【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】廉価にゲッタリング効果を得つつ高品質化を図る。
【解決手段】溶融シリコンを坩堝内の下方から上方に向けて一方向に凝固させることにより生成させた多結晶シリコンインゴットであって、上端部および下端部における酸素濃度が、この上端部とこの下端部との間の中央部における酸素濃度より高い。また、上端部における酸素濃度が下端部における酸素濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】冷却ルツボの内面が損耗するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ７を誘導コイル８内に配置し、誘導コイル８による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ７内に投入されたシリコン原料を溶解させて溶融シリコン１３を形成し、冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する方法において、誘導コイル８に供給される交流電流の周波数を、その標準偏差を０．０２５〜０．０５０ｋＨｚ、かつ、その平均値を２５〜３５ｋＨｚにして変動させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。本発明は、誘導コイルに供給される交流電流の周波数を変動させる際、誘導コイルに供給８される交流電流の周波数に応じ、冷却ルツボ７内に連続投入するシリコン原料の投入速度を調整して変動させるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方に処理剤を押し込む、押込工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、該不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを抑制可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】鋳型２の内側に設けられた、５００〜１５００μｍの粗大溶融シリカ砂３１をシリカで結合した外層スタッコ層３０を少なくとも１層含む外層シリカ層３と、外層シリカ層３の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂４１をシリカで結合した内層スタッコ層４０を少なくとも１層含む内層シリカ層４と、を備え、内層シリカ層４の最表面の内層スタッコ層４０’が、平均粒径０．１〜０．０１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、鋳型１内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部及びそれよりも上部３Ａが、イミド熱分解法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなり、シリコン融液面４ａとの接触部よりも下部３Ｂが、直接窒化法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなる第１の層３Ａと、第１の層３Ａの上に形成されたシリカからなる第２の層３Ｂとにより構成し、かつ、第２の層３Ｂは、鋳型内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部よりも上部にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】残留応力の発生を十分に抑制でき、転位の発生を抑制できる電磁誘導を利用したシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却ルツボの下方に複数段の保温ヒーターと複数段の均熱ヒーターを連続して配置する構成とし、冷却ルツボの下端位置を原点として鉛直下方を正とする座標系に従い、最上段の保温ヒーターの温度監視用温度計の鉛直方向の設置位置を第１位置Ｚ₀とし、この第１位置Ｚ₀でのヒーター温度をＴ₀で表すとともに、最上段の均熱ヒーターの温度監視用温度計の鉛直方向の設置位置を第２位置Ｚ₁とし、この第２位置Ｚ₁でのヒーター温度をＴ₁で表した場合、第１位置Ｚ₀と第２位置Ｚ₁との間の各保温ヒーターの温度監視に用いられる各温度計の鉛直方向の設置位置をＺとし、各位置Ｚでのヒーター温度Ｔが下記（１）式の条件を満たすように、各保温ヒーターの出力を制御する。
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【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を併用する連続鋳造方法であって、プラズマトーチを、原料３の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド２の断面における２本の対角線により形成される４つの角のうちの角度がθの２つの角に含まれるいずれか一の方向もしくは二以上の方向に走査させるとともに、原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、投入する原料がモールドの中心にあるプラズマトーチに衝突する（原料の落下点がモールドの中心から外れる）ように、投入角度および高さを調整して行う。 （もっと読む）

【課題】放射温度計を用いてシリコンの温度を高精度に安定して測定でき、シリコンの相状態を精度よく判別でき、高品位な製品を製造でき、かつ、操業時間やランニングコストの無駄をなくして生産性を高めることができるシリコン鋳造炉の温度測定機構及びこれを備えたシリコン鋳造炉を提供すること。
【解決手段】シリコンを貯留する坩堝と、前記坩堝を収容する炉と、前記炉内に不活性ガスを供給する供給管４と、を有するシリコン鋳造炉に設けられ、シリコンの温度を測定するシリコン鋳造炉の温度測定機構１であって、シリコンの温度を測定する放射温度計５が、前記供給管４内に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の１０％以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の５０％以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造方法により多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる電磁鋳造方法および電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程（鋳造終了の直後からモールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程）開始前の固液界面深さを浅くする。インゴットの引下げ速度の低下を毎時０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎの割合で直線的に行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。この方法は、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置１３を有する本発明の電磁鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１２を投入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８から電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチ１４から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコン１３を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチ１４と溶融シリコン１３との間隔Ｚを、シリコン原料を投入する高さＺｔの１／２以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法である。 （もっと読む）

【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、高純度シリコンの粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍの原料と粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下の原料を全原料の７０〜１００質量％として混合し、かつ両者の混合比を比較した場合に、粒径が０．６ｍｍ〜３ｍｍのものが０〜４０質量％、粒径が３ｍｍを超え４０ｍｍ以下のものが１００〜６０質量％である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に、粉塵爆発が発生する危険性を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気に維持されるチャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造する方法において、リンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を２００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃することを特徴とする。また、ボロンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を４００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃する。 （もっと読む）