与えてオリフィスから吐出させることにより溶融金属の液滴を形成する工程と、液滴と下記式（１）で示されるハロゲン化シランとを接触させることにより、ハロゲン化シランを還元してシリコンを得る工程と、を備えるシリコンの製造方法である。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数の生体分子を同時に効率よく検出可能であり、かつ生体に悪影響を与えることなく安全性に優れた生体物質標識剤、を与える半導体ナノ粒子、それを用いた生体物質標識剤、生体物質標識剤のセットおよび生体分子検出方法を提供することにある。
【解決手段】半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】テトラクロロシランと溶融金属との反応において、十分に高い反応率を示すシリコンの製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るシリコン製造方法は、テトラクロロシランからシリコンを製造する方法であって、反応器内において液状のテトラクロロシランと溶融金属とを互いに衝突させ、テトラクロロシランを還元してシリコンを得る還元工程を備える。また、本発明に係るシリコンの製造方法は、還元工程を経て得られたシリコン粒子と未反応の液状のテトラクロロシランとを含有するスラリーを反応器から排出する排出工程を更に備えたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】亜鉛ガス中での四塩化珪素との反応により生成するシリコンの純度の向上と共に生産規模の向上とともに収率の向上が可能な高能率の反応装置を得ることを課題とした。
【解決手段】本発明は高温中で亜鉛ガス中に四塩化珪素を供給してシリコンと塩化亜鉛の生成を行う水平型反応塔とその後端に設けられた垂直反応塔部を有する反応装置において、水平型反応塔の内部に反応部から長さ方向についてランダムな間隔及び方向性を有する邪魔板を置くことによって反応塔内部を流れるガス又はガス及び生成固体を十分に乱流化させ相互に衝突させて混合すると共に外部からの熱を能率良く均一に取り込むようにした、高純度シリコンの製造装置並びに、本製造装置を含み連続的シリコン製造を行う様にした高純度シリコンの製造装置である。 （もっと読む）