【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を８００−１１００℃に制御した基板上に、１ｋｇ／ｈｒを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が２−３０ｍｍの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属珪素と二酸化珪素の蒸着用材料は、加熱時に蒸気圧が高いために蒸発しにくく、さらに溶融型の蒸着用材料であるため、より大きい熱衝撃が必要となり、蒸着用材料が飛散してスプラッシュが発生しやすい。また蒸着速度の低下の問題、蒸着膜のバリア性の低下の問題もある。本発明の課題は、スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料を提供することである。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、酸化マグネシウム粉末とを含有してなる加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とマグネシウムの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｇ））が１．０〜１．８であり、マグネシウムと珪素の原子数の比（Ｍｇ／Ｓｉ）が０．０２〜０．５０であることを特徴とする蒸着用材料。 （もっと読む）

【課題】 被蒸着体にカーボン粉を用い、蒸着材としてシリコンを付着することで、カーボン粉上に均一に所定のシリコンナノ粒子を均一に付着させることができる。微粒子形成装置を提供する。
【解決手段】 攪拌容器７３に収納された担持体であるカーボン粉（被蒸着体７）を攪拌しながらナノ粒子（蒸着体）のプラズマを上から照射し、カーボン粉表面に触媒金属を担持させる。この過程で、スタンプ８５のアーム部８９は、攪拌容器７３の回転に連動して、上部開口部の縁部９０の斜めに切りかけたスロープを登る。そして、最終上段まで上がったときに、段差９０ｃで低い段差に急激に落とされて、その下部にあった被蒸着体７の塊を粉砕する。また、蒸着材料のシリコンは電気を通さないといけないため比抵抗は０．１Ωｃｍ以下に保たないといけない。 （もっと読む）

複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、２つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子（１ｂ、１４）を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
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【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】優れた親水性を有し、強度も高く、製造も容易で、防曇膜等の防曇材（防曇処理済材）に適正な親水性材を提供する。
【解決手段】防曇層１４等となる親水性材は、無機酸化物層からなる親水性層を有し、この親水性層が、基材の法線に対して１０〜７０°の角度αを有する柱からなる柱状構造、すなわち基材の法線に対して所定の角度で傾斜する柱からなり、前記親水性層の厚さが、１００〜３０００ｎｍである柱状構造。 （もっと読む）

【課題】一酸化珪素固体をムラ無く均一に析出させ、高い生産性を有する、一酸化珪素蒸着材料の製造方法を提供する。
【解決手段】二酸化珪素粒と溶融した金属シリコンからなる混合物を準備する工程；前記混合物中の二酸化珪素粒と溶融金属シリコンを反応させて一酸化珪素の気体を発生させる工程；前記一酸化珪素気体から一酸化珪素固体を析出板に析出させる工程、を含む一酸化珪素の製造方法であって、
（Ａ）前記混合物の上部に設けられた析出板に一酸化珪素を連続して析出させながら、析出板上の析出厚みを計測する工程、ならびに
（Ｂ）前記析出板上の一酸化珪素の析出厚みが５ｍｍになるまで、一酸化珪素を、析出速度０．１〜５ｋｇ／ｍ^２・ｈｒで析出させる工程、
を含む方法で、一酸化珪素蒸着材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱電素子として熱的に安定し、熱電変換効率も高いＭｇ_２Ｓｉ（マグネシウムシリサイド）を短い加熱時間で容易に製造する。
【解決手段】Ｓｉウエハ１に、傾斜面あるいは円弧面が残るようにして該Ｓｉウエハ１を貫通する隣接したエッチング２をウエハ表面から形成した後、該隣接するエッチング２間にドーパント膜３を成膜し、さらにその上からＭｇ膜４を成膜した後、Ｍｇ_２Ｓｉの融点以下の温度で熱処理するようにしてＭｇ_２Ｓｉのｎ型またはｐ型の熱電素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電池の充放電に伴い（リチウムイオンの吸蔵・放出に伴い）集電体上から活物質としてシリコンを含む薄膜が剥離し難いリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着法にて集電体上にリチウムイオンを吸蔵・放出する活物質としてシリコンを含む薄膜を形成したリチウム二次電池用電極の製造方法である。集電体に薄膜を形成する際に、集電体とシリコンを含有する薄膜原料とを、0.01Pa〜1Paの雰囲気圧力に調節した不活性ガス中に配置するとともに、薄膜原料を溶融して蒸発させて、集電体上にシリコンを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガス照射を利用しないドライプロセスによる簡素な方法により、ドット状のシリコンナノクラスタにおける粒径バラツキを抑えるとともに、さらなる粒径の縮小化及び高数密度化を図る。
【解決手段】シリコン含有基材１の表層部にシリコン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２の上にアモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層）を形成する。そして、超高真空下で、ａ−Ｓｉ層を４００℃以上かつシリコンの融点未満の温度で加熱処理してシリコン酸化膜２上に複数のドット状のシリコンナノクラスタ４を形成する。これにより、平均粒径が５．５ｎｍ以下、数密度が２．７×１０¹²／ｃｍ² 以上、粒径バラツキが１５％以下のシリコンナノクラスタ４を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 300℃以下の温度で結晶性のシリコンナノワイヤーが生成するシリコンナノワ
イヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。 （もっと読む）

【課題】 ニオビウムまたはその合金の表面に被覆して、高温における等温耐酸化性及び反復耐酸化性を向上させ、被覆層の高温機械的性質を改善し得る新しいナノ複合被覆層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。前記ナノ複合被覆層は、等軸晶のＮｂＳｉ₂結晶粒界にＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子が分布された微細組織を有し、ナノ複合被覆層内に存在するＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子の体積分率の調整によって、母材の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有するＮｂＳｉ₂系ナノ複合被覆層が形成される。 （もっと読む）

本発明は、反応中心を含有する、０．７０≦ｙ≦０．９５、特には０．７０≦ｙ≦１．８０、もっとも特には１．０≦ｙ≦１．８であるＳｉＯ_ｙフレーク、その製造方法及び化学的に変性したＳｉＯ_ｙフレークの使用に関する。 （もっと読む）

単結晶性半導体ナノ粒子を包含する、ナノ粒子を製造するための方法並びに装置を提供する。該方法は、プリカーサ分子を含有するプリカーサガスの存在下で、制限された高周波プラズマを発生させて、ナノ粒子を形成する段階を含む。10nm以下の径を持つフォトルミネッセンス性の珪素ナノ粒子を含む、単結晶性半導体ナノ粒子を、これらの方法に従って製造することができる。
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